-
公开(公告)号：CN109182991B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201811313451.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 适用于共形基底表面镀膜的磁控溅射镀膜装置相对运动机构及其镀膜方法，涉及一种磁控溅射镀膜装置相对运动机构及镀膜方法。目的是解决磁控溅射装置在共形结构表面均匀镀膜难度大的问题。机构由活动样品台和摆动靶头构成；摆动靶头中靶头轨道的槽底部由左端向右端上升的阶梯，相邻阶梯为弧形过渡面；靶头支架的行走轮设置在靶头轨道内。装置中靶头支架沿着靶头轨道的槽底部前后移动过程中会上下摆动，靶头支架同时会带动靶头前后移动和上下摆动，使靶头的朝向发生改变；实现共形基底表面镀膜。装置免去了掩膜板的使用，进而提高了沉积速率，解决共形表面的均匀镀膜问题。本发明适用于共形基底表面镀膜。
-
公开(公告)号：CN111560602A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010287655.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 一种氧化物薄膜表面复合的优化方法，涉及一种氧化物薄膜表面的优化方法。本发明是要解决传统薄膜制备方法不可避免的存在针孔、晶粒与晶粒之间存在缝隙，粗糙度比较大等特点，造成了一定程度上的湿热耐久性差能，而原子层沉积技术存在制备薄膜沉积速度低、成本高等缺点，不适应于完全采用原子层沉积制备厚度较大的薄膜的技术问题。本发明建立复合结构，通过修饰层的制备消除了结构层表面的针孔，使其表面缺陷得到补偿，化学成分更加的均一，表面势分布梯度更小，提高了膜层表面质量。本发明普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点，具有较好的推广价值。兼顾现有膜层制备技术的结构功能特性，且价格低廉，适于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN109182991A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811313451.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 适用于共形基底表面镀膜的磁控溅射镀膜装置相对运动机构及其镀膜方法，涉及一种磁控溅射镀膜装置相对运动机构及镀膜方法。目的是解决磁控溅射装置在共形结构表面均匀镀膜难度大的问题。机构由活动样品台和摆动靶头构成；摆动靶头中靶头轨道的槽底部由左端向右端上升的阶梯，相邻阶梯为弧形过渡面；靶头支架的行走轮设置在靶头轨道内。装置中靶头支架沿着靶头轨道的槽底部前后移动过程中会上下摆动，靶头支架同时会带动靶头前后移动和上下摆动，使靶头的朝向发生改变；实现共形基底表面镀膜。装置免去了掩膜板的使用，进而提高了沉积速率，解决共形表面的均匀镀膜问题。本发明适用于共形基底表面镀膜。
-
公开(公告)号：CN105112869B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510547036.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法，本发明涉及红外透明导电薄膜的制备方法。本发明要解决现有的红外探测器的保护罩红外透过率低以及表面霜雾会对成像的质量产生影响的问题。方法：一、清洗；二、准备工作；三、镀膜；四、关机，即完成钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。本发明用于钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。
-
公开(公告)号：CN105063565A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510546952.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，它涉及红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，尤其涉及一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法。本发明要解决现有的被动式红外探测系统中红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明按以下步骤进行：一、焊接；二、清洗；三、镀膜前准备工作；四、在氧气氛中溅射镀膜；五、关机。本发明解决了红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明适用于红外透明导电氧化物薄膜的制备领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104928641A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510415525.6
申请日：2015-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，本发明涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜红外透过率低和耐候性差的问题。方法：一、清洗；二、镀膜前准备工作；三、镀制VO2薄膜；四、退火；五、镀制SiO2薄膜；六、关机，即完成氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明用于氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。
-
公开(公告)号：CN111276277B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010091737.4
申请日：2020-02-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有红外透明导电功能的窗口，属于红外光学材料领域及电子材料领域。本发明是要解决现有的红外透明导电功能的窗口无法兼顾电磁屏蔽和高红外透过率性能的技术问题。本发明的具有红外透明导电功能的窗口是由衬底和依次生长于所述衬底上的透明导电层和红外增透层组成。本发明所述的具有红外透明导电功能的窗口在0.78μm～2.5μm波长范围内透过率不低于80％，在2.5μm～5μm波长范围内透过率不低于75％，方块电阻不大于100Ω/sq，对1GHz～18GHz电磁波的屏蔽效率大于10dB。本发明应用于制备一种具有红外透明导电功能的窗口。
-
公开(公告)号：CN108470782B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
-
公开(公告)号：CN108165947A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810226135.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 用于修补平面沉积膜层的自吸式磁控溅射系统及溅射方法，它涉及一种磁控溅射系统及溅射方法。本发明为了解决现有的大型平面结构件表面膜层发生脱落、起皮等现象后，存在不易进行再次镀膜修复，直接影响到结构件或是功能件的寿命和功能性的问题。本发明包括真空室组件、磁控靶挡板组件和磁控靶组件，磁控靶挡板组件通过控制第一手轮的旋转，使得挡板轴运动，同时万向节发生运动带动挡板的左右运动，实现遮挡溅射辉光的作用；磁控靶通过直靶支杆和靶支座固定在真空室桶内，采用屏蔽靶套套在永磁靶头上，防止溅射过程中辉光收到外界环境干扰。溅射方法包括准备工作、抽真空、起辉、镀膜修补和取下系统。本发明用于修补平面沉积膜层中。
-
公开(公告)号：CN105112869A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510547036.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法，本发明涉及红外透明导电薄膜的制备方法。本发明要解决现有的红外探测器的保护罩红外透过率低以及表面霜雾会对成像的质量产生影响的问题。方法：一、清洗；二、准备工作；三、镀膜；四、关机，即完成钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。本发明用于钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.023 seconds)
