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公开(公告)号：CN116190279A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310269649.2
申请日：2023-03-15
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种尾气排放装置及半导体热处理设备，涉及半导体技术领域。该尾气排放装置包括排放气路、氧气检测气路和吹扫气路，其中，排放气路用于排放尾气；氧气检测气路并联连通于排放气路，氧气检测气路的进气端连通于排放气路的第一位置、出气端连通于排放气路的第二位置，且第二位置位于第一位置的下游；吹扫气路的出气端连通于氧气检测气路中进气气路的入口段。该半导体热处理设备包括反应腔室和上述尾气排放装置，尾气排放装置与反应腔室连接。该尾气排放装置能够严格控制反应腔室内的氧含量，并确保氧气检测气路的正常使用，从而确保半导体热处理设备对晶圆的退火效果及加工品质。
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公开(公告)号：CN115172232A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211014377.3
申请日：2022-08-23
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/673
摘要： 本发明公开一种晶舟和半导体工艺设备，所公开的晶舟包括顶板、底板和多组承载柱，每组所述承载柱包括至少一个所述承载柱，所述承载柱用于承载晶圆，所述承载柱用于与所述顶板和所述底板可拆卸相连；在所述多组承载柱中的一组所述承载柱的两个端部与相应的所述顶板和所述底板相连的情况下，所述顶板、所述底板和所述承载柱围成容纳晶圆的容纳空间，其他组所述承载柱均与所述顶板和所述底板分离。上述方案可以解决相关技术中由于不同的工艺条件需要不同的晶舟而存在晶舟数量较多而导致占用空间大的问题。
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公开(公告)号：CN114963173A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210480022.7
申请日：2022-05-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种点火装置和半导体设备，点火装置包括燃烧机构、管路机构、冷却机构和加热机构，冷却机构包裹于燃烧机构的至少一部分之外，管路机构的一端端部与燃烧机构连接，且管路机构的一端端部的至少一部分嵌设于加热机构中；管路机构包括第一管路、第二管路和第三管路，第一管路和第二管路的第一端均与氧气气源连通，二者的第二端均与燃烧机构的燃烧腔的第一端连通，第三管路的第一端与可燃气气源连通，第二端与燃烧腔的第一端连通，燃烧腔的第二端与半导体工艺腔室连通；第三管路环绕设置于第一管路之外，第二管路环绕设置于第三管路之外。在将氢气等可燃气气体输送至上述点火装置中进行燃烧时，可燃气的扩散效果相对较好，燃烧较为彻底。
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公开(公告)号：CN114267615A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111581437.5
申请日：2021-12-22
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其排气系统。该排气系统包括：切换装置、第一控压机构及第二控压机构；切换装置与工艺腔室连接，并且与第一控压机构及第二控压机构连接；第一控压机构的第一控压管路与切换装置连接，用于对工艺腔室排气；第一控制器设置于第一控压管路上，用于在第一控压管路排气时控制工艺腔室保持在第一压力；第二控压机构的第二控压管路与切换装置连接，用于对工艺腔室排气；第二控制器设置于第二控压管路上，用于在第二控压管路排气时控制工艺腔室保持在第二压力，并且第二压力大于第一压力。本申请实施例使得工艺腔室能够至少保持在两种压力状态下，从而提高了本申请实施例适用性及适用范围。
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公开(公告)号：CN113760020A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111130233.X
申请日：2021-09-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： G05D27/02
摘要： 本发明提供一种半导体设备的压力控制装置及半导体设备，压力控制装置用于控制半导体设备的工艺腔室的压力，压力控制装置的冷凝组件连接工艺腔室的排气口，用于冷凝工艺腔室排出的气体；气液分离部件连通冷凝组件，并用于连通厂务排气管路，且用于通过集液部件连通厂务排液管路；压力检测组件用于检测气液分离部件内气体的压力；集液部件中的液体用于平衡厂务排气管路的负压；溢流管伸入集液部件内，用于排出集液部件内超过预设液位的液体；补液组件连通集液部件，用于向集液部件输送补充液体使集液部件的液位达到预设液位。本发明提供的半导体设备的压力控制装置及半导体设备能够提高工艺腔室的压力的稳定性和可靠性，从而改善半导体工艺结果。
