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公开(公告)号：CN107978688A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711324202.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED及制备方法。所述的电致发光LED包括：ITO玻璃作为底部电极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层(ETL)和空穴阻挡层(HBL)；PbS包覆钙钛矿量子点作为发光层；p型4,4’，4”-三(咔唑-9-基)苯胺薄膜作为空穴传输层(HTL)和电子阻挡层(EBL)；MoO3/Au作为顶部电极。其制备方法包括：首先制备铯油酸溶液，之后经制备PbS包覆的CsPbI3量子点、电子传输层和空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和电子阻挡层等步骤，获得PbS包覆钙钛矿量子点电致发光LED。本发明通过采用PbS包覆钙钛矿量子点，提高钙钛矿量子点光电性能，同时保证其稳定性和保持其良好的半导体性能，并以此作为发光层制备高效稳定的电致发光LED。
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公开(公告)号：CN117529130A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311560294.9
申请日：2023-11-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及发光二极管和显示技术领域，公开了一种利用预沉积层优化准二维蓝光LED器件的方法，包括以下步骤：将ITO基底，分别用去离子水、乙醇以及丙酮反复清洗，接着采用紫外臭氧机清洗；将PEDOT:PSS溶液以旋转涂布的方式沉积到步骤1所得的基底表面，本发明通过采用硫氰酸铵或硫氰酸胍作为预沉积材料，制备位于空穴传输层及发光层之间的预沉积层，利用预沉积层中预沉积材料的扩散作用，对准二维钙钛矿薄膜的相分布和导电性进行了有效的提升；同时由于预沉积层对于准二维薄膜的相分布的调整，从而使得能量传递效率更高，器件的能级结构适配，从而进一步提升了蓝光器件的发光性能。
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公开(公告)号：CN116367677A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310501754.4
申请日：2023-05-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及钙钛矿发光二极管技术领域，公开了一种柔性准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法，所述一种柔性准二维钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：将PET/ITO基地，用无尘布蘸取无水乙醇反复擦拭，随后运用紫外臭氧机清洗；将PEDOT:PSS溶液旋转涂布的方式沉积到步骤1所得的基底表面，再进行后期退火。本发明采用改良过的反溶剂薄膜制备工艺，通过将聚乳酸添加剂引入钙钛矿薄膜中，可形成致密且缺陷密度低的钙钛矿薄膜。还可形成具有高柔韧性的钙钛矿薄膜，制备所得的柔性钙钛矿发光二极管的发光效率和柔韧性有明显提升，且本发明的制备方法操作简单，耗时少，效率高。
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公开(公告)号：CN116023938A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310029258.3
申请日：2023-01-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/62 , C09K11/75 , B82Y30/00 , H01L33/50 , G01N21/3504
Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域，公开了镧系离子掺杂双钙钛矿纳米晶及其制备方法和应用，所述镧系离子掺杂双钙钛矿纳米晶的化学式为Cs2MIn1‑x‑yCl6:x％Sb3+,y％Ln3+。本发明由于双钙钛矿基质低声子能量、优异稳定性、无毒、提供八面体配位环境，有利于镧系离子掺杂；同时具有高吸收系数的锑离子传能给镧系离子，进一步的碱金属取代调制了锑离子到镧系离子的能量传递效率同时降低了镧系离子周围的晶体环境，增强了镧系离子的辐射速率，提高了镧系离子的红外发光效率；具有丰富红外能级的钐、钕、铒三掺杂实现了有效的超宽红外发射，在夜视成像和气体检测方面展示着巨大的发展潜力。
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公开(公告)号：CN113921732B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202111168619.X
申请日：2021-09-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于照明技术领域，提供了一种基于4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法，包括：电致发光LED结构，所述电致发光LED结构包括阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极依次连接，所述发光层采用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3。本发明能够利用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3纳米晶制备出高效的LED。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114497431A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210072209.3
