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公开(公告)号：CN102437025A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110393297.9
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 消除PMOS器件中负偏压温度不稳定性影响的方法，采用如下步骤，1)降低环境温度，使得PMOS器件工作在低温的-30±5℃环境下，而PMOS器件本身正常工作，这种环境抑制了NBTI现象；2)对于低温下阈值电压漂移，通过直接对PMOS器件栅端加零偏压或正偏压，源、漏、衬底处于零偏压，环境条件仍为上述低温条件下，施加上述电压的时间为1-5min，器件阈值电压会很快恢复。本发明所述的通过低温减少NBTI现象并使得其能完全恢复的过程，不需要改变器件工艺，不会对其性能造成影响。不需要改变电路设计。能消除NBTI过程中除阈值电压漂移外的亚阈值斜率(St)的改变和载流子迁移率的降低。
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公开(公告)号：CN113078471A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010003703.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种反射面和差网络天线。该天线包括反射面天线、馈源以及和差网络，馈源连接至和差网络，其中，馈源采用单耳型喇叭，两个以上的单耳型喇叭成对对称分布在反射面天线焦点的两侧；单耳型喇叭为角锥喇叭的形状，喇叭口的边缘延伸设置有单耳结构。本发明提出的新型反射面和差网络天线，为馈源对反射面天线的遮挡问题提供了一种有效解决办法，能够在减小馈源相位中心相对反射面焦点偏移的同时得到高增益、低副瓣、低零值深度和高度对称的扇形和差波束。
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公开(公告)号：CN105140282A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510354750.3
申请日：2015-06-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/66 , H01L21/266
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/266 , H01L29/0847 , H01L29/66568
Abstract: 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOSFET源端区域与漏端区域相对于多晶硅栅非对称分布；MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于漏端区域的LDD扩散到栅极下的长度；或者是MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于采用自对准工艺技术生产的传统MOSFET的源端区域的LDD 104扩散到栅极区域下的长度；该MOSFET的源端区域与栅极区域的交叠面积小于传统MOSFET的源栅交叠面积；栅极侧面为侧墙氧化硅。
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公开(公告)号：CN105140277A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510347068.1
申请日：2015-06-19
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L29/7311 , G01J1/42 , H01L29/0657 , H01L29/0808
Abstract: 本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅绝缘层和淀积一层多晶硅栅氧化层。源区的面积大于漏区的面积。该新型太赫兹传感器通过栅电压控制隧穿结处的势垒宽度使源区电子通过隧穿到达沟道区的导带，完成器件开启。利用开启电流与栅电压之间存在非线性关系，可以实现将高频频率信号整流；基于隧穿晶体管结构的新型太赫兹传感器的响应高，等效噪声功率低，更好的满足高频应用中的需求。
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公开(公告)号：CN105140248A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510440031.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 一种基于CMOS太赫兹信号传感器的工作方法，MOSFET在工作时，利用外接电路给器件的源漏两端提供一稳定的驱动电流，改变沟道的直流电导。MOSFET器件栅极(201)上加直流偏置电压Vgs，太赫兹信号从源端(202)输入，漏端(203)接一个稳定电流源(204)，输出电压。在这种工作模式下，由于沟道电流此时的沟道直流电导(GDS)发生改变：可以使得CMOS太赫兹信号传感器的电压响应(RV)更大，噪声等效功率(NEP)更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117060032A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210262349.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明公开了一种新型微波毫米波环形器。其包括发射端口、分离金属腔、旋转金属腔、接收端口和终端端口，分离金属腔为T形通路，分别连接发射端口、接收端口和终端端口，其中发射端口与终端端口位于一条直线上；旋转金属腔设置在分离金属腔与终端端口之间；分离金属腔内设置有分离偏振结构，用于分离发射和接收通路的电磁波；发射端口发射的电磁波传至分离金属腔后，通过分离偏振结构传至旋转金属腔，旋转金属腔将电磁波极化方向旋转一定角度后传至终端端口，完成发射；终端端口发射的电磁波逆向经过旋转金属腔后，极化方向再次旋转至分离金属腔后，经分离偏振结构传至接收端口完成接收，实现收发通路分离。本环形器具备低传输损耗和高隔离度。
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公开(公告)号：CN115685206A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110831314.6
申请日：2021-07-22
Applicant: 南京大学
IPC: G01S13/931 , G01S7/41 , G01S7/36
Abstract: 本发明公开了一种基于前缀和算法的雷达CFAR目标检测方法。该方法将雷达的回波信号进行傅里叶变换和平方率检波后得到距离‑多普勒矩阵A，对距离‑多普勒矩阵A进行恒虚警(CFAR)处理判断目标是否存在。进行CFAR检测时采用矩形参考滑窗，首先用前缀和算法求得距离‑多普勒矩阵A的前缀和矩阵SUM，然后通过前缀和矩阵计算待测单元ai,j周围参考单元数据的平均值，平均值与系数相乘得背景杂波的估计值，与待检测单元进行比较从而确定待检测单元是否为目标。本发明的方法在保证了检测的精确性的同时，降低了算法的复杂度，减少了原有CFAR检测的计算量，提高了检测效率。
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公开(公告)号：CN113078471B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202010003703.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种反射面和差网络天线。该天线包括反射面天线、馈源以及和差网络，馈源连接至和差网络，其中，馈源采用单耳型喇叭，两个以上的单耳型喇叭成对对称分布在反射面天线焦点的两侧；单耳型喇叭为角锥喇叭的形状，喇叭口的边缘延伸设置有单耳结构。本发明提出的新型反射面和差网络天线，为馈源对反射面天线的遮挡问题提供了一种有效解决办法，能够在减小馈源相位中心相对反射面焦点偏移的同时得到高增益、低副瓣、低零值深度和高度对称的扇形和差波束。
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公开(公告)号：CN103761989B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410003915.8
申请日：2014-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: G11C16/06
Abstract: 利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法，选取未注入过电荷的SONOS存储器，改变源漏电压VDS的大小，测量不同VDS下的阈值电压VTH，得到VTH随VDS变化的分布；通过低压电荷注入过程将单电荷注入到SONOS存储器的氮化物存储层中；注入单电荷的SONOS存储器，得到VTH在VDS＞0时随VDS的分布；利用DIBL效应得到由于单电荷注入导致的阈值电压变化ΔVTH与沟道位置X的高斯分布函数；统计出不同沟道位置X处高斯分布的强度A和半峰宽W；测量待测SONOS存储器由于存储电荷引起的阈值电压变化;利用单电子信息，转化为采样点Xi处单电子注入引起的阈值电压变化的函数之和。最终得到存储层中电荷沿沟道方向分布。
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公开(公告)号：CN104091851B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410258303.3
申请日：2014-06-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状，漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构，环栅结构缩小了源极面积，减小了源端寄生电容。在探测太赫兹波段时，环栅MOSFET结构比等效的直栅MOSFET结构能得到更大的电压响应RV和更小的噪声等效功率NEP。
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