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公开(公告)号：CN106229287B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610865697.8
申请日：2016-09-30
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种用于微元件的转移的转置头及微元件的转移方法，所述转置头包括：腔体；若干真空路径，分别与所述腔体相通，在相通处分别设置可开/关的阀门；若干个吸嘴，分别与所述真空路径相通，所述吸嘴使用真空压力吸附微元件或释放微元件，所述真空压力经由各真空路径传送；开关组件，用于控制各真空路径的阀门的开或关，从而控制所述吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。
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公开(公告)号：CN105633236B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610002739.5
申请日：2016-01-06
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，从下至上依次包括：衬底；发光外延层，由半导体材料层堆叠而成，形成于衬底之上；掺有导电性的金属纳米基团的电流扩展层，形成于所述发光外延层之上；对可见光具有高透过率的金属纳米基团，形成于所述电流扩展层之上。掺有导电性的金属纳米基团，分散于所述电流扩展层的内部，减小电流扩展层的横向电阻，以提高电流横向扩展的均匀性；对可见光具有高透过率的金属纳米基团，分布于所述电流扩展层上表面，起到粗化的效果，以增加光的提取效率。
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公开(公告)号：CN108561764A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810233531.3
申请日：2018-03-21
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： F21K9/20 , F21K9/64 , F21V9/30 , F21V9/40 , F21V19/00 , H01L25/075 , H01L33/50 , F21Y115/10
摘要： 本发明提供一种LED灯丝结构及LED照明灯，包括：基板；LED芯片组件，包括至少一个第一LED芯片及至少一个第二LED芯片，相邻LED芯片之间具有间距；荧光材料层，包覆各LED芯片；滤光材料层，覆盖于第一LED芯片及第二LED芯片中任意一者的表面，LED灯丝结构刚点亮时，滤光材料层不透光，使得荧光材料层发出第一色温的光；LED灯丝结构点亮后的预设时间内，滤光材料层逐渐变为透明，使得第一LED芯片及第二LED芯片发出的光均可激发荧光材料层发出第二色温的光，第二色温与第一色温不同。本发明基于滤光材料层，通过环境(如光、热)的改变，达到灯丝灯的色温及亮度的改变，使得LED灯丝结构及照明灯接近白炽灯，且结构简单、易于实现，生产工艺和白炽灯接近，利于生产。
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公开(公告)号：CN108258088A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810108493.9
申请日：2018-02-02
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
发明人： 徐宸科
摘要： 本发明有关一种微发光装置的键合治具及其键合方法，其主要由若干块多孔板构成，各多孔板设有穿孔以容置依据待键合微发光装置待分离点设置的顶针，顶针两端凸伸出治具，其在待键合微发光装置端，为与待键合微发光装置的待分离点对应的接触端，而在针床端，则为与针床的弹簧针接触的接触端，各顶针依据待分离点具有适当的斜率，该针床端的多孔板穿孔外缘具有容设顶针端部的定位孔，且该定位孔深度依据所容置顶针的斜率大小而定，使待键合微发光装置端的顶针具有相同出针长度，具有提高键合治具的稳定性，避免微发光装置键合排列不齐的效果。
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公开(公告)号：CN105047793B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510513557.X
申请日：2015-08-20
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提供发光二极管封装结构的制作方法，包括工艺步骤：提供一荧光膜；将若干个倒装芯片与所述荧光膜贴合，所述倒装芯片的电极远离荧光膜；在所述荧光膜之上形成透明材料层，包围所述倒装芯片除电极之外的侧表面，其中位于相邻倒装芯片之间的透明材料层侧表面呈U型或V型；在所述倒装芯片、透明材料层之上填充第一反光材料层；将所述第一反光材料层进行研磨或喷砂，直至露出倒装芯片的电极，使得所述第一反光材料层的上表面不高于所述倒装芯片的电极上表面；沿所述相邻倒装芯片之间的中心线切割成若干个单元，即得到发光二极管封装结构。
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公开(公告)号：CN108231651A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711426885.1
申请日：2017-12-26
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种微元件转移装置和利用该转移装置进行微元件转移的方法。该转移装置包括第一传输装置、第一载盘、第二载盘、挤压装置和释放装置；第一传输装置包括传输带，其下表面设有可分解胶材；第一载盘和第二载盘，分别用于放置待转移的微元件和接收转移后的微元件；挤压装置可在垂直方向上、下移动，用于挤压传输带，使传输带上的可分解胶材接触并抓取其下方的微元件；释放装置用于促使所述传输带的可分解胶材分解，从而释放传输带抓取的微元件。本发明提供的转移装置和方法，通过挤压装置、释放装置和分解胶材的结合，在准确定位的同时，实现一个或多个微元件的高效转移。
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公开(公告)号：CN105336732B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510665295.9
申请日：2015-10-16
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/02 , B23K26/38
摘要： 半导体器件，从下至上包括待加工层、标示层和功能层，所述待加工层最终需通过隐形切割技术在切深位置加工，所述标示层为所述隐形切割的预切割道和实际切割道提供对比位置关系，所述功能层为半导体器件的功能部分。本发明藉由标示层在预定区域的发光，在隐形切割中提供定位标记，从而实现对隐形切割精度提供监控，有利于降低生产异常概率，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN104064645B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410313767.X
申请日：2014-07-03
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/06
摘要： 本发明提供一种提升LED抗静电能力与亮度的制备方法，包括步骤：提供一基板；在所述基板上形成发光外延叠层，其从下至上至少包含N型层、发光层和P型层；在所述P型层上形成电流扩展层；从电流扩展层表面往下挖孔至部分P型层内，使得电流扩展层与P型层呈图案化，通过移除发光外延叠层表面上容易导电与易吸光的物质，减少金属与残留物在外延缺陷表面上，改善外延缺陷，从而提升LED抗静电能力与亮度。
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公开(公告)号：CN104465930B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410780532.1
申请日：2014-12-17
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管，其根据光学各向异性的原理，结合应力对MQW的o光的介电常数虚部ε2和跃迁机率影响的原理，通过增加MQW的张应力，增强沿C轴方向的o光的跃迁机率，提升从正面出光，可有效提升发光二极管的发光效率。
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