申请日：2022-01-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种准二维薄膜制备方法，属于发光二极管和显示技术领域，解决了现有准二维薄膜制的工艺复杂和效率低的问题，其技术要点是：包括所述的钙钛矿薄膜是由三维钙钛矿纳米晶和准二维钙钛矿薄膜组成，其中三维钙钛矿纳米晶表面由合适长链有机配体进行改性，以适应薄膜内部的级联能量传递过程，通过在反溶剂中引入带有特定基团的三维钙钛矿纳米晶，在薄膜制备过程中纳米晶可以作为结晶种子，调控薄膜的结晶生长动力学过程，钝化内部缺陷，降低薄膜内部本身的非辐射复合机率，又可以构建小n相到三维钙钛矿纳米晶的额外载流子传输通道，促进光生载流子辐射复合有效地提高薄膜的光发射效率，具有制备工艺简单和效率高的优点。
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公开(公告)号：CN113903867A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111150430.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于电致发光器件技术领域，提供了一种电致发光LED及其制备方法，所述电致发光LED包括ITO玻璃作为阴极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层和空穴阻挡层；4－三氟甲基苯乙胺氢碘酸盐钝化的CsPbI3钙钛矿量子点作为发光层；P型4，4’，4”－三(咔唑－9－基)苯胺薄膜作为空穴传输层和电子阻挡层；MoO3/Ag作为阳极。本发明中的电致发光LED及其制备方法通过采用CF3PEAI钝化CsPbI3钙钛矿量子点，得到了表面缺陷较少、量子效率高、稳定性较好及性能优异的CsPbI3钙钛矿量子点，基于这种钙钛矿量子点作为发光层，制备出了高效的红光发射电致发光LED。
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公开(公告)号：CN109256494A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811047984.3
申请日：2018-09-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种SrCl2掺杂的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法，属于照明技术领域。采用ITO为阴极，ZnO量子点膜/聚乙烯亚胺双层作为电子传输层和空穴阻挡层，其中ZnO量子点膜层的厚度为40～50nm，聚乙烯亚胺层的厚度为10～20nm；SrCl2掺杂的钙钛矿量子点为发光层，厚度为60～75nm；“4,4,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺作为空穴传输层和电子阻挡层，厚度为50～65nm；MoO3/Au为阳极，MoO3厚度为70～100nm，Au厚度为10～20nm。本发明SrCl2掺杂的钙钛矿量子点作为发光层，制备出LED器件，明显增强了器件的性能，具有低阈值工作电压和高外量子效率。
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公开(公告)号：CN108832012A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810628938.6
申请日：2018-06-19
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L51/502 , B82Y30/00 , H01L51/5215 , H01L51/5221 , H01L51/5234 , H01L51/56
Abstract: 一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED及其制备方法，属于照明技术领域。本发明所述的一种自发性Ag掺杂与钝化的钙钛矿量子点LED，采用Ag替代ITO作为阴极，依次由衬底、Ag阴极层、ZnO量子点/聚乙烯亚胺双层电子传输层、CsPbI3钙钛矿量子点发光层、“4,4,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺空穴传输层、MoO3/Au/MoO3阳极层组成。本发明将Ag作为阴极，并选取MoO3/Au/MoO3作为阳极保证良好的透明性与导电性，实现银离子自发掺杂到钙钛矿量子点薄膜中，有效钝化钙钛矿量子点表面缺陷，进而提高钙钛矿量子点LED的性能，明显改善钙钛矿量子点及钙钛矿量子点LED的稳定性。
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公开(公告)号：CN119451519A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411547329.X
申请日：2024-11-01
Applicant: 吉林大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/15 , H10K71/16 , H10K50/115
Abstract: 本发明适用于发光器件技术领域，提供了一种基于金属纳米团簇的红光电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：将四氢噻吩金与4'‑乙炔基苯并15‑冠‑5溶解于二氯甲烷溶液中；滴加三乙胺溶液，挥发溶剂并用二氯甲烷溶液重新溶解得到橙红色溶液；将其密封，扩散结晶，收集橙红色针状晶体；将橙红色针状晶体与Cu(NCMe)4PF6溶解于二氯甲烷溶液中，得到透明红色溶液；将其密封，扩散结晶，收集红色针状晶体；将红色针状晶体溶解于含有TCTA与OXD‑7的二氯甲烷溶液中，得到主客体混合溶液；初步制备主客体与绝缘层修饰的团簇红光电致发光器件：将产物转移到真空腔内，依次沉积超薄LiF、PO‑T2T、LiF和Al层。本发明实施例的红光电致发光器件亮度提升明显，外量子效率高，器件稳定性好。
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