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公开(公告)号：CN103441191A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310367670.2
申请日：2013-08-21
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于薄膜太阳电池技术领域的一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的制备方法。本发明的方法采用磁控溅射结合原位退火的方式制备了Ag/Al芯壳复合结构纳米颗粒陷光结构。磁控溅射法制备金属纳米颗粒简单易行且重复性好。因此，非常容易通过工艺参数如薄膜厚度和退火温度的改变，制备不同形貌、不同芯壳尺寸及不同表面覆盖率的Ag/Al芯壳复合结构纳米颗粒。通过对上述参数的改变，可以有效调节纳米颗粒的光学性能，展宽其消光谱峰。其消光峰位在350～700nm范围可调，消光谱半高宽显著展宽，且用做非晶硅薄膜太阳电池陷光结构，可以极大地提高太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103426976A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310342034.4
申请日：2013-08-07
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上，沉积多晶硅薄膜，采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底，制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底，将多晶体硅薄膜从衬底上分离，可重复利用优质衬底；大大降低了太阳电池制备成本，优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散，衬底与薄膜的不匹配，薄膜中高缺陷密度等缺点，可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力，多晶硅薄膜的质量也将提高。
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公开(公告)号：CN119212422A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411229083.1
申请日：2024-09-03
Applicant: 华北电力大学 , 浙江省白马湖实验室有限公司
IPC: H10K50/115 , H10K50/17 , H10K50/80 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种半透明量子点电致发光器件及其制备方法，属于量子点电致发光器件技术领域。该半透明量子点电致发光器件在电子传输层和Ag阴极层之间设置了阴极注入层，所述阴极注入层为合适厚度的Al/Al2O3层，该层能够调节半透明量子点电致发光器件整体的透明度，进而有效改善器件的显示效果，提升了器件整体的光透过性；同时由于Al的功函低于电子传输层的功函，使得电子传输层和半透明电极之间的注入势垒得以消除，从而改善了器件载流子注入，进而提升了器件整体的性能。
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公开(公告)号：CN114583087A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210372331.2
申请日：2022-04-11
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明提供了一种量子点发光二极管及制作方法，量子点发光二极管包括顶发射量子点发光二极管与底发射量子点发光二极管两种结构，在顶发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层或者在底发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层，增加光路调整层不仅可以增加量子点发光二极管发出的光的出射截面面积，而且该光路调整层还可以对量子点发光二极管发出的光进行折射，从而对光进行光路调整，光路的调整可以提高光的出射几率并且可以提高器件各个角度的出光均匀性。增加光的出射面积、提高光的出射几率以及提高器件各个角度的出光均匀性可以让该量子点发光二极管的光提取效率得到了明显提升。
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公开(公告)号：CN113644195A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010341809.6
申请日：2020-04-27
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明提供了一种全无机钙钛矿/有机叠层太阳电池，包括从上到下依次层叠的玻璃基底，透明顶电极，电子传输层，全无机钙钛矿光吸收层，中间层，有机光吸收层，空穴传输层和金属底电极，所述中间层为P3HT层/MoO3层/金属层/PFN‑Br层的复合薄膜，所述P3HT层与所述全无机钙钛矿光吸收层层叠，所述PFN‑Br层与所述有机光吸收层层叠。本发明的叠层太阳电池通过中间层将全无机钙钛矿光吸收层与有机光吸收层有效结合，充分利用全无机钙钛矿顶电池在短波段的光吸收和有机太阳电池在长波段的光吸收，可以实现对入射光的充分利用，提高现有全无机太阳电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206840B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610562022.6
申请日：2016-07-15
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为：以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉积一层较厚的非晶硅薄膜，并进行快速热退火处理和较长时间常规退火处理。
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公开(公告)号：CN106206840A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610562022.6
申请日：2016-07-15
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/182
Abstract: 本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为：以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散硼，之后用氢氟酸去除表面硼硅玻璃，接着继续沉积一层较厚的非晶硅薄膜，并进行快速热退火处理和较长时间常规退火处理。
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公开(公告)号：CN103762281B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410060958.X
申请日：2014-02-24
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于太阳电池领域的一种Ag和Au双金属纳米颗粒陷光结构的制备方法，包括如下步骤：（1）在NaCl衬底上分别制备Ag和Au纳米颗粒；（2）将步骤1制备得到的样品浸入去离子水中，溶解衬底，离心后分别得到Ag和Au纳米颗粒；（3）将Ag和Au纳米颗粒共同溶于PEG-200胶体中，混匀；（4）采用旋涂法或者提拉法在薄膜太阳电池特定面制备得到有序排列的Ag和Au纳米颗粒阵列。本发明的制备方法重复性好，易控制，最终得到表面覆盖率为20%-40%的双金属纳米颗粒阵列，纳米颗粒消光呈现出双消光峰位，消光峰在300-700nm范围可调，该双金属纳米颗粒阵列多用于薄膜太阳电池的陷光结构。
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公开(公告)号：CN103439537B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310331980.9
申请日：2013-08-01
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 无损式太阳电池电流－电压测试系统样品夹具，属于太阳电池电流－电压测试系统装置技术领域。该夹具样品支座（1）为含有中心镀金区（3）的铁板，样品支座（1）由四个支脚（2）支撑；支脚（2）可根据需求选用不同数目的单头螺柱及调节螺母的旋进深度以调节样品支座距离光源的高度。导线通过穿过螺栓杆（7）与弹簧伸缩探针（5）相接触；带有定位磁铁的固定装置配合弹簧伸缩探针用于电池或组件的定位，弹簧伸缩探针（5）内部有弹簧，探针针尖为圆头，使得对电池或组件无损夹持。本发明对于面积较小不易夹持的样品装卸方便，灵活；对比较贵重的样品做到无损夹持，保护样品；降低了电极接触电阻，测量更加精确；制作、操作简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN105023921A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510338498.7
申请日：2015-06-17
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高效钙钛矿-硅整体级联叠层太阳电池及其制备方法。所述太阳电池由下至上依次为：背场电极，晶硅底太阳电池，PEDOT:PSS-TIPD隧道结，富勒烯电子传输层，钙钛矿顶太阳电池，3-己基噻吩的聚合物空穴传输层和顶电极。所述制备方法为：背场电极采用丝网印刷、磁控溅射或热蒸发法制备；晶硅底太阳电池采用传统晶硅太阳电池湿法刻蚀工艺制绒后，再采用液态源扩散法制得pn结；隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；富勒烯电子传输层采用旋涂法制备；钙钛矿顶太阳电池隧道结采用化学合成法、旋涂法及热退火相结合的方式制备；3-己基噻吩的聚合物空穴传输层采用旋涂法和热退火相结合的方式制备；顶电极采用热蒸镀或磁控溅射法制备。
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