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公开(公告)号：CN114733270B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202210565094.1
申请日：2022-05-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备，涉及半导体工艺设备技术领域，反流冷凝水分离装置用于半导体工艺设备的气体排放系统，气体排放系统包括排气管线，排气管线上设置有控压阀组，反流冷凝水分离装置包括：装置本体，装置本体的内部设置有第一通道、第二通道和第三通道，第一通道的下端开放并形成进气口，进气口用于与控压阀组的出口端连接，第一通道的上端通过向下倾斜的第三通道与第二通道连接，第二通道的上端开放并形成出气口；单向排液结构，单向排液结构的一端与第二通道的下端连接，单向排液结构的另一端形成排液口；该反流冷凝水分离装置设置在气体排放系统的控压阀组的出口端，能够防止反流的冷凝水进入控压阀组。
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公开(公告)号：CN113760020B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111130233.X
申请日：2021-09-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： G05D27/02
摘要： 本发明提供一种半导体设备的压力控制装置及半导体设备，压力控制装置用于控制半导体设备的工艺腔室的压力，压力控制装置的冷凝组件连接工艺腔室的排气口，用于冷凝工艺腔室排出的气体；气液分离部件连通冷凝组件，并用于连通厂务排气管路，且用于通过集液部件连通厂务排液管路；压力检测组件用于检测气液分离部件内气体的压力；集液部件中的液体用于平衡厂务排气管路的负压；溢流管伸入集液部件内，用于排出集液部件内超过预设液位的液体；补液组件连通集液部件，用于向集液部件输送补充液体使集液部件的液位达到预设液位。本发明提供的半导体设备的压力控制装置及半导体设备能够提高工艺腔室的压力的稳定性和可靠性，从而改善半导体工艺结果。
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公开(公告)号：CN114733270A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210565094.1
申请日：2022-05-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备，涉及半导体工艺设备技术领域，反流冷凝水分离装置用于半导体工艺设备的气体排放系统，气体排放系统包括排气管线，排气管线上设置有控压阀组，反流冷凝水分离装置包括：装置本体，装置本体的内部设置有第一通道、第二通道和第三通道，第一通道的下端开放并形成进气口，进气口用于与控压阀组的出口端连接，第一通道的上端通过向下倾斜的第三通道与第二通道连接，第二通道的上端开放并形成出气口；单向排液结构，单向排液结构的一端与第二通道的下端连接，单向排液结构的另一端形成排液口；该反流冷凝水分离装置设置在气体排放系统的控压阀组的出口端，能够防止反流的冷凝水进入控压阀组。
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公开(公告)号：CN114300386A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111553963.0
申请日：2021-12-17
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 一种反应腔室尾气压力控制装置及半导体工艺设备，包括依次连接于反应腔室的排气口的第一冷凝组件、横向连接块、第一排气管、自动控压阀、第二排气管以及设于横向连接块的下方，且与第一排气管连通的水盒，自动控压阀与横向连接块还设有压力检测管，还包括温控组件和排水管，其中：温控组件用于将第一排气管和第二排气管维持在预设温度范围内，以使进出自动控压阀的尾气温度稳定；第二排气管通过排水管与水盒连接，且用于与厂务排气管连接。本发明实施例，通过温控组件使进出自动控压阀的尾气温度稳定，从而避免自动控压阀的上游和下游的温度变化导致自动控压阀内部的尾气的体积发生变化，影响控压效果。
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公开(公告)号：CN113091055B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202110292130.7
申请日：2021-03-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种点火装置和半导体设备，所述点火装置，包括：点火腔室；第一进气管，具有第一出气口，与所述点火腔室连通，用于向点火腔室内通入第一气体；第二进气管，具有第二出气口，与所述点火腔室连通，用于向所述点火腔室内通入第二气体，所述第一出气口与所述第二出气口相对设置，使得通入所述点火腔室内的第一气体和第二气体形成对冲气流；加热器，所述加热器的加热元件至少围绕所述第一进气管和所述第二进气管靠近所述点火腔室一端的部分长度的外壁设置，用于将通入点火腔室内的第一气体和第二气体加热至点火温度；排气管，用于将所述点火腔室内点火产生的反应气体输送至反应腔室。所述点火腔室能够满足宽流量范围点火需求。
