适用于纳米级三维形貌测量的远场矢量光学特性建模方法

    公开(公告)号:CN105043294B

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201510364705.6

    申请日:2015-06-26

    Abstract: 本发明公开了一种适用于纳米级三维形貌测量的远场矢量光学特性建模方法,包括:获得探测样品近场处的矢量电磁场分布,并经由采用高NA物镜的偏振光学系统执行传播,由此依次执行近场至入瞳、入瞳至出瞳,以及出瞳至探测平面的传播过程;将近场处的矢量电磁场分布转换为入瞳处的矢量电场分布,接着将入瞳处的矢量电场分布相应转变为出瞳处的矢量电场分布;计算得出最终探测平面的矢量电场分布。以上过程还可包括根据琼斯矩阵理论,获得探测样品在不同入射角下的穆勒矩阵分布的步骤。通过本发明,能够以便于操控、高灵敏度和高测量精度的方式实现对纳米级三维形貌特征的测量,并尤其适用于微电子集成电路或微机电系统之类的应用场合。

    一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法

    公开(公告)号:CN102750333B

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201210177237.8

    申请日:2012-05-31

    CPC classification number: G06N99/005

    Abstract: 本发明公开了一种用于提取半导体纳米结构特征尺寸的方法,包括待提取参数取值范围的划分,子光谱数据库的建立,支持向量机分类器训练光谱的生成,支持向量机分类器的生成、测量光谱的映射和在子光谱数据库中进行的最相似光谱搜索。与现有方法相比,本发明方法通过额外增加一个可以离线进行的支持向量机分类器训练环节,实现了将测量光谱映射到一个小范围的子数据库中。与在整个大数据库中进行最相似光谱检索相比,在子数据库中展开的检索所消耗的时间大大减少。并且,通过增加每个分类器中包含的类数,可以得到更小的子数据库,从而进一步加速参数的提取。该方法实现了参数的提取速度可预期与可控。

    一种光谱椭偏仪中氙灯光源的光强平滑处理装置及方法

    公开(公告)号:CN103471992A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310396574.0

    申请日:2013-09-03

    Abstract: 本发明公开了一种应用到光谱椭偏仪中的氙灯光线光强平滑处理装置及方法。该光强平滑处理装置包括准直透镜、汇聚透镜和光阑,准直透镜为消色差透镜,用于将待处理的氙灯光线准直为平行光束;汇聚透镜为单透镜,用于将平行光束汇聚聚焦,汇聚后的光斑大小随波长的增加而增大;光阑设置在汇聚透镜后并间隔一定波长焦距位置处,通过设定该光阑的大小使紫外波段的光斑可透过该光阑而可见到近红外波段的光斑被阻挡,从而减小可见到近红外波段的光束光强,实现平滑。本发明还公开了一种氙灯光线光强平滑处理方法。本发明没有损失任何波段的光线,探测器或者光谱仪可以正常响应全光谱范围的光线,从而可以光谱椭偏仪从紫外到近红外全光谱范围内的高精度测量。

    一种用于识别半导体纳米结构形貌的方法

    公开(公告)号:CN102735183A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210178809.4

    申请日:2012-06-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于支持向量机的纳米结构形貌识别方法。首先生成训练光谱,确定支持向量机的核函数与训练方式;生成测试光谱及多种不同的支持向量机;利用测试光谱对支持向量机进行特征形貌识别准确率测试,找出识别准确率、训练光谱数目和核函数之间的关系,作为支持向量机训练的指导原则;对测试光谱添加不同量级的噪声影响,将含有不同量级噪声的测试光谱用于支持向量机中进行测试,找到在能保证正确识别率较高情形下所能添加的最大噪声量级,作为另一指导原则;利用两个指导原则,训练得到最优的支持向量机;对真实待识别结构对应的测量光谱进行映射,识别其形貌。本发明可以对半导体纳米结构的形貌特征进行快速、精确地识别。

