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公开(公告)号:CN110677967A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201910883278.0
申请日:2019-09-18
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于法拉第杯的卫星表面等离子体充电电流监测方法。通过确定卫星表面充电电流的测量对象及范围;设计法拉第杯探头;法拉第杯探头在卫星上的安装;确定卫星表面充电电流真实数据与法拉第杯探头测量数据的关系,实现对空间等离子对卫星表面充电电流的包络和有效反演。本发明的方法能够有效反映卫星表面等离子体充电电流大小,为卫星表面带电状态和带电风险的评估提供依据。
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公开(公告)号:CN115600070A
公开(公告)日:2023-01-13
申请号:CN202211262559.2
申请日:2022-10-14
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部(CN) , 哈尔滨工业大学(深圳)(CN)
Abstract: 本发明公开了一种极轨卫星遭遇极光电子的预示方法,包括:按固定的时间间隔,计算极轨卫星在轨运行的空间位置地理坐标;将极轨卫星的空间位置地理坐标转换为地磁坐标;基于极光带边界模型,输入地磁活动Kp指数,确定极光带区域的极向和赤道向边界;基于极轨卫星的地磁坐标和极光带区域,确定极轨卫星位于极光带区域内的轨道位置,得到极轨卫星位于极光带区域中的最长持续时间以及极轨卫星遭遇极光电子的概率。本发明可以实现对近地极轨卫星在不同地磁活动条件下遭遇极光电子的空间位置、持续时间及遭遇概率进行快速分析,为评估极轨卫星充放电风险提供依据。
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公开(公告)号:CN115391713A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202210838677.7
申请日:2022-07-18
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F17/10
Abstract: 本发明提出一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法,考虑了斜入射带来的屏蔽厚度增厚、总剂量变低效应,显著降低电离总剂量数据。具体包括以下步骤:步骤一、根据卫星运行轨道参数分析卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽厚度的关系;步骤二、根据所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效铝屏蔽厚度的关系获取所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽铝厚度关系的拟合公式及拟合系数;步骤三、利用所述拟合公式及拟合系数分析考虑斜入射效应的各向同性入射条件下的卫星电离总剂量与等效铝屏蔽厚度的计算公式;步骤四、根据所述计算公式分析卫星内部单机中器件的电离总剂量。
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公开(公告)号:CN112257226A
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN202010982709.1
申请日:2020-09-17
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种不依赖器件工艺参数的重离子单粒子翻转率分析方法,属于空间辐射技术领域。本发明通过获取器件重离子单粒子翻转截面试验数据及拟合结果;建立器件单粒子翻转率分析模型;计算器件所处轨道的重离子LET谱;分析器件在轨单粒子翻转率。本发明的方法仅采用器件重离子单粒子翻转试验数据,就可以构建确定的单粒子翻转率分析模型,并进行单粒子翻转率分析,解决了以往单粒子模型参数依赖器件工艺参数、难以确定、无法形成统一标准的问题。
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