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公开(公告)号：CN115078768B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210555211.6
申请日：2022-05-19
申请人： 北京航天控制仪器研究所
IPC分类号： G01P15/125 , B81B7/00 , B81B7/02
摘要： 本发明涉及一种具有应力释放的双质量MEMS陀螺敏感结构，采用四周支撑结构支撑整个可动结构，并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度，可显著降低四周支撑结构内的中心敏感结构上在环境温度变化过程中所受的热应力，提高传感器输出特性的温度稳定性。四周支撑框架可是两侧质量块运动过程中的产生弹性力相互抵消，从而极大幅度的降低了整个可动结构的支撑锚区所受弹性力，显著降低了锚区疲劳损耗，提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN113371668B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110475798.5
申请日：2021-04-29
申请人： 北京航天控制仪器研究所
摘要： 本发明提供了一种MEMS加速度计低应力集成封装结构及方法，所述MEMS加速度计包括MEMS加速度计芯片、ASIC芯片、应力隔离框架、封装管壳和封装盖板；MEMS加速度计芯片，固定在封装管壳基底上；应力隔离框架为倒U型盖板，倒U型盖板与封装管壳底部相粘结，跨在MEMS加速度计芯片上，所述ASIC芯片粘结在应力隔离框架上表面，实现与MEMS加速度计芯片的隔离式堆叠布置；MEMS加速度计芯片的电极焊盘与对应的ASIC芯片电极焊盘互连，所述ASIC芯片的电极焊盘与对应的封装管壳上的焊盘进行金丝键合，实现MEMS器件的电气连接。本发明的封装方法不仅可以实现MEMS加速度计芯片与ASIC芯片的全集成封装，还可有效降低封装应力及后续环境参数改变导致的应力变化，提高环境适应性。
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公开(公告)号：CN113371670B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110547412.7
申请日：2021-05-19
申请人： 北京航天控制仪器研究所
摘要： 本发明涉及一种MEMS加速度计的多级抗过载封装结构及方法，该加速度计包括封装管壳、封装盖板、被封装MEMS加速度计芯片、被封装ASIC芯片、外止档、侧面应力缓冲层、上表面应力缓冲层；所述被封装MEMS加速度计芯片固定在封装管壳基底上；被封装MEMS加速度计芯片粘贴在封装管壳上；外止档固化在封装管壳基底上，外止档罩在被封装MEMS加速度计芯片上方，使得被封装MEMS加速度计芯片位于外止档内部，且被封装MEMS加速度计芯片和外止档之间留有抗过载间隙，用于限制被封装MEMS加速度计芯片在高过载环境下的位移改变量；被封装ASIC芯片粘结在外止档上表面；被封装MEMS加速度计芯片的侧面和上表面涂覆有柔性聚合物作为应力缓冲层，在高过载情况下，利用应力缓冲层储存和耗散能量。
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公开(公告)号：CN115571846A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211035768.3
申请日：2022-08-26
申请人： 北京航天控制仪器研究所
摘要： 本发明涉及一种带屏蔽的MEMS器件电极引出结构，属于微机电系统制造技术领域。包括电极引线、电极屏蔽线、电极焊盘、衬底、屏蔽连接线、屏蔽线焊盘、衬底层键合锚区、梳齿层键合锚区和梳齿结构，在衬底上有金属层，在金属层上加工出多组电极引线、电极屏蔽线、电极焊盘、屏蔽连接线、屏蔽线焊盘；在衬底上有多组衬底层键合锚区；衬底层键合锚区与梳齿层键合锚区通过晶圆键合在一起；在梳齿层键合锚区上连接有梳齿结构。本发明有效降低电磁干扰与信号串扰，降低信号噪声水平，提升MEMS器件的性能。
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公开(公告)号：CN115078768A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210555211.6
申请日：2022-05-19
申请人： 北京航天控制仪器研究所
IPC分类号： G01P15/125 , B81B7/00 , B81B7/02
摘要： 本发明涉及一种具有应力释放的双质量MEMS陀螺敏感结构，采用四周支撑结构支撑整个可动结构，并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度，可显著降低四周支撑结构内的中心敏感结构上在环境温度变化过程中所受的热应力，提高传感器输出特性的温度稳定性。四周支撑框架可是两侧质量块运动过程中的产生弹性力相互抵消，从而极大幅度的降低了整个可动结构的支撑锚区所受弹性力，显著降低了锚区疲劳损耗，提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN115078767A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210554601.1
