-
公开(公告)号：CN114302548A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111670950.1
申请日：2021-12-31
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本申请涉及一种射频电离装置、射频中和器及其控制方法；所述射频电离装置，应用于射频中和器，包括：电离腔室以及射频线圈；所述电离腔室的侧壁内置有螺旋通道；所述射频线圈为螺旋形状设计，且结构与所述螺旋通道结构一致；所述射频线圈通过螺旋方式由所述电离腔室的一端安装进入所述螺旋通道；所述射频线圈的两端连接射频线；上述技术方案，通过在电离腔室的侧壁内置螺旋通道，射频线圈被牢固地固定在螺旋通道内，射频使用效率更高；降低了氧化几率，提升射频中和器的使用效果。另外，通过射频中和器控制方法，降低了射频中和器启动和调节过程的操作复杂性，提升了射频中和器的控制效率。
-
公开(公告)号：CN113782408A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111081909.0
申请日：2021-09-15
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/32
摘要： 本申请涉及一种等离子体发射方向控制装置、等离子体源及其启动方法，所述装置包括：应用于等离子体源，所述等离子体源包括：电离腔室、射频线圈以及供气管路；其中，所述电离腔室一侧连接离子发射口；所述控制装置包括：设于在所述离子发射口位置处的阳极，以及连接所述阳极的阳极电源；所述阳极电源向所述阳极提供正极电，驱动所述阳极产生电场，所述等离子体在所述电场的作用下按设定发射角度进行发射；该技术方案，可以控制等离子体的发射角度和覆盖范围，克服了等离子体发射位置固定的缺陷，从而提升了对等离子体发射角度的可控性，等离子体均匀性好，增强了等离子体源的镀膜使用效果。
-
公开(公告)号：CN111834186A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010850672.7
申请日：2020-08-21
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种离子源安装结构和离子源装置，应用于离子源装置上，所述离子源装置包括至少一个霍尔离子源和至少一个中空阴极；所述中空阴极设于距离所述霍尔离子源一设定位置处，为所述霍尔离子源提供中和电子；该安装结构包括：离子源底座、角度调节机构和基座；所述霍尔离子源安装在离子源底座上，所述离子源底座通过角度调节机构安装在基座上，所述离子源底座通过角度调节机构进行转动，以调整霍尔离子源的发射角度。通过本申请的技术方案，可以根据镀膜需求来调整霍尔离子源的角度，从而可以提升离子源覆盖效果，提高使用效率。
-
公开(公告)号：CN111128647A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911423852.0
申请日：2019-12-31
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种磁铁底座，包括一水冷外罩；该水冷外罩两端分别设有上密封环和下密封环；所述上密封环用于连接在霍尔离子源的上盖板，所述下密封环用于连接霍尔离子源的底板；所述水冷外罩内部为中空设计，所述水冷外罩内部的空间内用于安装磁铁；所述水冷外罩在安装磁铁的空间周围布置有水路进行包裹；所述水冷外罩还设有所述水路的进水口和出水口；所述水冷外罩用于隔离外部热辐射传递到内部的磁铁上，并且通过所述水路对所述磁铁进行水冷散热。该方案减少了外部环境热辐射对磁铁的影响，防止了由于热辐射导致磁铁的磁性衰减的风险。另外，本申请还提供了一种霍尔离子源以及磁铁热保护装置，使得阳极的冷却结构更加简单，维护更加方便。
-
公开(公告)号：CN110952066A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911417970.0
申请日：2019-12-31
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种靶材安装结构，包括：主轴、靶材底座以及固定支撑轴，所述靶材底座上设有多个靶材安装座，各个靶材安装座连接螺杆；主轴与靶材底座连接，带动靶材底座旋转；固定支撑轴通过单向逆止结构分别与靶材底座和螺杆的一端连接，螺杆的另一端通过涡轮与靶材安装座连接；主轴往正向旋转时，靶材底座跟随转动，单向逆止结构使得所述螺杆相对于靶材底座静止，螺杆相对于所述固定支撑轴位移，靶材安装座保持静止；主轴往反向旋转时，靶材底座跟随转动，单向逆止结构使得螺杆相对于固定支撑轴位移，螺杆相对于靶材底座位移，螺杆通过涡轮转动靶材安装座。本申请只需通过一个电机即可实现靶材的选择和旋转，且传动机构简单。
-
