公开(公告)号：CN101293665A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710008882.6

申请日：2007-04-26

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 郭胜平 ,  郭国聪 ,  李强 ,  邹建平

IPC: C01F17/00 ,  C01B17/20

Abstract: 一种稀土硫属化合物的制备方法，涉及稀土硫属化合物的合成。本制备方法采用硫属元素单质、稀土氧化物为原料，在真空高温条件下反应，得到稀土硫属化合物，本方法的特征在于：在合成稀土硫属化合物的反应体系中加入稍过量于化学反应量的硼。本方法具有不涉及有毒气体及有机溶剂的使用、成本较低等优点。

公开(公告)号：CN100508220C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200410030570.1

申请日：2004-04-13

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 陈文通 ,  郭国聪 ,  徐玲 ,  李强 ,  黄锦顺

IPC: H01L31/0264 ,  H01L33/00 ,  H01L35/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/30 ,  C30B29/10 ,  C01G1/00 ,  C01G57/00

Abstract: 系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途，涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。本发明的目的是要找到一种能带具有较大的可“剪裁”性的半导体材料。选择了VIA族元素Se，VIIA族元素Br和IIB族的Cd和Hg，用固相反应法，合成出新型系列类碲镉汞红外材料化合物CdHg4Q4X6(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。该材料用于红外探测器和发射器、热电材料和红外激光器等技术领域。

公开(公告)号：CN100492668C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200410044325.6

申请日：2004-05-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 陈文通 ,  郭国聪 ,  李强 ,  王明盛 ,  徐玲 ,  蔡丽珍

IPC: H01L31/0296 ,  C30B29/10

Abstract: 一系列半导体材料，涉及新型半导体材料系列CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)及其制备方法。CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)空间群为Cmm2(No35)，单胞参数为a＝16.7～17.9，b＝8.8～10.0，c＝9.1～10.2，α＝β＝γ＝90°，Z＝4，单胞体积V＝1500～20003。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及光电开关等领域。

公开(公告)号：CN1684276A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200410030570.1

申请日：2004-04-13

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 陈文通 ,  郭国聪 ,  徐玲 ,  李强 ,  黄锦顺

IPC: H01L31/0264 ,  H01L33/00 ,  H01L35/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/30 ,  C30B29/10 ,  C01G1/00 ,  C01G57/00

Abstract: 系列类碲镉汞红外材料及其制备方法和用途，涉及系列类碲镉汞红外材料及其合成。本发明的目的是要找到一种能带具有较大的可“剪裁”性的半导体材料。选择了VIA族元素Se，VIIA族元素Br和IIB族的Cd和Hg，用固相反应法，合成出新型系列类碲镉汞红外材料化合物CdHg4Q4X6(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。该材料用于红外探测器和发射器、热电材料和红外激光器等技术领域。

公开(公告)号：CN1705139A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200410044325.6

申请日：2004-05-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 陈文通 ,  郭国聪 ,  李强 ,  王明盛 ,  徐玲 ,  蔡丽珍

IPC: H01L31/0296 ,  C30B29/10

Abstract: 一系列半导体材料，涉及新型半导体材料系列CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)及其制备方法。CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)空间群为Cmm2(No35)，单胞参数为a＝16.7～17.9，b＝8.8～10.0，c＝9.1～10.2，α＝β＝γ＝90°，Z＝4，单胞体积V＝1500～20003。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及光电开关等领域。