申请日：2022-05-19
申请人： 北京航天控制仪器研究所
IPC分类号： G01P15/125 , B81B7/02
摘要： 本发明公开了一种具有应力释放的MEMS加速度计传感器敏感结构，采用四周支撑结构支撑整个可动结构，并在四周支撑结构上下两侧中心和左右两侧中心放置应力释放梁和应力释放梁固定锚区。应力释放梁弯曲刚度远小于四周支撑结构的框架刚度，传感器所处温度变化时，由于材料热膨胀系数失配产生的热应力可通过应力释放梁释放，可显著降低中心敏感结构上所受的热应力，提高传感器输出特性的温度稳定性。
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公开(公告)号：CN114236177A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111402085.2
申请日：2021-11-19
申请人： 北京航天控制仪器研究所
IPC分类号： G01P15/125 , G01P15/08
摘要： 一种阵列式扭摆加速度计，包含由4个或6个或8个敏感质量单元组成的阵列式敏感结构，其中，每两个相邻的敏感质量单元排布方向相反；每两个相间的敏感质量单元排布方向相同，且通过连接横梁形成刚性连接，连接横梁两端布置有应力释放结构。每个敏感质量单元中的敏感质量块采用三锚点四扭转梁结构，包含四条扭转梁和三个锚点，其中位于敏感质量块内部的锚点通过两条弹性扭转梁连接到敏感质量块，位于敏感质量块两侧的两块锚点分别通过一条弹性扭转梁连接到敏感质量块。敏感结构外侧布置有等电位锚点，在加速度计的阵列式敏感结构与电极间形成电学连接。
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公开(公告)号：CN113371670A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110547412.7
申请日：2021-05-19
申请人： 北京航天控制仪器研究所
摘要： 本发明涉及一种MEMS加速度计的多级抗过载封装结构及方法，该加速度计包括封装管壳、封装盖板、被封装MEMS加速度计芯片、被封装ASIC芯片、外止档、侧面应力缓冲层、上表面应力缓冲层；所述被封装MEMS加速度计芯片固定在封装管壳基底上；被封装MEMS加速度计芯片粘贴在封装管壳上；外止档固化在封装管壳基底上，外止档罩在被封装MEMS加速度计芯片上方，使得被封装MEMS加速度计芯片位于外止档内部，且被封装MEMS加速度计芯片和外止档之间留有抗过载间隙，用于限制被封装MEMS加速度计芯片在高过载环境下的位移改变量；被封装ASIC芯片粘结在外止档上表面；被封装MEMS加速度计芯片的侧面和上表面涂覆有柔性聚合物作为应力缓冲层，在高过载情况下，利用应力缓冲层储存和耗散能量。
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公开(公告)号：CN113371668A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110475798.5
申请日：2021-04-29
申请人： 北京航天控制仪器研究所
摘要： 本发明提供了一种MEMS加速度计低应力集成封装结构及方法，所述MEMS加速度计包括MEMS加速度计芯片、ASIC芯片、应力隔离框架、封装管壳和封装盖板；MEMS加速度计芯片，固定在封装管壳基底上；应力隔离框架为倒U型盖板，倒U型盖板与封装管壳底部相粘结，跨在MEMS加速度计芯片上，所述ASIC芯片粘结在应力隔离框架上表面，实现与MEMS加速度计芯片的隔离式堆叠布置；MEMS加速度计芯片的电极焊盘与对应的ASIC芯片电极焊盘互连，所述ASIC芯片的电极焊盘与对应的封装管壳上的焊盘进行金丝键合，实现MEMS器件的电气连接。本发明的封装方法不仅可以实现MEMS加速度计芯片与ASIC芯片的全集成封装，还可有效降低封装应力及后续环境参数改变导致的应力变化，提高环境适应性。
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公开(公告)号：CN109399549B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201811196917.8
申请日：2018-10-15
申请人： 北京航天控制仪器研究所
摘要： 一种微机械静电驱动的直线型梳齿结构，涉及微机械静电驱动技术领域；包括n组相同的直线形梳齿组；n组直线形梳齿组水平均匀分布在外部器件的水平侧壁上；每组直线形梳齿组包括静梳齿和动梳齿；静梳齿和动梳齿为交错配合的E型结构；在外部静电的驱动下；动梳齿沿外部器件的水平侧壁，相对静梳齿进行靠近或远离的直线运动；静梳齿与动梳齿配合时，第一动电极伸入第一定电极和第二定电极之间；第二动电极伸入第二定电极和第三定电极之间；第三动电极设置在第三定电极之间外侧；本发明实现了在于传统技术同样的真空环境和驱动电压下，得到更大的驱动行程，且未增加工艺难度。
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