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公开(公告)号：CN118132404A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410576360.X
申请日：2024-05-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种内存泄漏检测方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：控制多个资源使用线程执行第一轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第一内存检测，得到第一内存检测值；重复执行以下步骤，直至达到设定时间阈值：控制多个资源使用线程执行第二轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第二内存检测，得到第二内存检测值；基于第一内存检测值和第二内存检测值的对比结果，确定内存泄漏检测结果。通过重复对比多个资源使用线程经过轮转切换后的内存检测值进行内存泄漏检测，由于多个资源使用线程通过短时间片切换来循环获取资源和释放资源，本发明能够在短时间内精准检测到每个时间点可能产生的内存泄漏。
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公开(公告)号：CN118132404B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410576360.X
申请日：2024-05-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司
摘要： 本发明提供一种内存泄漏检测方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：控制多个资源使用线程执行第一轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第一内存检测，得到第一内存检测值；重复执行以下步骤，直至达到设定时间阈值：控制多个资源使用线程执行第二轮转切换；控制内存泄漏检测线程进行第二内存检测，得到第二内存检测值；基于第一内存检测值和第二内存检测值的对比结果，确定内存泄漏检测结果。通过重复对比多个资源使用线程经过轮转切换后的内存检测值进行内存泄漏检测，由于多个资源使用线程通过短时间片切换来循环获取资源和释放资源，本发明能够在短时间内精准检测到每个时间点可能产生的内存泄漏。
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公开(公告)号：CN117937767B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410319826.8
申请日：2024-03-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种输电线路监测装置、方法、计算机设备、芯片及存储介质，所述方法应用于输电线路监测装置，输电线路监测装置包括本体、线路数据感知模块，以及部署在本体上的本地融合分析模块和装置数据感知模块；所述方法包括：通过线路数据感知模块获取输电线路的线路状态参量数据，以及通过装置数据感知模块获取输电线路监测装置的装置状态参数；通过本地融合分析模块根据线路状态参量数据和装置状态参数进行关联性分析，得到参数相关性数据，以监测输电线路。由此打通输电线路多参量传感数据的就地融合，有效提升输电线路的运行可靠性分析能力。
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公开(公告)号：CN117937767A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410319826.8
申请日：2024-03-20
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种输电线路监测装置、方法、计算机设备、芯片及存储介质，所述方法应用于输电线路监测装置，输电线路监测装置包括本体、线路数据感知模块，以及部署在本体上的本地融合分析模块和装置数据感知模块；所述方法包括：通过线路数据感知模块获取输电线路的线路状态参量数据，以及通过装置数据感知模块获取输电线路监测装置的装置状态参数；通过本地融合分析模块根据线路状态参量数据和装置状态参数进行关联性分析，得到参数相关性数据，以监测输电线路。由此打通输电线路多参量传感数据的就地融合，有效提升输电线路的运行可靠性分析能力。
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公开(公告)号：CN118759048A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411255660.4
申请日：2024-09-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本申请提供一种可穿戴式全光纤探测手套、无损探测系统、方法及装置，涉及无损探伤技术领域，手套包括：具有若干手指套接部的手套主体、光声信号激励单元及若干光声信号探测单元，光声信号探测单元设置于手指套接部上，光声信号激励单元设置于手套主体掌部区域；光声信号激励单元用于在受到第一激光信号的激发后产生超声导波，以使得产生的超声导波在待检测目标内部传播；光声信号探测单元用于捕获受待检测目标内部损伤影响的、光声信号激励单元产生并传播的超声导波所引起的应力变化，响应于捕获到的应力变化，基于作用于光声信号探测单元的第二激光信号获取对应散射波信号。本申请具有结构简单、穿戴轻便、操作便捷、探测区域灵活等优点。
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公开(公告)号：CN118487762A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410947664.2
申请日：2024-07-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网安徽省电力有限公司庐江县供电公司
摘要： 本公开涉及无线射频识别技术领域，具体涉及一种RFID标签密钥更新方法、装置、系统、RFID标签读写器、电子设备及存储介质。该更新方法包括：上位机根据密钥分散因子的类型获取与待更新的RFID标签对应的密钥分散因子；将该密钥分散因子发送到密码机，以使密码机根据该密钥分散因子和预存的根密钥生成分散密钥，使用预存的保护密钥对该分散密钥进行加密处理生成分散密钥的密文；将该分散密钥的密文发送到RFID标签读写器。由此通过对RFID标签密钥数据进行加密发送的方式，保障了RFID标签密钥数据的安全写入，实现了对RFID标签密钥数据的保护，进而保障了RFID标签中的应用数据不被非法篡改。
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公开(公告)号：CN118960571A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411431708.2
申请日：2024-10-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网上海市电力公司
摘要： 本说明书实施方式提供了一种阀厅穿墙套管位移监测方法、装置、设备和存储介质，涉及计算机技术领域。方法包括：获取当前时间的多个当前初始点云，多个当前初始点云是当前时间下采集模块在对应目标扫描区域扫描得到的；根据多个采样分辨率对每个当前初始点云进行降采样，得到每个当前初始点云的多个降采样点云；基于多个当前初始点云各自的多个降采样点云进行配准和拼接，得到当前拼接点云；针对当前拼接点云进行特征点提取得到当前目标点云，当前拼接点云中穿墙套管区域为感兴趣区域；根据当前目标点云和历史时间的历史目标点云，确定穿墙套管的位移偏离信息。如此，可以及时判定阀厅穿墙套管是否发生位移，提高阀厅穿墙套管监测的精度和效率。
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公开(公告)号：CN113990866A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN118689550A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410647781.7
申请日：2024-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本说明书实施方式提供了一种应用程序加载方法、装置、计算机设备、芯片和存储介质。应用于嵌入式系统，嵌入式系统配置有第一分区和第二分区；方法包括：在启动系统内核之前，若在第一分区中检测到第一应用程序，对第一应用程序进行度量验签；在检测到第一应用程序度量验签未通过的情况下，确定目标程序识别码；若在第二分区中检测到第二应用程序，基于目标程序识别码在第二分区中确定目标应用程序；在目标应用程序度量验签通过的情况下，将目标应用程序作为第一应用程序更新至第一分区，并顺序加载并运行第一分区中度量验签通过的第一应用程序。如此，可以提高嵌入式系统中应用程序加载的可靠性。
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公开(公告)号：CN116404041A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211090728.9
申请日：2022-09-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/40 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法；解决现有的AlGaN/GaN垂直型器件存在较低耐压和较高导通损耗的问题；超结场效应管包括衬底、漏极、在衬底上表面形成两个P型柱区，两个P型柱区之间形成N型漂移区，在P型柱区和N型漂移区上部形成P型阻挡层，在P型阻挡层上形成GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上形成源区，源区内设置源极，对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部刻蚀形成介质沟槽，在介质沟槽内设置三氧化二铝薄氧化层和SIPOS场板，位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅和多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接，本发明还提出半超结场效应管以及超结、半超结场效应管的制作方法。
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