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公开(公告)号：CN104928641B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510415525.6
申请日：2015-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，本发明涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜红外透过率低和耐候性差的问题。方法：一、清洗；二、镀膜前准备工作；三、镀制VO2薄膜；四、退火；五、镀制SiO2薄膜；六、关机，即完成氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明用于氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104762636B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510116959.6
申请日：2015-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 担载氢化酶模型配合物的光阴极制备方法，本发明涉及含氢化酶模型配合物的NiO光阴极的制备方法。本发明要解决目前生物酶催化剂的提取和培养过程复杂，成本高；贵金属元素在自然界中丰度很低，价格昂贵的技术问题。方法：制备浆料；切割并洗涤基底FTO玻璃；采用丝网印刷的方法涂覆浆料制备NiO膜；制备CdS-NiO-FTO光阴极；反应制得担载氢化酶模型配合物的光阴极。本发明原料价格低廉、合成工艺简单的无机半导体光敏材料CdS，相比有机染，CdS具有很高的摩尔消光系数，能够更好的吸收可见光，电荷分离效率高、空穴注入速度快。本发明用于制备复合光阴极。
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公开(公告)号：CN105112869B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510547036.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法，本发明涉及红外透明导电薄膜的制备方法。本发明要解决现有的红外探测器的保护罩红外透过率低以及表面霜雾会对成像的质量产生影响的问题。方法：一、清洗；二、准备工作；三、镀膜；四、关机，即完成钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。本发明用于钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN104928641A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510415525.6
申请日：2015-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，本发明涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜红外透过率低和耐候性差的问题。方法：一、清洗；二、镀膜前准备工作；三、镀制VO2薄膜；四、退火；五、镀制SiO2薄膜；六、关机，即完成氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明用于氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN105112869A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510547036.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法，本发明涉及红外透明导电薄膜的制备方法。本发明要解决现有的红外探测器的保护罩红外透过率低以及表面霜雾会对成像的质量产生影响的问题。方法：一、清洗；二、准备工作；三、镀膜；四、关机，即完成钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。本发明用于钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN104762636A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510116959.6
申请日：2015-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 担载氢化酶模型配合物的光阴极制备，本发明涉及含氢化酶模型配合物的NiO光阴极的制备方法。本发明要解决目前生物酶催化剂的提取和培养过程复杂，成本高；贵金属元素在自然界中丰度很低，价格昂贵的技术问题。方法：制备浆料；切割并洗涤基底FTO玻璃；采用丝网印刷的方法涂覆浆料制备NiO膜；制备CdS-NiO-FTO光阴极；反应制得担载氢化酶模型配合物的光阴极。本发明原料价格低廉、合成工艺简单的无机半导体光敏材料CdS，相比有机染，CdS具有很高的摩尔消光系数，能够更好的吸收可见光，电荷分离效率高、空穴注入速度快。本发明用于制备复合光阴极。
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