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公开(公告)号：CN207525375U
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201721587711.9
申请日：2017-11-24
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 一种磷化铟单晶生长炉，涉及新材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟单晶生长炉，该生长炉包括冷却循环系统、加热保温系统和支撑系统；所述冷却循环系统包括腔体、氮气盖和冷却循环水管，所述的腔体顶端和底端均设置有氮气盖，腔体外侧缠绕有冷却循环水管；所述的加热保温系统包括外壳、保温材料、电阻丝和炉膛，外壳包裹在炉膛外侧，保温材料填充在外壳与炉膛之间，电阻丝缠绕在炉膛外侧；加热保温系统下端设置有支撑系统，加热保温系统通过支撑系统支撑在腔体底端的氮气盖上。本实用新型的一种磷化铟单晶生长针对磷化铟单晶生长特点，结构设计合理，能灵活有效地控制磷化铟生长温度和炉内压强，从而保证磷化铟单晶质量。
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公开(公告)号：CN207582002U
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201721587694.9
申请日：2017-11-24
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，涉及磷化铟单晶材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，该装置包括支撑底座和活动支架，活动支架安装在支撑底座之间；所述的活动支架包括矩形框体、上矩形盖板、下矩形盖板和密封丝杆，矩形框体、上矩形盖板和下矩形盖板中部位置均设置有限位圆孔，矩形框体、上矩形盖板和下矩形盖板的四角均设置有密封圆孔，密封丝杠顶端和底端均设置有螺帽，密封丝杠将下矩形盖板、矩形框体和上矩形盖板连接在一起；所述的支撑底座包括支撑板、矩形板和横拉板。本实用新型一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，设计科学合理，能有效稳固地支撑磷化铟单晶炉体，并在装炉或出炉时，操作方便且省时省力。
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公开(公告)号：CN205765548U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620689709.1
申请日：2016-07-04
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B37/30
摘要： 一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，涉及晶体加工技术领域，尤其是一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，该装置由陶瓷盘、无蜡垫、圆垫、圆形铁盘和圆柱形铁块构成，陶瓷盘表面粘有若干个无蜡垫，无蜡垫内设置圆形凹槽，圆垫放置在无蜡垫的圆形凹槽内，圆形铁盘压在圆垫上，使所有圆垫表面处于同一平面，圆形铁盘表面中央设置有圆柱形铁块。本实用新型的一种改善锗单晶片总厚度变化的装置，设计科学，结构简单，使用方便，能够有效清除无蜡垫与陶瓷盘之间的间隙，让无蜡垫更加牢固、平稳地粘在陶瓷盘表面，进而改善了锗单晶片的总厚度变化，圆垫为聚氯乙烯材料，使用时间长，有利于降低成本。
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公开(公告)号：CN112176398B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011139769.3
申请日：2020-10-22
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法，属于半导体材料技术领域，包括炉体外壁、保温层,保温层内包括生长段和炉芯段，生长段横向设置有数组热电偶，每组的两个热电偶测温点对称设置于坩埚两侧，炉芯段纵向设置有数个热电偶，炉芯段第一热电偶其测温点与籽晶段底部平行，第二热电偶其测温点为坩埚的放肩处，第三热电偶其测温点为坩埚转肩处的中部，第三热电偶为热电偶族，从转肩处中部横向形成一个圆形截面，沿其边缘等分设置不少于6个热点偶，本发明通过晶体生长热电偶的损坏情况和成晶情况合理安装热电偶，使得炉膛的使用寿命增加，减少维修次数，避免了由于单一热电偶损坏造成晶体报废，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN112176397B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202011139757.0
申请日：2020-10-22
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种VGF法生长单晶的循环水温控装置及应用，属于半导体材料技术领域，包括单晶炉、循环水系统，所述循环水系统包括循环水箱、主管道、支路管道，循环水依次经主管道、支路管道至单晶炉，经过单晶炉后再依次经支路管道、主管道流回循环水箱，所述单晶炉进水管道上设置有循环水流量调节阀和温控装置，单晶炉出水管道上设置有测温装置，本发明结构可根据上轮的晶体生长结果对下一轮的温场进行微幅度修正，该发明具有降低生产成本、提高单晶率、弥补温场缺陷等作用。
