公开(公告)号：CN101375406A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003790.7

申请日：2007-01-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈田美广 ,  中村涉 ,  伴厚志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和具备该薄膜晶体管的有源矩阵基板以及显示装置。本发明提高薄膜晶体管的电流驱动能力而不会伴随由源极电极/漏极电极与栅极电极之间的漏泄不良或断开特性的降低引起的成品率的降低。本发明的薄膜晶体管包括栅极电极、覆盖栅极电极的绝缘膜、设置在绝缘膜上的半导体层、和设置在绝缘膜和半导体层上的源极电极和漏极电极。绝缘膜是包括第一绝缘层和位于第一绝缘层的上层的第二绝缘层的多层绝缘膜。多层绝缘膜具有未形成第一绝缘层的低叠层区域、和叠层有第一绝缘层与第二绝缘层的高叠层区域。第一绝缘层以至少覆盖栅极电极的边缘的方式形成，半导体层形成为横跨在多层绝缘膜的低叠层区域和高叠层区域两者上。半导体层与低叠层区域以在源极电极与漏极电极之间流过的电流路径必定经由半导体层的位于低叠层区域上的部分的方式配置。

公开(公告)号：CN110192306B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201880006489.X

申请日：2018-01-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  大竹忠 ,  中村涉 ,  箕浦洁 ,  纪藤贤一

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06 ,  G02F1/1368

Abstract: 扫描天线(1000)具有：TFT基板(101)，其具有支撑于第1电介质基板(1)的多个TFT、以及多个贴片电极(15)；缝隙基板(201C)，其具有支撑于第2电介质基板(51)的缝隙电极(55)；液晶层，其设置在TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层与上述第2电介质基板相对的方式配置。缝隙电极(55)具有与多个贴片电极(15)对应地配置的多个缝隙(57)，贴片电极(15)连接到对应的TFT的漏极，缝隙电极(55)具有Cu层(55MC、55MD)、以及下侧金属层(55LC、55LD)和/或上侧金属层(55UD)，下侧金属层和/或上侧金属层使Cu层具有的拉伸应力减小约一半以上。

公开(公告)号：CN108604735B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201780011235.2

申请日：2017-02-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  中泽淳 ,  中村涉 ,  箕浦洁 ,  大竹忠 ,  中野文树

IPC: H01Q13/22 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单位(U)的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第二电介质基板(51)和缝隙电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板和缝隙基板之间；反射导电板(65)；缝隙电极具有分别与贴片电极对应配置的缝隙(57)，至少在排列所述天线单位(U)的区域中，所述第二电介质基板(51)的厚度小于所述第一电介质基板(1)的厚度。

公开(公告)号：CN110392927A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201880016980.0

申请日：2018-03-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷田力也 ,  中村涉 ,  中野文树 ,  富安一秀 ,  中泽淳 ,  森胁弘幸

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/144 ,  H01L29/786 ,  H04N5/32 ,  H04N5/369

Abstract: 本发明的一个方面的摄像装置具备：光电转换部，其将入射的光转换为电荷；以及检测部，其检测由光电转换部产生的电荷，光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管，检测部具备与多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个TFT，光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极，在半导体层的周缘部，在下部电极的厚度方向的至少一部分与半导体层之间设置有绝缘层，绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。

公开(公告)号：CN108496277A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201680079814.6

申请日：2016-10-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  箕浦洁 ,  中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  中野文树

IPC: H01Q3/34 ,  H01P1/30 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/08 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单位(U)的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第二电介质基板(51)和形成于第二电介质基板的第一主面上的缝隙电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板和缝隙基板之间；反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)与第二电介质基板(51)的与第一主面相反一侧的第二主面相对的方式配置；缝隙电极具有分别与贴片电极对应配置的缝隙，还具有被配置于TFT基板(101)的外侧或缝隙基板(201)的外侧的加热器部(68)。

公开(公告)号：CN107408759A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012918.5

申请日：2016-10-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  大竹忠 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

CPC classification number: H01Q1/243 ,  G02F1/1313 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/292 ,  G02F2202/42 ,  G02F2203/62 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L2223/6677 ,  H01Q1/125 ,  H01Q1/364 ,  H01Q3/242 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q3/46 ,  H01Q13/10 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 扫描天线(1000)排列有天线单位(U)，具有：TFT基板(101)，其具有第1电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线以及贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第2电介质基板(51)和缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置于TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)。缝隙电极具有与贴片电极分别对应配置的缝隙(57)。在从第1电介质基板的法线方向观看时，若将离缝隙的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第1区域(Rp1)，将离贴片电极的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第2区域(Rp2)，则设置在TFT基板与缝隙基板之间的多个间隔物结构体(75)配置为不与第1区域和/或第2区域重叠。

公开(公告)号：CN103348484B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201280007738.X

申请日：2012-01-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胜井宏充 ,  近间义雅 ,  中村涉 ,  田中哲宪 ,  纪藤贤一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

Abstract: 漏极电极（17）包括：以覆盖半导体层（14）的上表面的一部分的方式层叠的下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b），半导体层（14）、下层漏极电极（17a）和上层漏极电极（17b）构成为台阶状，在构成为上述台阶状的部分，下层漏极电极（17a）的周边与上层漏极电极（17b）的周边的距离大于0.4μm且小于1.5μm。

公开(公告)号：CN102656698B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080056566.6

申请日：2010-12-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胜井宏充 ,  中村涉

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/38 ,  G02F2203/60 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的有源矩阵基板包括：以相互平行延伸的方式设置的多个扫描配线（11a）；以沿与各扫描配线交叉的方向相互平行延伸的方式设置的多个信号配线（16a）；分别设置于每个各扫描配线（11a）与各信号配线（16a）的交叉部分，且分别具有半导体层（4a）、以及在该半导体层（4a）上形成于与各信号配线（16a）相同的层的源极电极（16aa）和漏极电极（16b）的多个TFT（5）；和在各扫描配线（11a）与各信号配线（16a）之间设置的涂敷型的绝缘层，其中，在该绝缘层，以使得各半导体层（4a）露出的方式形成有多个开口部（15a），该绝缘层的各开口部（15a）的周端的至少一部分配置于各半导体层（4a）的周端的内侧。

公开(公告)号：CN102834547A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN1164968C

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN01111653.6

申请日：2001-03-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伴厚志 ,  冈田美广 ,  中村涉

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3655 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2320/0261

Abstract: 有源矩阵型显示装置中降低活动图象显示期间残留图象的伪脉冲显示。在信号线和扫描线的交叉处形成液晶电容器，以显示图象。提供辅助电容器用于在显示期间保持液晶电容器上的电位差。辅助电容器的两个电极中的一个和象素电极一起与开关元件连接。用信号线上的视频信号已经对液晶电容器和辅助电容器充电同时用扫描线有选择地使开关元件处于导通状态后，并且在经过了预定时间之后，辅助电容器驱动器将信号施加到辅助电容器的另一电极，从而降低由液晶电容器造成的显示光亮度。