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公开(公告)号：CN109608652A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811545194.8
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种MOFs晶体材料，该晶体材料具有式Ⅰ所示的化学式，其中，M为Zn和/或Cd；L表示具有式Ⅱ所示化学式的配体，式Ⅱ中的R包括亚烃基中的至少一种；BDC为对苯二甲酸根。本申请提供的MOFs晶体材料对二氧化碳的吸附优于对乙炔的吸附，省去了脱附乙炔的过程从而更为节能且方便，并且对二氧化碳和乙炔具有很好的分离效果，且该材料的合成过程可以受控。
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公开(公告)号：CN102965095B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201110257499.0
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C09K9/00
Abstract: 一种无机/有机杂化光致变色材料及其制备方法与应用，属于无机/有机杂化光致变色材料领域，涉及苄基紫精氯化铋类无机/有机杂化光致变色化合物的合成方法与应用。本发明苄基紫精氯化铋类无机/有机杂化光致变色化合物具有优良的光致变色性能，在紫外和可见光照射下，变色快，加热或放在暗室，退色也快，该材料可应用在光信息存储、防护装饰、防伪与鉴伪、保密、光开关器件、光信息转换器，防辐射用的光致变色太阳镜片、膜片材料等领域。
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公开(公告)号：CN102965095A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110257499.0
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C09K9/00
Abstract: 一种无机/有机杂化光致变色材料及其制备方法与应用，属于无机/有机杂化光致变色材料领域，涉及苄基紫精氯化铋类无机/有机杂化光致变色化合物的合成方法与应用。本发明苄基紫精氯化铋类无机/有机杂化光致变色化合物具有优良的光致变色性能，在紫外和可见光照射下，变色快，加热或放在暗室，退色也快，该材料可应用在光信息存储、防护装饰、防伪与鉴伪、保密、光开关器件、光信息转换器，防辐射用的光致变色太阳镜片、膜片材料等领域。
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公开(公告)号：CN1858307A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510069840.4
申请日：2005-05-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/48
Abstract: 掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料，涉及新型红外材料领域。掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物生长是采用高真空高温固相合成法或熔融法；其单晶生长采用布里奇曼方法；其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本新型红外材料是一种带隙宽度在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，而性能却仍可达到MCT材料的水平的新型碲镉汞改性红外材料。
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公开(公告)号：CN101544611A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810070803.9
申请日：2008-03-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D249/00 , C07F3/08 , H01S3/109
Abstract: 本发明涉及一种新型取代三氮唑配合物非线性光学和铁电材料及其制备方法与应用。该取代三氮唑配合物非线性光学和铁电材料化合物的化学式为Cd(C4N6H3)2，正交晶系，空间群为Fdd2(No.43)，单胞参数为a＝16.02(5)，b＝18.85(5)，c＝7.31(5)，α＝β＝γ＝90°，Z＝8。该配合物非线性光学和铁电材料的制备可采用溶剂热法，得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器以及用于存储和恢复信息、传输光信息，图像显示和全息照像中的编页器、铁电光阀阵列作全息照像的存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1857993A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200510067200.X
申请日：2005-05-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料，涉及一类新型红外材料。其化合物以HgTe、CdTe和InSb为原料，采用真空中高温固相合成法。其单晶生长温度为700～850℃，控制坩埚下降速度为5～30mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本类材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构相对稳定，组分均匀，且制备工艺相对简单，低汞含量而响应波长在中长波段的且性能可与MCT红外半导体材料相媲美的新型红外材料。
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公开(公告)号：CN109608652B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811545194.8
申请日：2018-12-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种MOFs晶体材料，该晶体材料具有式Ⅰ所示的化学式，其中，M为Zn和/或Cd；L表示具有式Ⅱ所示化学式的配体，式Ⅱ中的R包括亚烃基中的至少一种；BDC为对苯二甲酸根。本申请提供的MOFs晶体材料对二氧化碳的吸附优于对乙炔的吸附，省去了脱附乙炔的过程从而更为节能且方便，并且对二氧化碳和乙炔具有很好的分离效果，且该材料的合成过程可以受控。
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公开(公告)号：CN100492668C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200410044325.6
申请日：2004-05-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L31/0296 , C30B29/10
Abstract: 一系列半导体材料，涉及新型半导体材料系列CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)及其制备方法。CdHg5Q5X4(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)空间群为Cmm2(No35)，单胞参数为a＝16.7～17.9，b＝8.8～10.0，c＝9.1～10.2，α＝β＝γ＝90°，Z＝4，单胞体积V＝1500～20003。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及光电开关等领域。
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公开(公告)号：CN119462486A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411404351.9
申请日：2024-10-09
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D213/22 , B01J31/22 , B01J37/08 , C07C68/04 , C07C69/96
Abstract: 本申请公开了一种含Zn和Fe的晶体及其制备方法和应用。该含Zn和Fe的晶体的化学式为Zn3(cpb)2[Fe(CN)6]2·nH2O；其中，配体cpb为1‑(3‑羧基苯)‑4,4'‑联吡啶紫精鎓盐。本申请提供的含Zn和Fe的晶体具有热致变色性能，加热刺激后的晶态催化剂可有效催化CO2和甲醇直接合成碳酸二甲酯，相比没有加热刺激的晶体，性能极大提升。
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公开(公告)号：CN119147597A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411124241.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本申请公开了一种电荷转移包覆型半导体材料在气敏传感器件中的应用，属于半导体传感器材料技术领域。所述应用包括：将电荷转移包覆型半导体材料与待测气体接触；所述电荷转移包覆型半导体材料为：由有机组分通过电荷转移作用包覆在初始半导体外表面所形成的气敏材料。本申请利用电荷转移相互作用的存在提高了半导体的载流子迁移率和电荷分离态寿命，从而提高了气体检测灵敏度，降低了工作温度，并利用半导体外有机包覆组分的氧化还原特性提高气体的选择性。本申请的应用即保留了初始半导体的基本性质，又通过简化材料制备方式降低了应用成本，具有普适性。
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