公开(公告)号：CN1900745B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200610088286.9

申请日：2006-07-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  刘成祥 ,  赵红 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: G02B5/08 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L51/00 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5-50nm厚的低温LT-GaN、50-2000nm厚的高温HT-GaN和或加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN；最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5-50nm厚的低温LT-GaN/50-2000nm厚的高温HT-GaN/和或包括加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN/最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN结构。

公开(公告)号：CN101777488A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010101550.4

申请日：2010-01-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  张荣 ,  谢自力 ,  李亮 ,  修向前 ,  华雪梅 ,  赵红 ,  陈鹏 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/09

Abstract: 提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法，采用MOCVD在α-Al2O3衬底上外延生长AlxGa1-xN合金薄膜层，采用AlN缓冲层或插入层防止薄膜层产生裂纹，通过对Al/Ga摩尔比的控制，实现对AlxGa1-xN的Al组分进行调节，Al组分范围为0≤x≤0.8；Al组分的控制方法是：保持注入Al的摩尔量一定，降低Ga和Al摩尔比范围从5.8至0.46。本发明可获得Al组分x高达0.8的AlxGa1-xN合金，Al掺入效率提高9％；质量优良，AlxGa1-xN(0002)典型的X射线摇摆曲线半峰宽小于300弧秒；发光性能优良，阴极荧光谱展示了显著强烈的带边发光峰；表面光滑平整，典型粗糙度(RMS)小于0.8nm。

公开(公告)号：CN100395379C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200510123107.6

申请日：2005-12-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500-700℃温度范围生长厚度在20-100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900-1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。

公开(公告)号：CN1195006C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN03131504.6

申请日：2003-05-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 薛奇 ,  周东山 ,  王晓亮 ,  孙清 ,  李亮

IPC: C08J3/11 ,  C08L27/06

Abstract: 高聚合度和超高聚合度聚氯乙烯解缠结母料的制备方法，属聚氯乙烯加工工艺领域，将高聚合度或超高聚合度聚氯乙烯按2-10wt%溶于中分子溶剂邻苯二甲酸二(2-乙基己)酯中，加热、搅拌、溶解至透明，自然冷却至室温，溶液可以直接用于各种配方，或者将溶液用乙醇或甲醇洗涤、过滤、干燥，得到解缠结的高聚合度或超高聚合度聚氯乙烯母料，解缠结的高聚合度和超高聚合度聚氯乙烯母料的加工流动性大大提高，同时，其它物理机械性能不变。