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公开(公告)号：CN110077629B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910291477.2
申请日：2019-04-12
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
IPC分类号： B64G1/54
摘要： 本发明涉及一种利用人工磁场屏蔽航天器局部低能电子环境的方法及系统，属于空间辐射技术领域。本发明的技术方案为：根据螺线管线圈的匝数、电流等参数确定其磁场强度及空间分布；在航天器上不同位置设置一定数目的螺线管线圈，并分析在磁场作用下，航天器局部低能电子辐射环境的变化情况；调整螺线管线圈的参数、位置和布局，确保所关注的局部部位的低能电子辐射环境降低到可接受的水平。
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公开(公告)号：CN104732031B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510145019.X
申请日：2015-03-30
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明涉及一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法，步骤如下：确定质子能量；确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度；确定器件敏感区的材料和厚度；分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱；将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱；计算器件在质子辐照下的翻转截面。本发明考虑了器件金属布线层、氧化层中核反应的影响，使得该方法更适合现代工艺条件下的器件，使得器件对质子影响的计算更加准确，可靠性大大增强。
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公开(公告)号：CN105866573A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610183676.8
申请日：2016-03-28
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
IPC分类号： G01R31/00
CPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法，涉及一种基于加速器试验数据的系统单粒子防护效果验证的重离子和质子等效试验验证领域；包括：(1)采用基于LET值确定的地面加速器重离子试验；(2)分析质子静态翻转截面；(3)分析系统在任意工作模式下的敏感位因子；(4)分析系统在重离子辐照下的动态翻转截面；(5)分析系统在质子辐照下的动态翻转截面；本发明提供一种基于重离子加速器的单粒子软错误防护设计验证方法，该方法可用于单粒子防护效果验证，解决国内加速器时间紧张以及难以实现高能质子试验的问题。
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公开(公告)号：CN104732031A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510145019.X
申请日：2015-03-30
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明涉及一种基于重离子试验数据的器件质子翻转截面反演方法，步骤如下：确定质子能量；确定器件金属布线层、氧化层的材料类型和厚度；确定器件敏感区的材料和厚度；分析质子在敏感区中的能量沉积微分谱；将敏感区中的能量沉积微分谱转化为等效LET微分谱；计算器件在质子辐照下的翻转截面。本发明考虑了器件金属布线层、氧化层中核反应的影响，使得该方法更适合现代工艺条件下的器件，使得器件对质子影响的计算更加准确，可靠性大大增强。
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公开(公告)号：CN110677967A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910883278.0
申请日：2019-09-18
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
IPC分类号： H05H1/00
摘要： 本发明涉及一种基于法拉第杯的卫星表面等离子体充电电流监测方法。通过确定卫星表面充电电流的测量对象及范围；设计法拉第杯探头；法拉第杯探头在卫星上的安装；确定卫星表面充电电流真实数据与法拉第杯探头测量数据的关系，实现对空间等离子对卫星表面充电电流的包络和有效反演。本发明的方法能够有效反映卫星表面等离子体充电电流大小，为卫星表面带电状态和带电风险的评估提供依据。
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公开(公告)号：CN110646833A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910882312.2
申请日：2019-09-18
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
摘要： 本发明涉及一种基于单片阵列粒子探测器的卫星单粒子翻转监测方法，包括步骤如下：设计粒子探测器；不同种类粒子的鉴别和处理；建立敏感器件与粒子探测器中粒子数目和LET值的关系；建立敏感器件单粒子翻转位数与粒子探测器测量数据的关系；确定卫星敏感器件在轨异常与空间高能粒子的关联性。本发明的方法实现了卫星敏感器件单粒子翻转效应的在轨监测，能够获得卫星单粒子翻转敏感器件位置处的高能粒子环境，确定卫星异常与空间高能粒子的关联性。
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公开(公告)号：CN110209547A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910368564.3
申请日：2019-05-05
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
IPC分类号： G06F11/26
摘要： 一种SRAM型FPGA单粒子翻转加固定时刷新频率确定方法及系统，需要对SRAM型FPGA应用的加固措施进行验证与评估，利用故障注入作为验证手段，通过向FPGA的配置区注入翻转，观察FPGA应用的运行状态确定应用的单粒子翻转设计有效性，同时解决了现有技术无法定量评估FPGA应用加固有效性的问题，并能够确定FPGA的刷新频率取值范围，计算简便，方法可靠性高。
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公开(公告)号：CN105869679B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610183678.7
申请日：2016-03-28
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
摘要： 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法，步骤如下：(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N；(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入，运行FPGA，记录FPGA输出是否出现错误；(3)重复第(2)k次，直到失效率在30％到70％；(4)根据实际条件，按照最终选定的N，进行尽量多次的故障注入，获得较好的统计性，推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次；(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN，然后用1‑(1‑λN)M/N估计电路的失效率上限，得到电路设计的SEU数目M‑电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入，即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价，大大减少了实验的次数和评估的周期。
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公开(公告)号：CN104764421B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510146078.9
申请日：2015-03-30
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
IPC分类号： G01B15/02
摘要： 本发明涉及一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法，步骤如下：根据加速器重离子类型和初始能量，确定重离子在硅中的初始射程；根据加速器重离子类型和要求的重离子LET值，确定对应的重离子在硅中的射程；根据重离子初始射程和与要求重离子LET值对应的重离子在硅中的射程，确定当降能片材料为硅时，屏蔽材料的厚度；确定硅材料厚度与降能片厚度的厚度转换系数；将硅材料的厚度转化为降能片的厚度。本发明快速确定降能片的厚度，节省了成本，提高了效率。
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公开(公告)号：CN110209547B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201910368564.3
申请日：2019-05-05
申请人： 北京空间飞行器总体设计部
IPC分类号： G06F11/26
摘要： 一种SRAM型FPGA单粒子翻转加固定时刷新频率确定方法及系统，需要对SRAM型FPGA应用的加固措施进行验证与评估，利用故障注入作为验证手段，通过向FPGA的配置区注入翻转，观察FPGA应用的运行状态确定应用的单粒子翻转设计有效性，同时解决了现有技术无法定量评估FPGA应用加固有效性的问题，并能够确定FPGA的刷新频率取值范围，计算简便，方法可靠性高。
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