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公开(公告)号：CN106030718A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010678.0
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
摘要： 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了操作该阵列以读取、写入、保持和刷新其中存储的数据的方法。
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公开(公告)号：CN106062878A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011001.9
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C11/419 , G11C11/34 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/416 , G11C11/418 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1027 , H01L27/1104
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同操作方法。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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公开(公告)号：CN106030715A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010761.8
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
摘要： 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了制造该阵列的方法。
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公开(公告)号：CN107358975A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710454983.X
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/39 , H01L27/102
摘要： 本发明涉及闸流晶体管随机存取存储器中的功率减小。本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了减少这种阵列中功耗的方法。
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公开(公告)号：CN106537507A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580011000.4
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C7/12 , G11C11/34 , G11C11/419
CPC分类号： H01L27/0623 , G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/4116 , G11C11/416 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L29/7404 , H01L29/7436
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。
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公开(公告)号：CN106170832A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201580010862.5
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C11/419 , G11C11/34 , G11C7/12
CPC分类号： H01L27/0623 , G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/4116 , G11C11/416 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L29/7404 , H01L29/7436
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。
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公开(公告)号：CN106537507B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201580011000.4
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C7/12 , G11C11/34 , G11C11/419
CPC分类号： H01L27/0623 , G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/4116 , G11C11/416 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L29/7404 , H01L29/7436
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。
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公开(公告)号：CN107039063A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611242776.X
申请日：2016-12-29
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
CPC分类号： G11C11/419 , G11C7/10 , G11C11/39 , G11C11/418 , G11C16/26 , H01L27/1027 , G11C8/16 , G11C7/1075 , G11C7/18 , G11C8/14
摘要： 新存储技术的存取速度可能不兼容现有存储器技术的产品规格，例如DRAM、SRAM和闪存技术。它们的电气参数和表现不同，使得它们在不具有新的架构和设计来克服其限制的情况下不能满足现有的存储器芯规格。新型存储器，例如STT‑MRAM、电阻RAM、相变RAM和被称为垂直层闸流晶体管(VLT)RAM的新一类存储器需要新的读取感测和写入电路，其并入了新的电压或电流电平和时序控制，以使这些存储器技术能够在现今的系统中工作。提供了系统和方法，以用于使这些技术的存储器芯对于现有外围逻辑器件是透明的，以使它们可以容易地被集成。
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