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公开(公告)号：CN112795883B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011573076.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高红外开关率的钒基氧化物薄膜的制备方法，涉及一种高红外开关率的薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的氧化钒薄膜无法实现85％以上中红外透过率的同时保证较高红外开关率的技术问题。本发明方法结合了磁控溅射镀膜系统和后退火处理，该方法所需设备成本较低、工艺操作简单、性质稳定，可批量生产。本发明制备的钒基氧化物薄膜具有优异的红外开关性能，光开关率可达88％以上，同时保证了中波红外光区透过率可达85％以上。此种高红外开关率钒基氧化物薄膜保证了薄膜在服役过程中优异的红外透过率和优异的光开关性能，适用于智能窗、热致相变器件，尤其是激光防护器件的研制。
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公开(公告)号：CN113235042A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110516132.X
申请日：2021-05-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 抗激光损伤混杂VOx相的制备方法，本发明属于功能薄膜材料，它为了解决现有采用不同工艺制备的氧化钒薄膜的光学调制性能参差不齐，极大的限制了薄膜的激光防护效能的问题。制备方法：一、超声清洗基底材料和靶材；二、安装V2O3靶材；三、真空室抽气；四、设置沉积温度，采用直流偏压反溅清洗；五、当等离子亮起后降低气压至0.5～1.5Pa，同时通入0.3～0.8sccm的O2，设置偏压为‑100～‑140V，进行预溅射清洁靶材表面，然后打开挡板，沉积薄膜。本发明还可采用退火方法。本发明利用射频磁控溅射工艺，通过控制沉积工艺参数，制备了主要成分为VO2和V2O5的高VO2比例混杂晶态VOx相薄膜。
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公开(公告)号：CN109659396B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN108165947B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810226135.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 用于修补平面沉积膜层的自吸式磁控溅射系统及溅射方法，它涉及一种磁控溅射系统及溅射方法。本发明为了解决现有的大型平面结构件表面膜层发生脱落、起皮等现象后，存在不易进行再次镀膜修复，直接影响到结构件或是功能件的寿命和功能性的问题。本发明包括真空室组件、磁控靶挡板组件和磁控靶组件，磁控靶挡板组件通过控制第一手轮的旋转，使得挡板轴运动，同时万向节发生运动带动挡板的左右运动，实现遮挡溅射辉光的作用；磁控靶通过直靶支杆和靶支座固定在真空室桶内，采用屏蔽靶套套在永磁靶头上，防止溅射过程中辉光收到外界环境干扰。溅射方法包括准备工作、抽真空、起辉、镀膜修补和取下系统。本发明用于修补平面沉积膜层中。
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公开(公告)号：CN108535329A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810254164.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 薄层导电材料的测试装置、表面电阻的测试方法、损伤信息的测试方法，涉及薄层导电材料的测试领域，为了解决现有接触式检测只能在导电材料表面进行接触测量，以及涡流损伤检测在nm级厚度材料的检测中不能适用的问题。恒流的射频电流发生器用于驱动LC振荡电路，薄层导电材料通过缠绕电感线圈的铁氧体耦合到LC振荡电路中；滤波电路用于对LC振荡电路输出的电压进行滤波，得到直流电压。如果直流电压发生变化，则薄层导电材料存在损伤，否则不存在损伤。采用已知表面电阻的标准薄层导电材料进行标定；计算表面电阻与直流电压的对应关系；结合耦合待测薄层导电材料时的直流电压得到待测薄层导电材料的表面电阻。本发明适用于测试薄层导电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108470782A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料及其制备方法，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN111690905A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010589832.7
申请日：2020-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种多刺激响应型瞬时强光防护复合薄膜及其制备方法，本发明涉及一种瞬时强光防护复合薄膜及其制备方法。本发明解决现有的聚合物/液晶材料及器件在中红外波段防护效果不理想及稳定性较差的问题。复合薄膜由两侧表层及电致变色夹层组成，所述的两侧表层由外至内依次为衬底、热致变色层及透明导电层，所述的电致变色夹层由两侧的液晶分子取向层和中间的聚合物稳定液晶膜层组成；方法：一、制备热致变色层；二、制备透明导电层；三、制备液晶分子取向层；四、制备液晶均相混合液；五、制备电致变色层。本发明用于多刺激响应型瞬时强光防护复合薄膜及其制备。
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公开(公告)号：CN108470782B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN108481766A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810341519.4
申请日：2018-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种有机玻璃飞机座舱盖及舷窗的裂纹修复方法，它涉及一种玻璃的裂纹修复方法。本发明是要解决现有的有机玻璃飞机座舱盖及舷窗的裂纹修复方法需要从框架上拆卸有机玻璃，延长了维修时间，且处理后的有机玻璃机械性能下降的技术问题。本发明：一、水洗带有裂纹的有机玻璃去除表面污渍；二、样品的打磨；三、样品的清洗和烘干；四、样品表面喷涂修复液；五、样品表面修复液固化。本发明采用首先采用水砂纸进行快速打磨去除表面的裂纹，可实现有机玻璃的原位修复，并降低研磨量，提高原板质量；然后喷涂修复液以增加有机玻璃的透过率。此种方法修复后有机玻璃表面平滑性好、透过率高，同时该有机玻璃方法工艺操作简单、成本低，适合应急快速维修。
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公开(公告)号：CN108165947A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810226135.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 用于修补平面沉积膜层的自吸式磁控溅射系统及溅射方法，它涉及一种磁控溅射系统及溅射方法。本发明为了解决现有的大型平面结构件表面膜层发生脱落、起皮等现象后，存在不易进行再次镀膜修复，直接影响到结构件或是功能件的寿命和功能性的问题。本发明包括真空室组件、磁控靶挡板组件和磁控靶组件，磁控靶挡板组件通过控制第一手轮的旋转，使得挡板轴运动，同时万向节发生运动带动挡板的左右运动，实现遮挡溅射辉光的作用；磁控靶通过直靶支杆和靶支座固定在真空室桶内，采用屏蔽靶套套在永磁靶头上，防止溅射过程中辉光收到外界环境干扰。溅射方法包括准备工作、抽真空、起辉、镀膜修补和取下系统。本发明用于修补平面沉积膜层中。
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