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公开(公告)号：CN115287597A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210925974.5
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 北京航天长征飞行器研究所
IPC: C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/20 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/26 , C23C14/30
Abstract: 一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜的制备方法，它涉及一种薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有红外调控技术方面存在红外发射率调节幅度不高，改变物质显示出的温度特定不明显和成本高的问题。方法：一、基底的表面处理；二、膜层沉积前处理；三、高反射层材料的选择；四、介质层材料的选择；五、红外辐射层材料的选择；六、保护层材料的选择；七、沉积膜层，得到红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜。本发明制备的一种红外中波高发射率且长波低发射率复合薄膜能够在低温下使用，薄膜红外波段发射率选择性能力基本与初始状态相同，该技术是一种低成本、安全、简单的薄膜制备技术。
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公开(公告)号：CN113393975B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110644500.9
申请日：2021-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种表面改性的银纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法，涉及一种银纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的柔性透明导电薄膜应用过程中，AgNWs易氧化和薄膜的机械稳定性差的技术问题。本发明使用N‑氨基乙基‑γ‑氨基丙基三甲氧基硅烷(Si(NH2))溶液对AgNWs进行表面基团改性，然后在改性后的AgNWs薄膜上包覆一层TiO2溶胶保护层，制得的TiO2/AgNW‑Si(NH2)/PET薄膜表面含有丰富的含氧基团，增强了对基底的附着力；由于TiO2溶胶保护层的存在，TiO2/AgNW‑Si(NH2)/PET薄膜表现出优异的化学稳定性，从而制备出化学和机械稳定性优异的柔性透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN112285981B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011168096.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1506 , G02F1/1514 , G02F1/1523 , G02F1/153
Abstract: 一种具有高电荷储存能力的电致变色器件的制备方法，它涉及一种电致变色器件的制备方法。本发明的目的是要解决现有电致变色器件由于变色膜层之间电荷容量不匹配，导致了变色幅度低、循环寿命低和褪色态自带颜色的问题。方法：一、基底的表面处理；二、制备电致变色层；三、制备互补变色层；四、制备含锂电解质；五、组装器件，得到具有高电荷储存能力的电致变色器件。本发明制备的具有高电荷储存能力的电致变色器件的着色时间为1s～3s，褪色时间为0.1s～2s，透过率变化幅度60％以上，电荷容量20mC/cm2以上。本发明可获得一种具有高电荷储存能力的电致变色器件。
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公开(公告)号：CN115185134A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210836491.8
申请日：2022-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/163
Abstract: 一种恢复电致变色器件性能的方法，它涉及电致变色器件领域，具体涉及一种恢复电致变色器件性能的方法。本发明的目的是要解决现有恢复电致变色薄膜性能衰减的方法不适用于电致变色器件，电致变色器件性能衰减后限制了其商业应用的问题。一种恢复电致变色器件性能的方法为采用热处理使性能衰减的电致变色器件恢复初始性能。具体方法：将性能衰减的电致变色器件在40℃～800℃下热处理，使性能衰减的电致变色器件恢复初始性能。本发明提出了一种简便、新颖的方法，通过加热对衰减的电致变色器件进行再生，可以显著延长器件的使用寿命，具有重要价值；使用本发明的一种恢复电致变色器件性能的方法，可以恢复到初始性能的95％～100％。
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公开(公告)号：CN113253532B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110562482.X
申请日：2021-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/1506 , G02F1/155
Abstract: 一种多模式可调的电致变色器件及其制备方法。本发明属于电致变色材料与器件领域，特别涉及一种电致变色器件及其制备方法。本发明的目的是要解决现有单一的可逆金属电沉积型器件面临无法兼容多种可调光学模式和对比度低的问题。一种多模式可调的电致变色器件包括FTO透明导电玻璃、氧化钛纳米棒阵列、电解液、ITO透明导电玻璃和绝缘垫片。方法：一、预处理：二、制备导电面上生长有氧化钛纳米棒阵列的FTO透明导电玻璃；三、配置电解液；四、组装器件。本发明可获得一种多模式可调的电致变色器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114719464A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210490790.0
申请日：2022-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种虹彩色辐射制冷器件的制备方法，它涉及一种辐射制冷器件的制备方法。本发明的目的是要解决目前很多微结构辐射制冷器件研究还多数处于模拟阶段，冷却功率低，不具有应用性的问题。方法：一、清洗基底；二、构筑银微球自组装的单层掩膜结构；三、刻蚀；四、在石英基底没有微结构的一面蒸镀银膜，得到虹彩色辐射制冷器件。本发明使用原料主要为石英、银；原料丰富易得，并且制备的材料光谱调控范围广，制冷效果明显且具有彩色特性；这些都有益于所设计的辐射制冷器件的推广应用。本发明可获得一种虹彩色辐射制冷器件。
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公开(公告)号：CN113322442A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110620478.4
申请日：2021-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种抗原子氧性能优异的γ‑三氧化二铝薄膜的制备方法，它涉及三氧化二铝薄膜的制备方法。本发明要解决现有方法制备的γ‑Al2O3薄膜存在的致密性差，抗氧化性能不高，薄膜制备温度过高的问题。制备方法：一、将基体置于高能脉冲磁控溅射系统中，抽真空；二、Al靶进行预溅射；三、通入氩气及氧气，沉积。本发明用于抗原子氧性能优异的γ‑三氧化二铝薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN113307507A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110632370.7
申请日：2021-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C17/36
Abstract: 一种基于二氧化钛/纳米金颗粒阵列结构高稳定性电致变色薄膜的制备方法，涉及一种基于二氧化钛/金颗粒的纳米棒阵列结构电致变色薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的普鲁士蓝及其复合薄膜在几百或者几千次电致变色循环测试后透过率调节范围明显下降以及薄膜着褪色响应时间长的技术问题。本发明首先采用水热法在FTO基底上生长出TiO2纳米棒阵列，再通过电沉积的方法在纳米棒表面沉积出离散的纳米金颗粒，形成TiO2/Au纳米棒阵列结构，最后再以此为基底通过电沉积方法在表面覆盖一层PB，形成TiO2/Au/PB复合薄膜，此方法条件温和，简单易行，形成具有优异电致变色性能的复合薄膜，将有利于电致变色薄膜的广泛应用。
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公开(公告)号：CN113292757A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110555404.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高隐形双信息加密/解密的光子晶体图案的制备方法，它涉及一种光子晶体图案的制备方法。本发明的目的是要解决现有的基于响应型光子晶体的隐形图案在常态下无法实现完全隐形和单一的信息加密/解密的问题。方法：一、制备柔性自支撑的SiO2‑PEGDA‑复合光子晶体薄膜；二、制备柔性自支撑的PEGDA的反蛋白石薄膜；三、疏水改性；四、选择性亲水处理。本发明获得的高隐形双信息加密/解密的光子晶体图案适用于材料的防伪和加密。
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公开(公告)号：CN113277744A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110593990.4
申请日：2021-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 一种用溶剂调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法，涉及一种调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法。本发明是要解决现有的调控氧化镍电致变色薄膜形貌的方法工艺较复杂的技术问题。本发明首次提出通过改变反应溶剂的种类来影响NiO基薄膜的形貌，进而影响电致变色性能。考察电致变色的性能包含光学调节范围和响应时间，本发明中不同形貌的NiO薄膜可以实现透过率调节范围20％～80％，响应时间着色2.5s～11s。与现有技术相比，本发明同过简单改变溶剂的种类可以生成不同形貌的NiO薄膜，形貌不同影响晶型结构不同，而晶型结构和形貌结合可调控NiO电致变色性能。
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