一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法

    公开(公告)号:CN113176497B

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202110431434.7

    申请日:2021-04-21

    申请人: 之江实验室

    发明人: 唐伟杰 储涛

    IPC分类号: G01R31/327 G01R31/26

    摘要: 本发明提出了一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法,包括以下步骤:在光交换阵列中选择被测单元和测试单元;输入可以确保通过被测单元和测试单元的光信号;在测试单元上加载反向电压,使得测试单元的PN结或PIN结处于载流子耗尽状态;调节被测单元上的电压,通过观察测试单元上的电流信号,获得被测单元的状态;使用此方法,完成对整个光交换阵列中开关单元的校准;与目前技术相比,本发明使用阵列中已有的电光开关单元,通过加载反向电压使其实现光功率探测的功能,并用于前端开关单元的功率监测;不会增加额外的电学或是光学端口,极大降低了大规模硅基电光集成光开关阵列中开关单元校准以及后续电光封装的难度。

    基于相干传输矩阵法的芯片仿真方法、装置和计算机设备

    公开(公告)号:CN116029091B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202211455400.2

    申请日:2022-11-21

    申请人: 之江实验室

    IPC分类号: G06F30/20 G06F30/18

    摘要: 本申请涉及一种基于相干传输矩阵法的芯片仿真方法、装置和计算机设备,其中,该方法包括:按预设交换网络的拓扑结构设置的开关单元,构建芯片仿真系统;基于光学传输矩阵,对每个开关单元的性能进行仿真分析,得到与每个开关单元对应的性能;根据每个开关单元对应的性能和预设交换网络的拓扑结构,确定芯片仿真系统的性能。通过本申请,解决了存在由于单个芯片性能的差异带来芯片系统不确定性,使得整个芯片系统呈现未知状态的问题,实现了基于开关单元构建芯片仿真系统,仿真分析出各个开关单元对应的性能,进而确定芯片仿真系统的性能,能清晰的了解单个开关的性能在整个芯片仿真系统中的影响。

    芯片堆叠结构的焊接方法及芯片堆叠结构

    公开(公告)号:CN116844981A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310917971.1

    申请日:2023-07-24

    申请人: 之江实验室

    IPC分类号: H01L21/60 H01L23/488

    摘要: 本申请提供一种芯片堆叠结构的焊接方法及芯片堆叠结构。其中,该芯片堆叠结构的焊接方法包括:在芯片的一侧形成第一焊球;令芯片靠近第一焊球的一侧倒装焊接于转接板上;令转接板远离芯片的一侧通过第二焊球倒装焊接于驱动板上;其中,第二焊球包括支撑核以及包覆支撑核的导电支撑壳,支撑核的熔点远大于导电支撑壳和第一焊球的熔点,导电支撑壳的熔点小于第一焊球的熔点。可实现,当导电支撑壳熔化以焊接固定转接板和驱动板之间的同时,可保证支撑核不被熔化以实现对转接板、芯片的有效支撑,避免第二焊球坍塌导致芯片焊盘短路从而影响芯片寿命和封装体系的可靠性。另外该方法可保证后续步骤中的操作不影响前续步骤,可提高焊接的可靠性。

    基于相干传输矩阵法的芯片仿真方法、装置和计算机设备

    公开(公告)号:CN116029091A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202211455400.2

    申请日:2022-11-21

    申请人: 之江实验室

    IPC分类号: G06F30/20 G06F30/18

    摘要: 本申请涉及一种基于相干传输矩阵法的芯片仿真方法、装置和计算机设备,其中,该方法包括:按预设交换网络的拓扑结构设置的开关单元,构建芯片仿真系统;基于光学传输矩阵,对每个开关单元的性能进行仿真分析,得到与每个开关单元对应的性能;根据每个开关单元对应的性能和预设交换网络的拓扑结构,确定芯片仿真系统的性能。通过本申请,解决了存在由于单个芯片性能的差异带来芯片系统不确定性,使得整个芯片系统呈现未知状态的问题,实现了基于开关单元构建芯片仿真系统,仿真分析出各个开关单元对应的性能,进而确定芯片仿真系统的性能,能清晰的了解单个开关的性能在整个芯片仿真系统中的影响。

