公开(公告)号：CN112678198A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202110055269.X

申请日：2021-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 马修泉 ,  胡畅 ,  周邵巍 ,  蒲慧慧 ,  刘华坪 ,  周奇 ,  曹龙超 ,  张健 ,  武利龙

IPC: B64F1/06

Abstract: 本发明公开一种光纤传导加热柔性弹射装置及其弹射系统和弹射方法，包括能量转换腔以及能够将激光传输到所述能量转换腔的光纤输出头，所述能量转换腔内注入有能够吸收激光能量由液相转换成气相的能量转换介质，所述能量转换腔连通有弹道，所述弹道方向与激光入射方向不重合，所述弹道内填装有待弹射物，所述待弹射物能够封堵所述弹道并由所述弹道的弹射出口弹出；本发明能够利用激光照射使得能量转介质在能量转换腔内由液态转换为气态，从而能够使得能量转换腔内的气压增大，进而能够将待弹射物由弹道的弹射出口弹出，完成柔性弹射运动，激光的能量几乎完全被能量转换腔内的能量转换介质所吸收，能量转化效率和能量利用效率均能够达到较高的水平。

公开(公告)号：CN102605429A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210068606.X

申请日：2012-03-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  胡畅 ,  张学斌 ,  吕亚平

IPC: C30B29/62 ,  C30B29/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。

公开(公告)号：CN102420201A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110363430.6

申请日：2011-11-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海 ,  胡畅 ,  刘胜

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至5微米至20微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。

公开(公告)号：CN102214602A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110148201.2

申请日：2011-06-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  刘胜 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海 ,  胡畅 ,  吕植成

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提出了一种TSV通孔的电镀方法，该方法首先将带有TSV通孔的硅片和种子层铜片紧密贴合；之后将硅片表面与电镀液接触，进行硅片自底到顶的电镀；最后将电镀后的硅片和种子层铜片分离。所述的种子层铜片为纯铜片或者为在表面溅射了一层铜的硅片。本发明所述的电镀方法不需要在带TSV通孔的硅片上溅射种子层，也不需要局部电镀封口，整个电镀过程一次完成，工艺简单，而且避免了溅射与局部电镀封口后的操作对硅片造成损坏。本发明由于工艺简单，操作性好，能显著地提高TSV通孔电镀的填充效率和质量。

公开(公告)号：CN202332838U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120454618.7

申请日：2011-11-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海 ,  胡畅 ,  刘胜

IPC: H01L23/538

Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命。

公开(公告)号：CN202275026U

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201120401933.3

申请日：2011-10-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  刘胜 ,  胡畅 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海

IPC: G01N3/10

Abstract: 焊球强度测试装置，属于位移和气体压强测试装置，解决现有接触式测量方法需要制造加工更小的测量元件并保证其强度的问题。本实用新型包括气源、增压泵、左支架、丝杆、喷嘴、喷嘴载台、光栅尺位移传感器、元件载台、右支架、底座和光栅尺支架；本实用新型空气或氮气通过喷嘴输出，对焊球施加作用力，与接触式的测量装置相比，喷嘴的口径可以大于焊球直径，不需要制造加工与焊球尺寸相近并且高强度的探针或者切刀，在实际测量中也避免了测试工具的损耗和误差，喷嘴输出压力可以设置，测量的灵活性和测量范围较大，可以有效保护测量仪器并保证测量结果的准确；适用于微电子封装器件强度测试。