公开(公告)号：CN119521681A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411532086.2

申请日：2024-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伊莎·达泰 ,  山姆·瓦泽里 ,  鲍新宇

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31

Abstract: 本公开实施例的一个方面涉及集成电路(IC)结构及其形成方法。IC结构可以包括以第一间距设置的第一多个热通孔和以第二间距设置的第三多个热通孔，第二间距大于第一间距。

公开(公告)号：CN119517874A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411542013.1

申请日：2024-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伊莎·达泰 ,  山姆·瓦泽里 ,  鲍新宇

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/367

Abstract: IC结构包括：前侧互连结构，位于器件层的前侧上，前侧互连结构包括通过IMD层彼此隔离并且嵌入在IMD层中的第一金属部件和第二金属部件，第一金属部件电连接至晶体管器件，并且第二金属部件与晶体管器件电隔离；背侧互连结构，位于器件层的背侧上，背侧互连结构包括通过背侧IMD层彼此隔离并且嵌入在背侧IMD层中的第三金属部件和第四金属部件，第三金属部件电连接至晶体管器件，并且第四金属部件与晶体管器件电隔离。IC结构还包括位于背侧互连结构的背侧上的具有导热且电绝缘的材料的散热器层。本申请的实施例还涉及集成电路(IC)结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN114661267A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111197712.3

申请日：2021-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 柯文升 ,  吴瑞仁 ,  刘仁杰 ,  安隼立 ,  鲍新宇 ,  张孟凡

IPC: G06F7/58

Abstract: 本揭露引入一种随机数产生器，包括：控制电路、振荡电路、动态标头电路、振荡检测电路以及锁存器电路。控制电路扫描多个配置当中的偏置控制信号的配置。动态标头电路基于偏置控制信号的配置而产生偏置电压。振荡电路基于偏置电压而产生振荡信号。振荡检测电路检测振荡信号的起始，且输出锁定信号。锁存器电路根据触发信号锁存振荡信号以输出随机数，其中触发信号在锁定信号被输出之后被确证，且偏置控制信号的配置在锁定信号被输出之后被锁定。还引入一种用于产生随机数的方法和随机数产生器的操作方法。

公开(公告)号：CN119542142A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411568781.4

申请日：2024-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 山姆·瓦泽里 ,  鲍新宇 ,  伊莎·达泰

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本公开的一个方面涉及半导体器件制造的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成晶体管；在晶体管上方形成第一金属层和上覆的第二金属层；在上覆的第二金属层上方沉积散热层；以及将散热层退火至阈值温度以上的温度。在阈值温度以下实施散热层的沉积。在退火期间，第一金属层和上覆的第二金属层保持在阈值温度以下。本申请的实施例的一个方面还涉及集成电路结构。

公开(公告)号：CN119517901A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411512684.3

申请日：2024-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 山姆·瓦泽里 ,  鲍新宇 ,  伊莎·达泰

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的实施例涉及集成电路(IC)结构及半导体器件的制造方法。IC结构包括形成在衬底上的晶体管器件，其中晶体管器件具有源极/漏极(S/D)区域和栅极结构。在衬底上形成包括嵌入在金属间介电(IMD)层中的金属线和金属通孔的多层互连(MLI)结构。并且形成散热层，该散热层具有设置在MLI结构的至少部分上方的具有多个峰和谷的表面。接合层设置在散热层上方，并且覆盖多个峰和谷。

公开(公告)号：CN116685151A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310383172.0

申请日：2023-04-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政宪 ,  鲍新宇 ,  安隼立

IPC: H10B63/10

Abstract: 实施例包括形成交叉点存储器器件的方法、形成多层选择器材料的方法和器件。多层选择器结构的第一层可以包括多层选择器结构的第二层的元素的子集。开关元件的梯度浓度可以在选择器结构中找到，第一层包括基本稳定的元素浓度，第二层包括共有元素以及第一层独有的元素的浓度梯度。本申请的实施例还提供了存储器器件以及形成存储器结构的方法。

公开(公告)号：CN113257848A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202010307652.5

申请日：2020-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲍新宇 ,  黄汉森

IPC: H01L27/24

Abstract: 在嵌置有第一导电结构的第一介电材料层之上形成通孔级介电材料层。穿过通孔级介电材料层形成通孔腔。至少一个笔直侧壁从通孔级介电材料层的顶表面处通孔腔的闭合上部外围垂直延伸到通孔腔的与第一导电结构的顶表面邻接的闭合下部外围。通过依序形成包含下部柱结构及上部柱结构的一组材料部分在通孔腔中形成柱堆叠结构。下部柱结构及上部柱结构包括选择器材料柱及存储器材料柱。可在柱堆叠结构的顶表面上形成第二导电结构。可在阵列配置中使用柱堆叠结构。