公开(公告)号：CN111834186B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202010850672.7
申请日：2020-08-21
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种离子源安装结构和离子源装置，应用于离子源装置上，所述离子源装置包括至少一个霍尔离子源和至少一个中空阴极；所述中空阴极设于距离所述霍尔离子源一设定位置处，为所述霍尔离子源提供中和电子；该安装结构包括：离子源底座、角度调节机构和基座；所述霍尔离子源安装在离子源底座上，所述离子源底座通过角度调节机构安装在基座上，所述离子源底座通过角度调节机构进行转动，以调整霍尔离子源的发射角度。通过本申请的技术方案，可以根据镀膜需求来调整霍尔离子源的角度，从而可以提升离子源覆盖效果，提高使用效率。
-
公开(公告)号：CN113764252B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202111081910.3
申请日：2021-09-15
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本申请涉及一种等离子体源及其启动方法，所述等离子体源包括：射频线圈及其对应的第一电离室，至少一个感应线圈及其对应的第二电离室，以及供气管路；其中，感应线圈串接在射频线圈前端，第一电离室与第二电离室串联连接；供气管路导入气体进入第一电离室，由射频线圈进行电离，未电离的气体进入第二电离室，由感应线圈进行二级电离后，输出等离子体；射频线圈产生磁场对进入第一电离室的气体进行电离，同时感应线圈通过感应射频线圈产生的磁场而产生电感，对进入第二电离室的气体进行电离；该技术方案，实现了多级射频电离效果，极大地提高了电离效率，可以在真空低气压下实现稳定的气体电离，增强了真空沉积过程的有效反应。
-
公开(公告)号：CN118213258A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410045231.8
申请日：2024-01-12
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种绝缘气针安装结构、离子源设备及其安装方法与拆卸方法，所述绝缘气针安装结构，通过安装底座以及连接安装底座上的夹持部件，夹持部件置于离子源底板的内侧空间内，通过夹持部件固定绝缘气针，通过安装底座固定到离子源底板的外侧上；在拆卸绝缘气针时，可以从离子源底板的内侧松开夹持部件与绝缘气针之间的连接部件，将绝缘气针从离子源底板的内侧方向上拉出，也可以从离子源底板的外侧松开安装底座与离子源底板之间的连接，将安装底座、夹持部件及绝缘气针从离子源底板外侧方向上整体拉出；该技术方案，降低了离子源设备的拆卸、维修和保养难度，提升了离子源设备的使用效果。
-
公开(公告)号：CN114302549B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111670990.6
申请日：2021-12-31
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本申请涉及一种射频离子源系统及射频离子源控制方法，所述射频离子源系统包括：射频离子源，至少一个与所述射频离子源匹配使用的射频中和器；其中，所述射频离子源的射频控制器与所述射频中和器的阴极控制器通过通信线连接；所述射频控制器用于控制所述射频离子源进行启动和维持运行，并向所述阴极控制器发送射频离子源的控制参数；所述阴极控制器用于根据所述控制参数控制所述射频中和器进行启动和维持运行；上述技术方案，通过射频控制器和阴极控制器即可实现射频中和器跟随射频离子源进行启动和跟着负载的变化而变化，不需要单独设置，全程自动启动和与射频离子源的联机控制，降低了启动和调节过程的操作复杂性，提升了射频中和器的控制效率。
-
公开(公告)号：CN114302548B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111670950.1
申请日：2021-12-31
申请人： 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本申请涉及一种射频电离装置、射频中和器及其控制方法；所述射频电离装置，应用于射频中和器，包括：电离腔室以及射频线圈；所述电离腔室的侧壁内置有螺旋通道；所述射频线圈为螺旋形状设计，且结构与所述螺旋通道结构一致；所述射频线圈通过螺旋方式由所述电离腔室的一端安装进入所述螺旋通道；所述射频线圈的两端连接射频线；上述技术方案，通过在电离腔室的侧壁内置螺旋通道，射频线圈被牢固地固定在螺旋通道内，射频使用效率更高；降低了氧化几率，提升射频中和器的使用效果。另外，通过射频中和器控制方法，降低了射频中和器启动和调节过程的操作复杂性，提升了射频中和器的控制效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
62 条记录 (耗时 0.04 秒)
