公开(公告)号：CN106170832A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201580010862.5

申请日：2015-09-25

申请人： 克劳帕斯科技有限公司

发明人： H·栾 ,  B·贝特曼 ,  V·阿克赛尔拉德 ,  C·程 ,  C·谢瓦利尔

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/411 ,  G11C11/419 ,  G11C11/34 ,  G11C7/12

CPC分类号： H01L27/0623 ,  G11C11/39 ,  G11C11/4113 ,  G11C11/4116 ,  G11C11/416 ,  G11C11/419 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/1025 ,  H01L27/1027 ,  H01L27/11 ,  H01L29/7404 ,  H01L29/7436

摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。