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公开(公告)号：CN114216350A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111556246.3
申请日：2021-12-17
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体工艺设备用排水装置和半导体工艺设备，包括集水盒和排水机构，其中：排水机构包括缸体、活塞、第一单向阀和第二单向阀，活塞滑动地设于缸体内，活塞与缸体可形成暂存空间，集水盒通过进水管与暂存空间连通，第一单向阀设于进水管，缸体设有排水管，第二单向阀设于排水管；在活塞沿第一方向移动的情况下，第一单向阀打开，第二单向阀关闭；在活塞沿第二方向移动的情况下，活塞挤压暂存空间，以通过暂存空间内的水驱使第一单向阀关闭，第二单向阀打开，第一方向和第二方向相反。上述方案可以解决集水盒在排水时，集水盒内的压力存在不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN113908581A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111160284.7
申请日：2021-09-30
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体设备及其排液装置，排液装置能够与半导体设备的工艺腔室连通且用于排出半导体工艺中产生的液体，排液装置包括第一排液部件和第二排液部件，第一排液部件和第二排液部件分别与工艺腔室可选择的通断，并分别与大气可选择的通断，且分别可选择的进行排液或储液；第一排液部件和第二排液部件中的一个用于在另一个与工艺腔室断开时，与工艺腔室连通，并与大气断开进行储液，以及在其需要排液时与工艺腔室断开，并与大气连通进行排液。本发明提供的半导体设备及其排液装置，能够避免排液部件中的液体被倒吸入至工艺腔室内，从而能够提高半导体设备的使用稳定性及生产效率。
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公开(公告)号：CN112864054A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110106675.4
申请日：2021-01-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种半导体加工设备，所公开的半导体加工设备包括反应腔室(100)、冷凝器(200)、转接部(300)和水盒(400)，所述反应腔室(100)、所述冷凝器(200)、所述转接部(300)和所述水盒(400)依次连通，所述冷凝器(200)包括管体(210)和设置在所述管体(210)内的螺旋阻尼片(220)，所述螺旋阻尼片(220)具有朝向所述管体(210)的进气端口的螺旋面，所述螺旋面与所述管体(210)的轴线方向之间的夹角(A)小于90°。上述方案能够解决由于半导体工艺设备对压力变化无法较为快速做出响应而导致工艺效果不理想的问题。
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公开(公告)号：CN112864054B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110106675.4
申请日：2021-01-26
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种半导体加工设备，所公开的半导体加工设备包括反应腔室(100)、冷凝器(200)、转接部(300)和水盒(400)，所述反应腔室(100)、所述冷凝器(200)、所述转接部(300)和所述水盒(400)依次连通，所述冷凝器(200)包括管体(210)和设置在所述管体(210)内的螺旋阻尼片(220)，所述螺旋阻尼片(220)具有朝向所述管体(210)的进气端口的螺旋面，所述螺旋面与所述管体(210)的轴线方向之间的夹角(A)小于90°。上述方案能够解决由于半导体工艺设备对压力变化无法较为快速做出响应而导致工艺效果不理想的问题。
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公开(公告)号：CN114963234B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210747806.1
申请日：2022-06-29
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： F23Q7/10
摘要： 本申请公开了一种半导体工艺设备的点火装置及半导体工艺设备，点火装置包括点火腔室、进气过渡管、调节气体进气管和封堵机构，调节气体进气管用于通入调节气体，进气过渡管的进气端与点火腔室的排气口相连通，调节气体进气管与进气过渡管相连，封堵机构至少部分设置于进气过渡管内，封堵机构为可调式封堵机构，所述封堵机构用于使所述调节气体进气管与所述进气过渡管连通或隔断。该方案能够解决进气过渡管内的高温水蒸气进入调节气体进气管后所凝结的冷凝水被吹入反应腔室而导致颗粒超标的问题。
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