    一种纳米级尺寸结构测量方法及装置

    公开(公告)号:CN101799273B

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN201010133464.1

    申请日:2010-03-29

    Abstract: 本发明公开了一种纳米级尺寸结构测量方法及装置,可以同时测量纳米级尺寸结构宽度、深度、侧墙角等参数。本发明方法步骤如下:将白光光束经滤光、起偏后垂直投射到包含纳米级尺寸结构的样件表面;采集样件表面反射信号,计算得到纳米级尺寸结构显微成像图;将测量离焦扫描成像分布图与理论离焦扫描成像分布图进行匹配,提取得到待测纳米级尺寸结构的几何参数值。本发明所提供的纳米级尺寸结构测量装置,能为纳米制造技术如传统光刻和纳米压印等基于图形转移的批量化制造技术中所涉及的各种典型纳米级尺寸结构,如孤立线条阵列结构、密集型线条阵列结构提供一种非接触、非破坏性、低成本、快速测量手段。

    一种SAXS散射体的形状因子计算方法

    公开(公告)号:CN114742942B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202210271841.0

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 本发明公开了一种SAXS散射体的形状因子计算方法,属于小角散射技术领域。本发明提出一种多面体表征的纳米结构的形状因子的新计算方法,通过将多面体分解成以各个面为基底、以质心为顶点的多棱锥单元,再将每个多棱锥单元分解成各个四面体单元,计算每个四面体单元的形状因子,根据傅里叶变换的线形叠加性质,计算所有四面体单元的形状因子的积分和,作为散射体的形状因子,从而很方便地适用于各种复杂结构的小角X射线散射计算。

    一种适用于宽膜厚范围样品的激光超声测量系统及方法

    公开(公告)号:CN113281265B

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202110601198.9

    申请日:2021-05-31

    Abstract: 本发明属于激光超声检测相关技术领域,并具体公开了一种适用于宽膜厚范围样品的激光超声测量系统及方法。该系统包括脉冲激光器、泵浦探测单元、脉宽调整器、探测器和工控机,其中:泵浦探测单元中的分束器将脉冲激光分为激发光光束和探测光光束;激发光经过脉宽调整器照射在待测样品表面并激发出超声信号,在样品中传播产生回声信号;与激发光存在延时的探测光自样品反射后被探测器接收;工控机接收探测器转换的电信号并提取回声信号,当该回声信号的强度小于预设阈值时,调整脉宽调整器为脉冲展宽状态;当该回声信号的强度大于或等于预设阈值时,保持脉宽调整器为压缩状态。通过本发明,增大激光超声测量技术所适用的样品的膜厚范围。

    套刻误差测量装置及其测量方法和优化方法

    公开(公告)号:CN112198763B

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202011056590.1

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明属于光刻相关技术领域,其公开了一种套刻误差测量装置及其测量方法和优化方法,该装置包括:照明系统;设于照明系统光路上的起偏臂,起偏臂沿光路依次包括起偏器、第一相位延迟器、第二相位延迟器以及第一透镜组;与起偏臂沿待测套刻样件表面的法线对称设置的检偏臂,检偏臂沿光路依次包括第二透镜组、第三相位延迟器、第四相位延迟器以及检偏器;设于检偏臂光路上的探测系统,探测系统将检偏臂解调的光束会聚并将光束发送至数据处理系统,数据处理系统将光束转化为穆勒矩阵,并根据穆勒矩阵获得套刻误差。本申请待测套刻样件的套刻标记周期不受限制、测量速度快、测量结果不受运动器件的干扰,测量准确度高,鲁棒性好,适用范围广。

    套刻误差测量装置及其测量方法和优化方法

    公开(公告)号:CN112198763A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011056590.1

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明属于光刻相关技术领域,其公开了一种套刻误差测量装置及其测量方法和优化方法,该装置包括:照明系统;设于照明系统光路上的起偏臂,起偏臂沿光路依次包括起偏器、第一相位延迟器、第二相位延迟器以及第一透镜组;与起偏臂沿待测套刻样件表面的法线对称设置的检偏臂,检偏臂沿光路依次包括第二透镜组、第三相位延迟器、第四相位延迟器以及检偏器;设于检偏臂光路上的探测系统,探测系统将检偏臂解调的光束会聚并将光束发送至数据处理系统,数据处理系统将光束转化为穆勒矩阵,并根据穆勒矩阵获得套刻误差。本申请待测套刻样件的套刻标记周期不受限制、测量速度快、测量结果不受运动器件的干扰,测量准确度高,鲁棒性好,适用范围广。

Patent Agency Ranking