    一种基于截距法和微环谐振腔的光器件损耗测量方法

    公开(公告)号:CN113203554A

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202110472474.6

    申请日:2021-04-29

    申请人: 之江实验室

    IPC分类号: G01M11/02

    摘要: 本发明提供一种基于截距法和微环谐振腔的光器件损耗测量方法。通过在微环谐振腔阵列中插入不同数目的待测器件,经过光谱测量、参数提取、线性拟合等步骤得到单个待测器件的损耗。该方法相比传统的光损耗截距测量法可以减小芯片面积,提高测量精度。

    一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法

    公开(公告)号:CN113176497A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110431434.7

    申请日:2021-04-21

    申请人: 之江实验室

    发明人: 唐伟杰 储涛

    IPC分类号: G01R31/327 G01R31/26

    摘要: 本发明提出了一种集成光交换芯片中开关单元的校准方法,包括以下步骤:在光交换阵列中选择被测单元和测试单元;输入可以确保通过被测单元和测试单元的光信号;在测试单元上加载反向电压,使得测试单元的PN结或PIN结处于载流子耗尽状态;调节被测单元上的电压,通过观察测试单元上的电流信号,获得被测单元的状态;使用此方法,完成对整个光交换阵列中开关单元的校准;与目前技术相比,本发明使用阵列中已有的电光开关单元,通过加载反向电压使其实现光功率探测的功能,并用于前端开关单元的功率监测;不会增加额外的电学或是光学端口,极大降低了大规模硅基电光集成光开关阵列中开关单元校准以及后续电光封装的难度。

    硅基电光调制器掺杂结构
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113900279B

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202010573470.2

    申请日:2020-06-22

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02F1/017

    摘要: 本发明公开了一种硅基电光调制器掺杂结构,涉及半导体领域,包括:第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域;第一掺杂区域与第二掺杂区域掺杂类型相同,第二掺杂区域与第三掺杂区域掺杂类型相反,第三掺杂区域与第四掺杂区域掺杂类型相同;第二掺杂区域与第三掺杂区域的接触面交错形成周期性结构,通过微波信号的幅度调整周期性结构。由此,提高调制器的调制效率。

    硅基电光调制器掺杂结构
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113900279A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202010573470.2

    申请日:2020-06-22

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02F1/017

    摘要: 本发明公开了一种硅基电光调制器掺杂结构,涉及半导体领域,包括:第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域;第一掺杂区域与第二掺杂区域掺杂类型相同,第二掺杂区域与第三掺杂区域掺杂类型相反,第三掺杂区域与第四掺杂区域掺杂类型相同;第二掺杂区域与第三掺杂区域的接触面交错形成周期性结构,通过微波信号的幅度调整周期性结构。由此,提高调制器的调制效率。

    一种反射式倒装芯片键合机及芯片键合方法

    公开(公告)号:CN110752177A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201910963693.7

    申请日:2019-10-11

    申请人: 浙江大学

    发明人: 唐伟杰 郑翰 储涛

    IPC分类号: H01L21/68 H01L21/50

    摘要: 本发明公开了一种反射式倒装芯片键合机及芯片键合方法,能够提升对准以及键合精度,降低了芯片工艺的复杂度。该反射式倒装芯片键合机,包括:用于安装上芯片的上吸附装置;用于安装下芯片的下吸附装置;设置在下吸附装置上的通孔;红外发光二极管;沿红外发光二极管的红外光光路方向设置的分束器;与分束器的出射光连接并正对通孔设置的物镜;与分束器反射光对接的工业相机;与工业相机连接的显示器。本发明观测装置结构简单,无需在两个芯片间插入其他复杂的光学系统来进行观测,大大降低了制造复杂度和成本,并且,大大降低了误差,提高了键合精度。