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公开(公告)号：CN112176398A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011139769.3
申请日：2020-10-22
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种VGF法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法，属于半导体材料技术领域，包括炉体外壁、保温层,保温层内包括生长段和炉芯段，生长段横向设置有数组热电偶，每组的两个热电偶测温点对称设置于坩埚两侧，炉芯段纵向设置有数个热电偶，炉芯段第一热电偶其测温点与籽晶段底部平行，第二热电偶其测温点为坩埚的放肩处，第三热电偶其测温点为坩埚转肩处的中部，第三热电偶为热电偶族，从转肩处中部横向形成一个圆形截面，沿其边缘等分设置不少于6个热点偶，本发明通过晶体生长热电偶的损坏情况和成晶情况合理安装热电偶，使得炉膛的使用寿命增加，减少维修次数，避免了由于单一热电偶损坏造成晶体报废，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN112176397A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011139757.0
申请日：2020-10-22
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及一种VGF法生长单晶的循环水温控装置及应用，属于半导体材料技术领域，包括单晶炉、循环水系统，所述循环水系统包括循环水箱、主管道、支路管道，循环水依次经主管道、支路管道至单晶炉，经过单晶炉后再依次经支路管道、主管道流回循环水箱，所述单晶炉进水管道上设置有循环水流量调节阀和温控装置，单晶炉出水管道上设置有测温装置，本发明结构可根据上轮的晶体生长结果对下一轮的温场进行微幅度修正，该发明具有降低生产成本、提高单晶率、弥补温场缺陷等作用。
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公开(公告)号：CN213507285U
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202022367535.6
申请日：2020-10-22
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本发明涉及一种VGF法生长单晶的单晶炉结构，属于半导体材料技术领域，包括炉体外壁、保温层,保温层内包括生长段和炉芯段，生长段横向设置有数组热电偶，每组的两个热电偶测温点对称设置于坩埚两侧，炉芯段纵向设置有数个热电偶，炉芯段第一热电偶其测温点与籽晶段底部平行，第二热电偶其测温点为坩埚的放肩处，第三热电偶其测温点为坩埚转肩处的中部，第三热电偶为热电偶族，从转肩处中部横向形成一个圆形截面，沿其边缘等分设置不少于6个热点偶，本发明通过晶体生长热电偶的损坏情况和成晶情况合理安装热电偶，使得炉膛的使用寿命增加，减少维修次数，避免了由于单一热电偶损坏造成晶体报废，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN213337008U
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202022169114.2
申请日：2020-09-28
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： G01N1/32
摘要： 本发明涉及一种用于高温条件下腐蚀测试晶片的装置，属于半导体材料技术领域，包括圆柱体腐蚀锅本体和放置在腐蚀锅内的晶片承载装置，所述晶片承载装置包括数层半圆形载片，载片上设置有数个通孔，载片之间使用数根肋条沿载片边缘固定连接，肋条顶部固定连接有和腐蚀锅本体相匹配的盖体，盖体顶部设置有把手，且盖体上设置有开口，开口处设置有活动盖片，采用本实用新型装置，可根据测试量增加腐蚀装置的层数，且每次腐蚀的时间约为5 min左右，即解决了晶片腐蚀不均匀等问题，还挺高了每次腐蚀测试晶片的效率，从长远的角度看，该实用新型具有降低生产成本、物料成本以及提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN213507286U
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202022378186.8
申请日：2020-10-22
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本实用新型涉及一种VGF法生长单晶的循环水温控装置，属于半导体材料技术领域，包括单晶炉、循环水系统，所述循环水系统包括循环水箱、主管道、支路管道，循环水依次经主管道、支路管道至单晶炉，经过单晶炉后再依次经支路管道、主管道流回循环水箱，所述单晶炉进水管道上设置有循环水流量调节阀和温控装置，单晶炉出水管道上设置有测温装置，本实用新型结构可根据上轮的晶体生长结果对下一轮的温场进行微幅度修正，该发明具有降低生产成本、提高单晶率、弥补温场缺陷等作用。
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