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公开(公告)号：CN114975190A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210747418.3
申请日：2022-06-29
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备和压力控制方法，属于半导体工艺技术领域。所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、气液分离器、控压阀门和辅助控压装置，工艺腔室的排气口通过第一排气管与气液分离器的进气口相连通，气液分离器的出气口通过第二排气管与控压阀门相连通，控压阀门通过压力采集管与气液分离器的压力采集口相连通，控压阀门用于初步调节排气口处的压力；辅助控压装置设置于第一排气管，辅助控压装置用于二次调节排气口处的压力。上述方案能够解决相关技术涉及的半导体工艺设备存在控压灵敏度及精度较低的问题。
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公开(公告)号：CN113091055A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110292130.7
申请日：2021-03-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种点火装置和半导体设备，所述点火装置，包括：点火腔室；第一进气管，具有第一出气口，与所述点火腔室连通，用于向点火腔室内通入第一气体；第二进气管，具有第二出气口，与所述点火腔室连通，用于向所述点火腔室内通入第二气体，所述第一出气口与所述第二出气口相对设置，使得通入所述点火腔室内的第一气体和第二气体形成对冲气流；加热器，所述加热器的加热元件至少围绕所述第一进气管和所述第二进气管靠近所述点火腔室一端的部分长度的外壁设置，用于将通入点火腔室内的第一气体和第二气体加热至点火温度；排气管，用于将所述点火腔室内点火产生的反应气体输送至反应腔室。所述点火腔室能够满足宽流量范围点火需求。
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公开(公告)号：CN114963173B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210480022.7
申请日：2022-05-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种点火装置和半导体设备，点火装置包括燃烧机构、管路机构、冷却机构和加热机构，冷却机构包裹于燃烧机构的至少一部分之外，管路机构的一端端部与燃烧机构连接，且管路机构的一端端部的至少一部分嵌设于加热机构中；管路机构包括第一管路、第二管路和第三管路，第一管路和第二管路的第一端均与氧气气源连通，二者的第二端均与燃烧机构的燃烧腔的第一端连通，第三管路的第一端与可燃气气源连通，第二端与燃烧腔的第一端连通，燃烧腔的第二端与半导体工艺腔室连通；第三管路环绕设置于第一管路之外，第二管路环绕设置于第三管路之外。在将氢气等可燃气气体输送至上述点火装置中进行燃烧时，可燃气的扩散效果相对较好，燃烧较为彻底。
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公开(公告)号：CN117912983A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211278183.4
申请日：2022-10-19
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/316
摘要： 本发明提供一种半导体热处理设备气路系统及半导体热处理设备，包括进气模块和排气模块，排气模块中，尾气冷凝装置用于对工艺腔室排出的尾气进行冷凝；尾气冷凝装置的进气端用于与工艺腔室的排气口连接，排水端用于排出冷凝尾气产生的冷凝水；排气端与压力缓冲装置的进气端连接，用于向压力缓冲装置排出冷凝后的尾气；压力缓冲装置的出气端用于与厂务排气系统连接，压力缓冲装置用于根据厂务排气系统的压力变化，调节流经的尾气流量，以将厂务排气系统的压力变化控制在预设压力范围内；压力缓冲装置还通过排水管路排出压力缓冲装置中产生的冷凝水。本发明的方案，可以避免厂务端压力波动、冷凝水倒灌对控压精度和稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN117080116A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311013258.0
申请日：2023-08-11
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备及其排气系统，属于半导体技术领域。半导体工艺设备的排气系统包括第一真空管路、第二真空管路、真空比例阀和第一压力检测装置，第一真空管路的进口端用于连通反应腔室，第一压力检测装置设置于第一真空管路，以检测第一真空管路的压力值，真空比例阀设置于第一真空管路的出口端和第二真空管路的进口端之间，第二真空管路的出口端与真空泵连接，真空比例阀的开度可根据第一压力检测装置检测的压力值调节。如此，在真空泵的抽吸作用下，依靠真空比例阀可以使反应腔室的气压稳定地维持在高真空状态，进而通过氢气和氧气生成高活性的自由基，能够快速生成致密性和工艺均匀性较强的氧化膜，提升工艺效果。
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