尾气排放装置及半导体热处理设备

    公开(公告)号:CN116190279A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310269649.2

    申请日:2023-03-15

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本发明提供一种尾气排放装置及半导体热处理设备,涉及半导体技术领域。该尾气排放装置包括排放气路、氧气检测气路和吹扫气路,其中,排放气路用于排放尾气;氧气检测气路并联连通于排放气路,氧气检测气路的进气端连通于排放气路的第一位置、出气端连通于排放气路的第二位置,且第二位置位于第一位置的下游;吹扫气路的出气端连通于氧气检测气路中进气气路的入口段。该半导体热处理设备包括反应腔室和上述尾气排放装置,尾气排放装置与反应腔室连接。该尾气排放装置能够严格控制反应腔室内的氧含量,并确保氧气检测气路的正常使用,从而确保半导体热处理设备对晶圆的退火效果及加工品质。

    半导体加工设备
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113053785B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202110232610.4

    申请日:2021-03-02

    IPC分类号: H01L21/67

    摘要: 本申请公开一种半导体加工设备,包括反应腔室以及门组件,门组件设置于反应腔室的设有排气口的一端,反应腔室上设有用于阻碍工艺气体泄露的密封腔,密封腔通过引入惰性气体,以使密封腔内的气体压力大于反应腔室内的气体压力;排气口用于排出反应腔室中通入的工艺气体以及密封腔内的惰性气体。本申请不仅能够阻止工艺气体(例如HCl气体)从反应腔室内逸出而腐蚀设备,还能够避免外部气体或金属颗粒等进入反应腔室内,且密封性能不受高温影响而下降。

    一种用于立式炉的炉门控制装置和立式炉

    公开(公告)号:CN111637738B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202010505142.9

    申请日:2020-06-05

    发明人: 光耀华

    IPC分类号: F27B1/10 F27D1/18

    摘要: 本发明提供一种用于立式炉的炉门控制装置,包括升降组件和旋转组件,升降组件用于驱动炉门沿第一方向运动;旋转组件包括气缸、驱动配合机构和限位机构,旋转组件用于通过气缸驱动炉门沿第二方向旋转,且旋转组件在驱动炉门沿第二方向旋转的过程中,将气缸的伸缩运动转换为驱动配合机构的机械运动,以使驱动配合机构带动炉门沿第二方向旋转,限位机构用于在炉门处在炉门关闭位置时,保持驱动配合机构的位置不变,其中,第一方向与第二方向垂直用于立式炉的炉门控制装置。在本发明提供的用于立式炉的炉门控制装置能够消除炉门意外打开的隐患,提高立式炉的安全性。本发明还提供一种立式炉。

    一种用于立式炉的炉门控制装置和立式炉

    公开(公告)号:CN111637738A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010505142.9

    申请日:2020-06-05

    发明人: 光耀华

    IPC分类号: F27B1/10 F27D1/18

    摘要: 本发明提供一种用于立式炉的炉门控制装置,包括升降组件和旋转组件,升降组件用于驱动炉门沿第一方向运动;旋转组件包括气缸、驱动配合机构和限位机构,旋转组件用于通过气缸驱动炉门沿第二方向旋转,且旋转组件在驱动炉门沿第二方向旋转的过程中,将气缸的伸缩运动转换为驱动配合机构的机械运动,以使驱动配合机构带动炉门沿第二方向旋转,限位机构用于在炉门处在炉门关闭位置时,保持驱动配合机构的位置不变,其中,第一方向与第二方向垂直用于立式炉的炉门控制装置。在本发明提供的用于立式炉的炉门控制装置能够消除炉门意外打开的隐患,提高立式炉的安全性。本发明还提供一种立式炉。

    一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN114733270B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202210565094.1

    申请日:2022-05-23

    IPC分类号: B01D45/06 B01D53/00 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备,涉及半导体工艺设备技术领域,反流冷凝水分离装置用于半导体工艺设备的气体排放系统,气体排放系统包括排气管线,排气管线上设置有控压阀组,反流冷凝水分离装置包括:装置本体,装置本体的内部设置有第一通道、第二通道和第三通道,第一通道的下端开放并形成进气口,进气口用于与控压阀组的出口端连接,第一通道的上端通过向下倾斜的第三通道与第二通道连接,第二通道的上端开放并形成出气口;单向排液结构,单向排液结构的一端与第二通道的下端连接,单向排液结构的另一端形成排液口;该反流冷凝水分离装置设置在气体排放系统的控压阀组的出口端,能够防止反流的冷凝水进入控压阀组。

    排气组件、半导体工艺设备和晶圆冷却控制方法

    公开(公告)号:CN113739500B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202111033004.6

