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公开(公告)号：CN114963173B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210480022.7
申请日：2022-05-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种点火装置和半导体设备，点火装置包括燃烧机构、管路机构、冷却机构和加热机构，冷却机构包裹于燃烧机构的至少一部分之外，管路机构的一端端部与燃烧机构连接，且管路机构的一端端部的至少一部分嵌设于加热机构中；管路机构包括第一管路、第二管路和第三管路，第一管路和第二管路的第一端均与氧气气源连通，二者的第二端均与燃烧机构的燃烧腔的第一端连通，第三管路的第一端与可燃气气源连通，第二端与燃烧腔的第一端连通，燃烧腔的第二端与半导体工艺腔室连通；第三管路环绕设置于第一管路之外，第二管路环绕设置于第三管路之外。在将氢气等可燃气气体输送至上述点火装置中进行燃烧时，可燃气的扩散效果相对较好，燃烧较为彻底。
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公开(公告)号：CN117080116A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311013258.0
申请日：2023-08-11
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备及其排气系统，属于半导体技术领域。半导体工艺设备的排气系统包括第一真空管路、第二真空管路、真空比例阀和第一压力检测装置，第一真空管路的进口端用于连通反应腔室，第一压力检测装置设置于第一真空管路，以检测第一真空管路的压力值，真空比例阀设置于第一真空管路的出口端和第二真空管路的进口端之间，第二真空管路的出口端与真空泵连接，真空比例阀的开度可根据第一压力检测装置检测的压力值调节。如此，在真空泵的抽吸作用下，依靠真空比例阀可以使反应腔室的气压稳定地维持在高真空状态，进而通过氢气和氧气生成高活性的自由基，能够快速生成致密性和工艺均匀性较强的氧化膜，提升工艺效果。
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公开(公告)号：CN114963234A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210747806.1
申请日：2022-06-29
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： F23Q7/10
摘要： 本申请公开了一种半导体工艺设备的点火装置及半导体工艺设备，点火装置包括点火腔室、进气过渡管、调节气体进气管和封堵机构，调节气体进气管用于通入调节气体，进气过渡管的进气端与点火腔室的排气口相连通，调节气体进气管与进气过渡管相连，封堵机构至少部分设置于进气过渡管内，封堵机构为可调式封堵机构，所述封堵机构用于使所述调节气体进气管与所述进气过渡管连通或隔断。该方案能够解决进气过渡管内的高温水蒸气进入调节气体进气管后所凝结的冷凝水被吹入反应腔室而导致颗粒超标的问题。
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公开(公告)号：CN116190279A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310269649.2
申请日：2023-03-15
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种尾气排放装置及半导体热处理设备，涉及半导体技术领域。该尾气排放装置包括排放气路、氧气检测气路和吹扫气路，其中，排放气路用于排放尾气；氧气检测气路并联连通于排放气路，氧气检测气路的进气端连通于排放气路的第一位置、出气端连通于排放气路的第二位置，且第二位置位于第一位置的下游；吹扫气路的出气端连通于氧气检测气路中进气气路的入口段。该半导体热处理设备包括反应腔室和上述尾气排放装置，尾气排放装置与反应腔室连接。该尾气排放装置能够严格控制反应腔室内的氧含量，并确保氧气检测气路的正常使用，从而确保半导体热处理设备对晶圆的退火效果及加工品质。
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公开(公告)号：CN114963173A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210480022.7
申请日：2022-05-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种点火装置和半导体设备，点火装置包括燃烧机构、管路机构、冷却机构和加热机构，冷却机构包裹于燃烧机构的至少一部分之外，管路机构的一端端部与燃烧机构连接，且管路机构的一端端部的至少一部分嵌设于加热机构中；管路机构包括第一管路、第二管路和第三管路，第一管路和第二管路的第一端均与氧气气源连通，二者的第二端均与燃烧机构的燃烧腔的第一端连通，第三管路的第一端与可燃气气源连通，第二端与燃烧腔的第一端连通，燃烧腔的第二端与半导体工艺腔室连通；第三管路环绕设置于第一管路之外，第二管路环绕设置于第三管路之外。在将氢气等可燃气气体输送至上述点火装置中进行燃烧时，可燃气的扩散效果相对较好，燃烧较为彻底。
