公开(公告)号：CN110783344A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910671345.2

申请日：2019-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法，抑制由第2金属膜的蚀刻引起的缺陷的发生。阵列基板具备：半导体膜；第1绝缘膜，其配置于半导体膜的上层侧；第1金属膜，其配置于第1绝缘膜的上层侧；第2绝缘膜，其配置于第1金属膜的上层侧；第2金属膜，其配置于第2绝缘膜的上层侧；源极配线，其包括第2金属膜；栅极电极，其包括第1金属膜；沟道区域，其包括半导体膜的一部分，以与栅极电极重叠的方式配置；源极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，通过至少在第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到源极配线；漏极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的；及像素电极，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，与漏极区域相连。

公开(公告)号：CN110246900A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910168669.4

申请日：2019-03-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  大东彻 ,  今井元 ,  原健吾

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/24

Abstract: 提供具备能具有高迁移率和高可靠性的氧化物半导体TFT的半导体装置。半导体装置具备薄膜晶体管，薄膜晶体管的半导体层具有包括包含In、Ga、Zn及Sn的下部氧化物半导体层和配置于下部氧化物半导体层上且包含In、Ga及Zn的上部氧化物半导体层的层叠结构，下部氧化物半导体层的厚度是20nm以下，下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比是5％以上，上部氧化物半导体层不包含Sn，或者上部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比小于下部氧化物半导体层中的Sn相对于全部金属元素的原子数比，下部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第1角度小于上部氧化物半导体层的侧面与下表面之间的第2角度。

公开(公告)号：CN113903753A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110756568.6

申请日：2021-07-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山中昌光 ,  近间义雅

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 提供具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备分别具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上的栅极电极的第1TFT和第2TFT，在第1TFT中，氧化物半导体层中的隔着栅极绝缘层由栅极电极覆盖的第1区域在整个范围内具有包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜的层叠结构，上部氧化物半导体膜的迁移率高于下部氧化物半导体膜的迁移率，在第2TFT中，氧化物半导体层的第1区域的至少一部分包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN111580315A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010092392.4

申请日：2020-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西宫节治 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  原健吾 ,  高畑仁志

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12

Abstract: 一种有源矩阵基板和具备其的液晶显示装置，有源矩阵基板(10)具备：开关元件(120)，其连接到设置在基板上的栅极线和数据线；像素电极(130)，其与开关元件(120)连接；相对电极(140)，其在俯视时与像素电极(130)重叠；平坦化膜(154)；以及配线(142)。平坦化膜(154)覆盖开关元件(120)，在俯视时与配线(142)重叠的位置形成有贯通平坦化膜(154)的第1接触孔(CH1)。像素电极(130)和相对电极(140)以覆盖平坦化膜(154)的一部分的方式配置。在第1接触孔(CH1)中，相对电极控制配线(142)与相对电极(140)连接。

公开(公告)号：CN110875336A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910800912.X

申请日：2019-08-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高畑仁志 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  原健吾 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  原义仁

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法，能够实现具备有机绝缘膜(OIL)、以及被两层配线化的第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)的、成品率高的有源矩阵基板(1)。在有源矩阵基板(1)中，第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)中的、配置为离基板(2)更远的第2源极层(SSL1～SSL3)隔着第2无机绝缘膜(SINOIL)与有机绝缘膜(OIL)接触。

公开(公告)号：CN110867453A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910682845.6

申请日：2019-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  原健吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法，消除随着各接触孔的形成而出现的问题。阵列基板(11B)具备：第1TFT(15)；第1源极侧连接部(19)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1源极区域(15B)；第1漏极侧连接部(20)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1漏极区域(15C)；第2TFT(24)，其由第1TFT(15)驱动；第2源极侧连接部(28)，其包括第1金属膜(39)的一部分，连接到第2源极区域(24B)；以及第2漏极侧连接部(29)，其包括第1金属膜(39)或第2透明电极膜(48)的一部分，连接到第2漏极区域(24C)。