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公开(公告)号：CN118483628B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R33/00 , G01R33/028
摘要： 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118566566A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411058867.2
申请日：2024-08-02
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网河南省电力公司
摘要： 本发明公开了一种避雷器阻性电流的检测方法、装置、系统及介质、芯片，涉及电气测量技术领域。检测方法包括：通过电流互感器对避雷器的电流进行采集，得到全电流信号；对全电流信号进行傅里叶变换，得到基波电流和三次谐波电流；根据基波电流的相位和三次谐波电流的相位得到基波电压的相位；确定避雷器相间干扰电流的相位，并根据基波电压的相位得到避雷器容性电流的相位；获取相间干扰电流的有效值和容性电流的有效值，并根据全电流信号、相间干扰电流的相位和有效值，以及容性电流的相位和有效值，得到避雷器的阻性电流波形信号。该方法只需采集电流信号，可减少现场施工安装成本，且可以去除相间干扰的影响，提高了阻性电流检测的准确性。
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公开(公告)号：CN118132404B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410576360.X
申请日：2024-05-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种内存泄漏检测方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：控制多个资源使用线程执行第一轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第一内存检测，得到第一内存检测值；重复执行以下步骤，直至达到设定时间阈值：控制多个资源使用线程执行第二轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第二内存检测，得到第二内存检测值；基于第一内存检测值和第二内存检测值的对比结果，确定内存泄漏检测结果。通过重复对比多个资源使用线程经过轮转切换后的内存检测值进行内存泄漏检测，由于多个资源使用线程通过短时间片切换来循环获取资源和释放资源，本发明能够在短时间内精准检测到每个时间点可能产生的内存泄漏。
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公开(公告)号：CN113990866B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN118487762B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410947664.2
申请日：2024-07-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网安徽省电力有限公司庐江县供电公司
摘要： 本公开涉及无线射频识别技术领域，具体涉及一种RFID标签密钥更新方法、装置、系统、RFID标签读写器、电子设备及存储介质。该更新方法包括：上位机根据密钥分散因子的类型获取与待更新的RFID标签对应的密钥分散因子；将该密钥分散因子发送到密码机，以使密码机根据该密钥分散因子和预存的根密钥生成分散密钥，使用预存的保护密钥对该分散密钥进行加密处理生成分散密钥的密文；将该分散密钥的密文发送到RFID标签读写器。由此通过对RFID标签密钥数据进行加密发送的方式，保障了RFID标签密钥数据的安全写入，实现了对RFID标签密钥数据的保护，进而保障了RFID标签中的应用数据不被非法篡改。
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公开(公告)号：CN118651819A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410784831.6
申请日：2024-06-18
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备，属于MEMS传感芯片技术领域。MEMS超声传感器件包括：基底，形成有第一腔和暴露第一腔的第一开口；压电振动层，设于基底上，且覆盖第一开口；钝化层，设于基底上，且环绕压电振动层布置；谐振结构，设于钝化层远离基底的一侧，谐振结构形成有第二腔、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口位于第二腔相对的两侧，第二开口朝向钝化层布置，且暴露压电振动层，第二腔和第三开口共同作用下的谐振频率等于压电振动层的谐振频率。超声传感芯片接收的声信号或发射的声信号在谐振腔内形成共振，增大超声传感芯片处的声压/往外发射的声压，增大了超声传感芯片的发射、接收灵敏度。
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公开(公告)号：CN117937767B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410319826.8
申请日：2024-03-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种输电线路监测装置、方法、计算机设备、芯片及存储介质，所述方法应用于输电线路监测装置，输电线路监测装置包括本体、线路数据感知模块，以及部署在本体上的本地融合分析模块和装置数据感知模块；所述方法包括：通过线路数据感知模块获取输电线路的线路状态参量数据，以及通过装置数据感知模块获取输电线路监测装置的装置状态参数；通过本地融合分析模块根据线路状态参量数据和装置状态参数进行关联性分析，得到参数相关性数据，以监测输电线路。由此打通输电线路多参量传感数据的就地融合，有效提升输电线路的运行可靠性分析能力。
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公开(公告)号：CN118483628A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410946867.X
申请日：2024-07-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R33/00 , G01R33/028
摘要： 本公开涉及磁传感技术领域，具体涉及一种磁敏元件及其制备方法、磁敏传感器、电子器件、芯片和电子设备。该磁敏元件包括：基底、有源区、激励电极和磁偏转电流检测电极；该基底位于最底层；该有源区形成于该基底上；该有源区为梳状结构，该梳状结构包括梳脊和多个梳齿，该多个梳齿从该梳脊的一侧或多侧伸出；该激励电极设置于该梳脊上或该梳脊外围，与该梳脊形成电接触，通过导线与外部电源相连，用于为该磁敏元件施加激励电流；该磁偏转电流检测电极设置于该梳齿两侧，用于检测该激励电流因磁场作用而发生偏转后所产生的电流变化。磁敏传感器包括该磁敏元件，利用该激励电流所产生的电流变化测量磁场，由此提高了传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118132404A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410576360.X
申请日：2024-05-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种内存泄漏检测方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：控制多个资源使用线程执行第一轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第一内存检测，得到第一内存检测值；重复执行以下步骤，直至达到设定时间阈值：控制多个资源使用线程执行第二轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第二内存检测，得到第二内存检测值；基于第一内存检测值和第二内存检测值的对比结果，确定内存泄漏检测结果。通过重复对比多个资源使用线程经过轮转切换后的内存检测值进行内存泄漏检测，由于多个资源使用线程通过短时间片切换来循环获取资源和释放资源，本发明能够在短时间内精准检测到每个时间点可能产生的内存泄漏。
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公开(公告)号：CN117937767A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410319826.8
申请日：2024-03-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种输电线路监测装置、方法、计算机设备、芯片及存储介质，所述方法应用于输电线路监测装置，输电线路监测装置包括本体、线路数据感知模块，以及部署在本体上的本地融合分析模块和装置数据感知模块；所述方法包括：通过线路数据感知模块获取输电线路的线路状态参量数据，以及通过装置数据感知模块获取输电线路监测装置的装置状态参数；通过本地融合分析模块根据线路状态参量数据和装置状态参数进行关联性分析，得到参数相关性数据，以监测输电线路。由此打通输电线路多参量传感数据的就地融合，有效提升输电线路的运行可靠性分析能力。
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