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公开(公告)号：CN114267615A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111581437.5
申请日：2021-12-22
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其排气系统。该排气系统包括：切换装置、第一控压机构及第二控压机构；切换装置与工艺腔室连接，并且与第一控压机构及第二控压机构连接；第一控压机构的第一控压管路与切换装置连接，用于对工艺腔室排气；第一控制器设置于第一控压管路上，用于在第一控压管路排气时控制工艺腔室保持在第一压力；第二控压机构的第二控压管路与切换装置连接，用于对工艺腔室排气；第二控制器设置于第二控压管路上，用于在第二控压管路排气时控制工艺腔室保持在第二压力，并且第二压力大于第一压力。本申请实施例使得工艺腔室能够至少保持在两种压力状态下，从而提高了本申请实施例适用性及适用范围。
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公开(公告)号：CN111076213B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201911098931.9
申请日：2019-11-12
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开一种立式点火装置及热处理设备；所公开的立式点火装置包括定位调节机构和点火机构；定位调节机构包括底座、第一滑动座、第二滑动座、升降组件和安装座；点火机构竖直设置于安装座上、并可通过定位调节机构移动调节空间位置；第一滑动座滑动设置于底座上，第二滑动座滑动设置于第一滑动座上，升降组件设置于第二滑动座上，第一滑动座的滑动调节方向、第二滑动座的滑动调节方向和升降组件的升降调节方向之间两两相交，且升降组件的升降调节方向与第一滑动座和第二滑动座的滑动调节方向异面；安装座与升降组件连接。上述方案能解决目前热处理设备因点火装置采用卧式固定设置结构而影响热处理设备的工艺效果以及连接密封性的问题。
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公开(公告)号：CN113091055B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202110292130.7
申请日：2021-03-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本申请公开一种点火装置和半导体设备，所述点火装置，包括：点火腔室；第一进气管，具有第一出气口，与所述点火腔室连通，用于向点火腔室内通入第一气体；第二进气管，具有第二出气口，与所述点火腔室连通，用于向所述点火腔室内通入第二气体，所述第一出气口与所述第二出气口相对设置，使得通入所述点火腔室内的第一气体和第二气体形成对冲气流；加热器，所述加热器的加热元件至少围绕所述第一进气管和所述第二进气管靠近所述点火腔室一端的部分长度的外壁设置，用于将通入点火腔室内的第一气体和第二气体加热至点火温度；排气管，用于将所述点火腔室内点火产生的反应气体输送至反应腔室。所述点火腔室能够满足宽流量范围点火需求。
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公开(公告)号：CN112359423B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011134336.9
申请日：2020-10-21
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种压力控制装置及半导体加工设备，该装置包括压力采样部件和气体输送结构，压力采样部件中设置有气体通道，气体通道的两端分别与工艺腔室的排气口和排气装置连接，且气体通道包括变径通道段，变径通道段的内径沿气体流通方向逐渐变化；气体输送结构包括第一管路，第一管路与压力采样部件可移动的连接，用于使第一管路的出气端移动至变径通道段内在轴向上的不同位置处，并沿第一方向输出调压气体，用于调节工艺腔室的负压；其中，第一方向与变径通道段的气体输送方向相同。本发明实施例提供的压力控制装置及半导体加工设备的技术方案，不仅具有较高的响应速度，而且还可以有效防止厂务端气体倒灌发生，并可以延长管路寿命。
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公开(公告)号：CN114975190A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210747418.3
申请日：2022-06-29
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备和压力控制方法，属于半导体工艺技术领域。所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、气液分离器、控压阀门和辅助控压装置，工艺腔室的排气口通过第一排气管与气液分离器的进气口相连通，气液分离器的出气口通过第二排气管与控压阀门相连通，控压阀门通过压力采集管与气液分离器的压力采集口相连通，控压阀门用于初步调节排气口处的压力；辅助控压装置设置于第一排气管，辅助控压装置用于二次调节排气口处的压力。上述方案能够解决相关技术涉及的半导体工艺设备存在控压灵敏度及精度较低的问题。
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