-
公开(公告)号：CN112786643B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202110228326.X
申请日：2018-03-20
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明公开的微发光元件、微发光二极管及其转印方法，其中微发光元件包括若干个微发光二极管、具有容置微发光二极管的凹槽的基架、用于连接微发光二极管和基架的桥臂，若干个大于等于1，在微发光二极管位于桥臂一侧的上表面具有高于桥臂的凸起，或者与微发光二极管连接的桥臂上表面具有凸起，以解决转印过程中印刷印模易压断桥臂转印微发光二极管的问题，提高微发光二极管的转印良率。
-
公开(公告)号：CN113066812B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202110252031.6
申请日：2017-12-21
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 微发光元件，包括转移材料层、微发光二极管，转移材料层至少覆盖微发光二极管的顶面或侧面，转移材料层至少分为转移状态和稳定状态；在转移状态下，转移材料层为柔性材料；在稳定状态下，微发光二极管设置在转移材料层的凹槽中，凹槽的深度为0.1~5μm，转移材料层向微发光二极管提供夹持力，解决微发光二极管转移过程中容易松动或脱落的问题，提高微发光二极管转移的良率，特别是大量转移的良率。
-
公开(公告)号：CN114447163A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210110504.3
申请日：2018-02-02
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
发明人： 徐宸科
摘要： 本发明有关一种微发光装置的键合治具及其键合方法，其主要由若干块多孔板构成，各多孔板设有穿孔以容置依据待键合微发光装置待分离点设置的顶针，顶针两端凸伸出治具，其在待键合微发光装置端，为与待键合微发光装置的待分离点对应的接触端，而在针床端，则为与针床的弹簧针接触的接触端，各顶针依据待分离点具有适当的斜率，该针床端的多孔板穿孔外缘具有容设顶针端部的定位孔，且该定位孔深度依据所容置顶针的斜率大小而定，使待键合微发光装置端的顶针具有相同出针长度，具有提高键合治具的稳定性，避免微发光装置键合排列不齐的效果。
-
公开(公告)号：CN113506846A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110608147.9
申请日：2019-12-31
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种紫外LED封装结构，包括紫外LED芯片、具有至少两基板电极的封装基板和将紫外LED芯片覆盖的封装胶材，所述紫外LED芯片的正负芯片电极分别与两基板电极导通，且在正负芯片电极以及两基板电极之间具有绝缘间隙，所述绝缘间隙内填充有遮蔽物，该遮蔽物为含有部分结晶物的氟树脂材料，以解决现有紫外LED封装结构可靠性较差的问题。
-
公开(公告)号：CN108183099B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201711397732.9
申请日：2017-12-21
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/50
摘要： 本发明提供一种白光LED封装结构，包括：基板，LED芯片以及波长转换材料层；其特征在于：至少两种波长的LED芯片，其中第一种LED芯片的峰值波长介于385~425nm之间，第二种芯片的峰值波长长于第一种LED芯片的峰值波长，所述波长转换材料层的发射光谱峰值波长介于440~700nm，所述波长转换材料层吸收由所述LED芯片射出的光而发出白光源。
-
公开(公告)号：CN112397487A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910738265.4
申请日：2019-08-12
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种发光器件及制作方法和含该发光器件的显示屏和照明器材，发光器件包括：彼此间隔的至少三个LED芯片，至少三个LED芯片被配置为发射各自波长的光，其发光区域的最大直径D为1mm以下；封装层，覆盖至少三个LED芯片的侧表面并填充该至少三个LED芯片之间的间隙；透镜，设置于该至少三个LED芯片的第一表面的上方，且覆盖该至少三个LED芯片的发光区域。本发明发光器件没有传统的承载基板或支架而是通过封装层固定，无需通过固晶胶进行固晶，使得芯片之间的间距可以变小至30μm以下，能够更好的控制发光器件发光角度的一致性。发光器件的发光区域上方设置有透镜，使得光能更加集中的照射到所要应用的区域。
-
公开(公告)号：CN109860369B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910233163.7
申请日：2019-03-26
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体发光器件制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个发光结构，所述发光结构之间包括切割区域；在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层，所述牺牲层形成在所述发光结构之间的所述切割区域上方的绝缘保护层上，并且沿切割方向延伸。采用激光对半导体发光器件进行切割划片时，首先对牺牲层进行刻蚀，牺牲层能够吸收激光的能量，作为能量缓冲层和扩散层，避免绝缘保护层因能量骤增导致的破裂等损坏。在激光作用下，牺牲层被激光灼烧掉，不会存留对半导体发光器件产生影响的残留物，不会对半导体发光器件的性能产生影响。
-
公开(公告)号：CN108231968B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201711306978.0
申请日：2017-12-11
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/20 , H01L21/683 , H01L33/00
摘要： 本发明公开了微发光二极管及其转移方法，提供顶面具有孔洞的微发光二极管芯粒，在芯粒的侧面和底面镀上牺牲层，芯粒通过牺牲层与键合层固定，芯粒再通过键合层键合到临时基板上，设置分别连接键合层和芯粒的桥结构，消耗掉牺牲层，形成转移装置。转移膜通过挤压孔洞，施加给芯粒一个相对于桥结构的扭矩，在扭矩作用下，芯粒与桥脱离，通过转移膜固定芯粒进行转移。
-
公开(公告)号：CN106601657B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201611137362.0
申请日：2016-12-12
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
发明人： 徐宸科 , 邵小娟 , 郑建森 , 梁兴华 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC分类号： H01L21/677 , B81C1/00 , B81C3/00
摘要： 本发明提供了一种微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备，其中微元件的转移系统，包括：主拾取装置，用于拾取或释放微元件；测试装置，具有测试平台和一系列测试电路，所述平台表面上设有一系列测试电极，与所述测试电路连接；第一载盘，用于放置原始的微元件阵列；第二载盘，用于放置接收基板；在使用所述转移系统进行转移微元件过程中，采用所述主拾取装置拾取微元件并将其移至测试装置的平台上，采用该测试装置测试微元件，根据测试结果将所述主拾取装置拾取的微元件中合格的微元件释放于接收基板上。
-
公开(公告)号：CN108039415B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201711065564.3
申请日：2017-11-02
申请人： 厦门市三安光电科技有限公司
CPC分类号： H01L21/561 , H01L24/81 , H01L33/48 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L51/50 , H01L2021/603 , H01L2224/818 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
摘要： 本发明提供一种微元件的封装方法，包括：1)于基底上形成封装材料层，并对封装材料层进行半固化处理；2)基于封装材料层的表面粘性，将微元件的阵列抓取于封装材料层表面；3)将微元件的阵列与封装基板上的共晶金属对准接合；4)对微元件的阵列与共晶金属下进行共晶处理，并保持封装材料的半固化状态；5)将半固化的封装材料层与封装基板进行压合，使封装材料层包覆微元件，并对封装材料进行完全固化；以及6)去除基底。本发明利用半固化的硅胶实现微元件的抓取，并利用低温高真空压合实现微元件的转移及密封，工艺简单流畅，可实现微元件的无空隙封装，提高封装质量并有效降低封装成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
225 条记录 (耗时 0.051 秒)