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公开(公告)号：CN102623393A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210068633.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。
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公开(公告)号：CN102593049A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210068065.0
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充方法，将加工有多个小孔的孔板置于硅晶圆的表面，孔板上的小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应；将多个金属小球洒在孔板上，并用毛刷扫动使得孔板的每一个小孔内有一个金属小球，清除孔板上多余的金属小球；将硅晶圆置于真空环境加热，小孔内的金属小球熔化；对熔化的金属小球加压实现微盲孔填充。本发明还提供了填充装置，主要包括孔板和真空回流装置。本发明通过孔板小孔大小和厚度，金属小球的大小来控制每个小孔内外金属体积和位置，并通过抽真空来避免盲孔填充金属时由于孔内气室和金属表面张力的作用而导致空洞缺陷。
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公开(公告)号：CN102386169A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110321630.5
申请日：2011-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/544 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本发明可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能，并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试，具有测试成本低，操作便捷，测试效率高的特点。
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公开(公告)号：CN102385031B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110357374.5
申请日：2011-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种非接触式金属互连线电迁移测量方法，具体为：使用平行光照射标定用金属互联线，同时采用四探针检测标定用金属互联线的电阻；建立四探针检测到的标定用金属互联线的电阻与标定用金属互联线的表面反射光强的对应关系；使用平行光照射待测金属互联线；实时检测待测金属互联线表面反射光的强度；依据建立的电阻与反射光强的对应关系获取待测金属互联线在某反射光强下对应的电阻值。本发明还提供了测量装置，主要包括四探针、平行光光源、光学显微镜和计算机。本发明不接触试样的情况下对试样上的较大范围金属互连线电迁移同时进行实时检测，与普通的四探针检测方法相比，检测范围更大，时间更快、成本更低。
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公开(公告)号：CN102624446A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210056933.3
申请日：2012-03-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠硅片层间红外通信结构，其特征在于，该通信结构包括上层芯片和下层芯片；上层芯片的一端有红外发射装置，另一端有第一红外反射装置，且与上层芯片成45°，其反射面全覆盖红外发射装置发射出的红外信号范围，红外发射装置底部有球栅阵列与上层芯片通信；下层芯片上的一端有红外接收装置，另一端键合有第二红外反射装置，且与下层芯片成45°，第一、第二红外反射装置表面均镀有高反射率的薄膜；上层芯片、下层芯片键合在一起，键合后第一、第二红外反射装置的反射面呈90°。本发明克服了引线键合通信及TSV垂直互联通信的缺点，不存在信号传输时的热应力和电迁移失效问题，容易实现，并且比长距离的引线通信功耗小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102605429A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210068606.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长度，生长出来的一维纳米线直径均匀，并直接在基底上生成，有利于三维封装的连接。
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公开(公告)号：CN102403217A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110357375.X
申请日：2011-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。
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公开(公告)号：CN102214602A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110148201.2
申请日：2011-06-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提出了一种TSV通孔的电镀方法，该方法首先将带有TSV通孔的硅片和种子层铜片紧密贴合；之后将硅片表面与电镀液接触，进行硅片自底到顶的电镀；最后将电镀后的硅片和种子层铜片分离。所述的种子层铜片为纯铜片或者为在表面溅射了一层铜的硅片。本发明所述的电镀方法不需要在带TSV通孔的硅片上溅射种子层，也不需要局部电镀封口，整个电镀过程一次完成，工艺简单，而且避免了溅射与局部电镀封口后的操作对硅片造成损坏。本发明由于工艺简单，操作性好，能显著地提高TSV通孔电镀的填充效率和质量。
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公开(公告)号：CN103296174B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310160891.2
申请日：2013-05-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本发明能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。
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公开(公告)号：CN102623393B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210068633.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。
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