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公开(公告)号：CN101546129A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810035093.6
申请日：2008-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 杨晓松
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种采用侧壁角监控曝光装置的方法，侧壁角为曝光装置曝出的晶圆上图案的侧壁角，该方法用于监控曝光装置的聚焦偏移值，先测量待监控的曝光装置不同聚焦偏移值下曝出的晶圆图案侧壁角的大小，再获得侧壁角与曝光装置聚焦偏移值的具体关系式。每次对曝光装置进行监控，只需要测量它完成的曝光制程一定特征尺寸图案的侧壁角，根据具体关系式就可计算监控的曝光装置的聚焦偏移值，判断曝光装置聚焦偏移值是否在阈值范围内，如果不是曝光装置就需要重新校准。侧壁角的测量不受晶圆表面因素的干扰，可准确判断曝光装置的聚焦状态，解决传统监控方法存在的监控精度、稳定性不高的问题。
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公开(公告)号：CN101209449A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610148085.3
申请日：2006-12-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种清洗晶背的方法，其中，该方法包括如下步骤：a.喷洒强氧化剂至晶背表面，将晶背上的污染物变成可溶于水的化合物；b.喷洒水至晶背表面以彻底清洗晶背的污染物。所述强氧化剂为硝酸和氢氟酸的混合溶剂。所述晶背上的污染物为有机化合物。所述晶背上的污染物为金属污染物。与现有技术相比，本发明首先采用强氧化剂将晶背上的污染物变成可溶于水的化合物，再通过喷洒水将晶背表面的污染物彻底地清洗干净。
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公开(公告)号：CN105448804B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201410415009.9
申请日：2014-08-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/027
Abstract: 本申请公开了一种在凹槽中形成光阻图形的方法、沟槽隔离结构及其制作方法。在凹槽中形成光阻图形的方法中，凹槽包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，该方法包括：在凹槽中形成光阻预备层；光刻光阻预备层以去除光阻预备层中靠近第二侧壁的部分，并将剩余光阻预备层作为光阻层；在光阻层的侧壁上形成光阻反应层，光阻反应层由化学微缩材料和光阻层反应形成，光阻反应层和光阻层形成光阻图形。在该方法中，光刻光阻预备层的步骤中照射到凹槽中的光阻预备层上的光强得以增加，致使光更容易照射穿过光阻预备层直到凹槽的底部，进而更容易光刻去除凹槽底部的光阻预备层，减少了凹槽中的光阻残留物。
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公开(公告)号：CN104779178B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201410014457.8
申请日：2014-01-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种底部防反射层(BARC)形成方法，向晶圆中心滴BARC后仅旋转晶圆3～8秒，此过程时间较短BARC还未固化，随后向晶圆边缘滴洗边液，并旋转晶圆13～18秒，使BARC厚度均匀，同时由于洗边时BARC还未固化，可有效的去除晶圆边缘的BARC，以在晶圆表面形成厚度均匀的BARC。
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公开(公告)号：CN106898560A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510960366.8
申请日：2015-12-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆边缘所受冲击力的监测方法。包括提供检测晶圆，并在待测设备中循环传送所述检测晶圆，循环传送过程中所述待测设备的顶针与所述检测晶圆相接触；对所述检测晶圆进行烘烤；对所述检测晶圆进行刻蚀；对所述检测晶圆进行缺陷检测，通过所述检测晶圆上的缺陷分布判断所述待测设备对晶圆边缘的冲击力是否符合标准。本发明还进一步提供了设备调整方法，依据晶圆边缘所受冲击力的监测方法获得的检测结果，对设备进行调整，使得晶圆边缘所受冲击力符合标准。由此，本发明的方法能够直观、定量的展现出待测设备对晶圆边缘产生的冲击力，并且能够有针对性的对待测设备进行调整，使之对晶圆边缘产生的冲击力达到不会影响产品的层次，避免了对良率产生影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106154740A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510149073.1
申请日：2015-03-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种光掩膜的缺陷检测系统及光掩膜的缺陷检测方法。其中，该缺陷检测系统包括：缺陷扫描单元，用于检测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值；缺陷分析单元，用于计算出任意两个或两个以上缺陷之间的坐标值的差值，并将沿同一坐标轴方向上的差值小于擦伤缺陷宽度容忍值的各缺陷作为擦伤缺陷。本申请提供的光掩膜的缺陷检测系统和缺陷检测方法能够提高光掩膜的缺陷检测过程中擦伤缺陷的发现几率。
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公开(公告)号：CN105448804A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410415009.9
申请日：2014-08-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/027
Abstract: 本申请公开了一种在凹槽中形成光阻图形的方法、沟槽隔离结构及其制作方法。在凹槽中形成光阻图形的方法中，凹槽包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，该方法包括：在凹槽中形成光阻预备层；光刻光阻预备层以去除光阻预备层中靠近第二侧壁的部分，并将剩余光阻预备层作为光阻层；在光阻层的侧壁上形成光阻反应层，光阻反应层由化学微缩材料和光阻层反应形成，光阻反应层和光阻层形成光阻图形。在该方法中，光刻光阻预备层的步骤中照射到凹槽中的光阻预备层上的光强得以增加，致使光更容易照射穿过光阻预备层直到凹槽的底部，进而更容易光刻去除凹槽底部的光阻预备层，减少了凹槽中的光阻残留物。
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公开(公告)号：CN104952752A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410123948.6
申请日：2014-03-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明揭示了一种晶圆位置倾斜的侦测方法，用于在判断晶圆在接受烘烤时位置是否正确，包括：放置晶圆于热板上；保持晶圆加热一时间段，实时侦测并记录在这一时间段中热板上的最大温度差；比较在所述时间段中的最大温度差是否超过设定值，若最大温度差小于设定值，则所述晶圆倾斜。本发明的方法快速有效，能够直接的反映出晶圆位置是否正常，从而给制程带来了便利。
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公开(公告)号：CN103832966A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210485213.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B81C1/00 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L23/544 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的形成方法及检测方法中，在形成背面标记后，在晶圆的正面进行两次曝光，获得第一标记和第二标记，则可以通过现有的设备对所述第一标记和第二标记进行检测，从而由第一标记和第二标记的相互关系得知器件的结构情况，避免了手动操作带来的风险，同时由于所述第一标记和第二标记位于同一层面内，读数不精确的问题也得到解决，还能够很大程度上节省人力物力，有利于高效生产。
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公开(公告)号：CN102375342A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010267583.6
申请日：2010-08-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 杨晓松
IPC: G03F7/16 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种光刻胶的涂覆方法，包括：a)提供半导体晶片；b)对所述半导体晶片进行预处理，所述预处理包括向所述半导体晶片的表面涂布有机溶剂；c)在所述半导体晶片的表面涂覆所述光刻胶。根据本发明的方法，可以使随后形成的光刻胶层中几乎不包含气泡，从而避免刻蚀过程中，由于光刻胶的消耗导致刻蚀气体穿过气泡而对半导体晶片造成损伤。
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