公开(公告)号：CN118795721A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410415427.1

申请日：2024-04-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 木下隆裕 ,  小泽良兼

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/44 ,  G03F1/42 ,  G03F1/84

Abstract: 本发明提供一种能够简便地评估基准标记的加工精度(例如深度)的EUV掩膜坯料的评估方法。一种形成于EUV掩膜坯料的基准标记的评估方法，拍摄形成于所述EUV掩膜坯料的基准标记并获取基准标记图像，根据该获取到的基准标记图像获取作为所述基准标记与背景水平的对比度的基准标记对比度，通过该获取到的基准标记对比度评估所述基准标记的加工精度。

公开(公告)号：CN106292180B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201610467574.9

申请日：2016-06-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 寺泽恒男 ,  福田洋 ,  木下隆裕 ,  岩井大祐 ,  横畑敦

IPC: G03F1/84 ,  G01N21/892

Abstract: 本发明涉及光掩模坯的缺陷检查方法、分选方法和制备方法；利用检查用光学系统检查在具有在基底上形成的至少一个薄膜的光掩模坯的表面部分上存在的缺陷的方法。该方法包括设定缺陷和检查用光学系统的物镜之间的距离为离焦量，通过物镜对缺陷施加检查光，通过物镜将来自用检查光照射的区域的反射光作为放大图像聚集，识别放大图像的光强度变化部分，并且基于放大图像的光强度变化部分的光强度上的变化测定缺陷的凹凸形状。

公开(公告)号：CN110618582A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910531526.5

申请日：2019-06-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 木下隆裕

IPC: G03F1/84

Abstract: 技术问题：提供一种光掩膜坯料关联基板的评价方法，在光掩膜坯料关联基板中，能够简便地评价其表面状态(例如，形成于透明基板上的光学膜等的透射率、光学常数以外的膜质)。解决方案：在光掩膜坯料关联基板的评价方法中，拍摄所述光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像，并从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度，并利用该获取的表面图像的对比度来评价所述光掩膜坯料关联基板。

公开(公告)号：CN108362711A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810075523.0

申请日：2018-01-26

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 寺泽恒男 ,  福田洋 ,  横畑敦 ,  木下隆裕 ,  岩井大祐

IPC: G01N21/956

CPC classification number: G01N21/8851 ,  G01N21/8422 ,  G01N21/956 ,  G01N2021/8874 ,  G01N2021/95676 ,  G03F1/84

Abstract: 本发明涉及光掩模坯的缺陷检查方法、分选方法及其制造方法。通过以下方式来检查具有在透明基板上的薄膜的光掩模坯的缺陷：将检查光线照射到光掩模坯的表面区域，经由检查光学系统收集来自照射区域的反射光以形成该区域的放大图像，提取出来自放大图像的光强度分布的特征参数，和基于与薄膜结构相结合的特征参数来识别缺陷的凸起/凹坑形状。该缺陷检查方法对于以高度可靠的方式区分凸起或凹坑形状的缺陷而言是有效的。在应用该缺陷检测方法时，可以以更低的成本和更高的成品率获得没有针孔缺陷的光掩模坯。