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公开(公告)号：CN106537507B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201580011000.4
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C7/12 , G11C11/34 , G11C11/419
CPC分类号： H01L27/0623 , G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/4116 , G11C11/416 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L29/7404 , H01L29/7436
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。
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公开(公告)号：CN106030716A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580011020.1
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C11/419 , G11C11/34 , G11C7/12
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/39 , G11C11/41 , G11C11/411 , H01L21/8229 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/083 , H01L29/0847 , H01L29/1004 , H01L29/1012 , H01L29/1095 , H01L29/66272 , H01L29/66386 , H01L29/732 , H01L29/742 , H01L29/7455
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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公开(公告)号：CN106030713A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010863.X
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： H01L27/1025 , G11C11/39 , G11C11/41 , G11C11/411 , G11C11/412 , G11C11/419 , H01L21/76229 , H01L21/768 , H01L21/8229 , H01L21/8249 , H01L23/528 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/083 , H01L29/1004 , H01L29/1012 , H01L29/1095 , H01L29/42304 , H01L29/6625 , H01L29/66272 , H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/7436 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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公开(公告)号：CN106030718A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010678.0
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
摘要： 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了操作该阵列以读取、写入、保持和刷新其中存储的数据的方法。
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公开(公告)号：CN106062878A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011001.9
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C11/419 , G11C11/34 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/416 , G11C11/418 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1027 , H01L27/1104
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同操作方法。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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公开(公告)号：CN106030715A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010761.8
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
摘要： 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了制造该阵列的方法。
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公开(公告)号：CN107358975A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710454983.X
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/39 , H01L27/102
摘要： 本发明涉及闸流晶体管随机存取存储器中的功率减小。本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了减少这种阵列中功耗的方法。
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公开(公告)号：CN106537507A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580011000.4
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C7/12 , G11C11/34 , G11C11/419
CPC分类号： H01L27/0623 , G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/4116 , G11C11/416 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L29/7404 , H01L29/7436
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。
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