    申请日:2021-09-03

    发明人: 光耀华

    摘要: 本发明提供一种排气组件,包括壳体、导气盒、阀板、第一驱动机构和第二驱动机构,导气盒设置在壳体内部的排气腔中;排气腔上形成有第一进气口和第一排气口,第一驱动机构用于驱动导气盒选择性地封闭第一进气口;导气盒上形成有第二进气口和第二排气口,且第二进气口形成在导气盒用于封闭第一进气口的表面上,且第二进气口位于第一进气口的投影内,第二驱动机构用于驱动阀板选择性地封闭第二进气口。在本发明中,控氧降温工艺和非控氧降温工艺所需的排气结构集成为同一排气组件,使冷却腔可以通过同一出气口实现控氧降温工艺和非控氧降温工艺中的排气功能,提高了排气结构的集成度。本发明还提供一种半导体工艺设备和一种晶圆冷却控制方法。

    一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN114733270A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210565094.1

    申请日:2022-05-23

    IPC分类号: B01D45/06 B01D53/00 H01L21/67

    摘要: 本发明公开了一种反流冷凝水分离装置及半导体工艺设备,涉及半导体工艺设备技术领域,反流冷凝水分离装置用于半导体工艺设备的气体排放系统,气体排放系统包括排气管线,排气管线上设置有控压阀组,反流冷凝水分离装置包括:装置本体,装置本体的内部设置有第一通道、第二通道和第三通道,第一通道的下端开放并形成进气口,进气口用于与控压阀组的出口端连接,第一通道的上端通过向下倾斜的第三通道与第二通道连接,第二通道的上端开放并形成出气口;单向排液结构,单向排液结构的一端与第二通道的下端连接,单向排液结构的另一端形成排液口;该反流冷凝水分离装置设置在气体排放系统的控压阀组的出口端,能够防止反流的冷凝水进入控压阀组。

    温度调节装置和半导体加工设备

    公开(公告)号:CN112833662B

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202110068502.8

    申请日:2021-01-19

    发明人: 光耀华 孙晋博

    摘要: 本发明实施例提供一种温度调节装置和半导体加工设备,该温度调节装置包括第一流体输送结构、第二流体输送结构和短路节流结构,其中,第一流体输送结构用于输送来自液源的调温流体,以调节半导体加工设备中的指定部件的温度;第二流体输送结构用于将来自液源的调温流体直接输送回液源;短路节流结构包括设置在指定部件中的流体分配通道,和设置在流体分配通道中的节流部件,该节流部件用于根据指定部件的实时温度,调节流体分配通道的流体通过面积,以将流入第二流体输送结构和第一流体输送结构的流体流量进行分配。本发明实施例提供的温度调节装置,可以避免指定部件产生温度的瞬间升降温突变,从而可以避免指定部件产生应力损伤。

    温度调节装置和半导体加工设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112833662A

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN202110068502.8

    申请日:2021-01-19

    发明人: 光耀华 孙晋博

    摘要: 本发明实施例提供一种温度调节装置和半导体加工设备,该温度调节装置包括第一流体输送结构、第二流体输送结构和短路节流结构,其中,第一流体输送结构用于输送来自液源的调温流体,以调节半导体加工设备中的指定部件的温度;第二流体输送结构用于将来自液源的调温流体直接输送回液源;短路节流结构包括设置在指定部件中的流体分配通道,和设置在流体分配通道中的节流部件,该节流部件用于根据指定部件的实时温度,调节流体分配通道的流体通过面积,以将流入第二流体输送结构和第一流体输送结构的流体流量进行分配。本发明实施例提供的温度调节装置,可以避免指定部件产生温度的瞬间升降温突变,从而可以避免指定部件产生应力损伤。

    压力控制装置及半导体加工设备

    公开(公告)号:CN112359423A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN202011134336.9

    申请日:2020-10-21

    IPC分类号: C30B33/02 C30B29/06 H01L21/67

    摘要: 本发明实施例提供一种压力控制装置及半导体加工设备,该装置包括压力采样部件和气体输送结构,压力采样部件中设置有气体通道,气体通道的两端分别与工艺腔室的排气口和排气装置连接,且气体通道包括变径通道段,变径通道段的内径沿气体流通方向逐渐变化;气体输送结构包括第一管路,第一管路与压力采样部件可移动的连接,用于使第一管路的出气端移动至变径通道段内在轴向上的不同位置处,并沿第一方向输出调压气体,用于调节工艺腔室的负压;其中,第一方向与变径通道段的气体输送方向相同。本发明实施例提供的压力控制装置及半导体加工设备的技术方案,不仅具有较高的响应速度,而且还可以有效防止厂务端气体倒灌发生,并可以延长管路寿命。