异质结太阳电池的硅片处理方法

    公开(公告)号:CN114242833A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111372228.X

    申请日:2021-11-18

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0747

    摘要: 本发明公开了一种异质结太阳电池的硅片处理方法,所述硅片处理方法包括提供一硅片,对硅片进行预处理,去除所述硅片表面的原始损伤层、杂质和氧化层;将所述硅片置于等离子体增强化学气相沉积设备的反应腔内,将所述等离子体增强化学气相沉积设备的基板温度控制在200‑600℃,对所述硅片进行低温氢处理。本发明实施例的异质结太阳电池的硅片处理方法可有效提高硅片体寿命,有利于提高电池开路,提高异质结电池效率;改善了由于硅片片源质量波动而导致的末端电池效率的波动现象,使电池效率集中度得到提高。

    硅异质结光伏组件的制备方法与装置

    公开(公告)号:CN116995128A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202210450011.4

    申请日:2022-04-26

    摘要: 本公开提出了一种硅异质结光伏组件的制备方法以及装置,涉及光伏电池技术领域。该方法包括:对硅异质结电池进行预处理,以生成层压件;基于与层压件的类型对应的处理策略对层压件进行处理,以生成待处理组件;将待处理组件转移至EL检测工位,并切换当前电源至目标稳压电源;调整预设的软件参数,并对待处理组件进行电注入处理,以生成目标光伏组件。由此,在提高电池开路电压和填充因子的同时,并不会导致短路电流的降低,从而保持组件中电池串的电流基本不变,使电池分选时电流特性的一致性得以维持,最大化地实现输出功率的提升,且充分地利用了当前已有的EL检测设备,仅需增加稳压电源即可满足电注入处理工序的设备投入,实现组件输出的提升。