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公开(公告)号:CN112309333B
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202010719792.3
申请日:2020-07-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/3225 , G09G3/3266 , G09G3/36
Abstract: 在具备形成有多路分用电路的有源矩阵基板的显示装置中,分别生成向作为构成该多路分用电路的开关元件的多个连接控制晶体管的栅极端子施加的多个连接控制信号的升压电路设置于该多路分用电路内。各升压电路的内部节点经由通过其他升压电路的内部节点的升压后的电压成为接通状态的晶体管而被预充电,其后,该升压电路的内部节点的电压通过给予多路分用电路的控制信号经由升压电容器而被升压。将该升压后的内部节点的电压作为连接控制信号而给予连接控制晶体管的栅极端子。
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公开(公告)号:CN111105762B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201911016919.9
申请日:2019-10-24
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种扫描信号线驱动电路、具备其的显示装置以及扫描信号线的驱动方法,在有源矩阵型的显示装置中,作为基于多相的栅极时钟信号来驱动显示部的多个栅极总线的栅极驱动器,分别在显示部的一侧设置第1栅极驱动器,在显示部的另一侧设置第2栅极驱动器。第1栅极驱动器和第2栅极驱动器各自包含:多个缓冲电路,其连接到上述多个栅极总线;以及多个双稳态电路,其被相互级联连接而构成移位寄存器,各双稳态电路控制2个缓冲电路。在第1栅极驱动器与第2栅极驱动器之间,上述多个双稳态电路构成为隔行配置,由各双稳态电路控制的2个缓冲电路双方包含升压电容器,2个缓冲电路中的一个缓冲电路为了隔离升压效应而包含晶体管。
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公开(公告)号:CN109887469A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201811344967.6
申请日:2018-11-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种移位寄存器,在构成移位寄存器的各级的单元电路中设有电荷供给部(420),该电荷供给部(420)包含第三控制节点N3,该第三控制节点N3与第一节点(用于保持电荷以输出高电平的扫描信号(输出信号Q)的节点)N1在相同的时序下电位成为高电平,且在自该第三控制节点N3的电位成为高电平后直至输出高电平的扫描信号(输出信号Q)为止的期间,该电荷供给部(420)能够对第一节点N1供给电荷。在此,移位寄存器内的所有单元电路以相同的方式构成。
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公开(公告)号:CN102160183B
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN200980136174.8
申请日:2009-09-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C16/24 , G02F1/1345 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136204 , H01L27/1225
Abstract: 二极管(201)具备:栅极电极(2);在栅极电极(2)上形成的栅极绝缘层(5);在栅极绝缘层(5)上形成的具有第1区域(6a)、第2区域(7b)的至少1个半导体层(6、7);在第1区域(6a)上设置的与第1区域(6a)和栅极电极(2)电连接的第1电极(10);以及在第2区域(7b)上设置的与第2区域(7b)电连接的第2电极(12),至少1个半导体层(6、7)具有隔着栅极绝缘层(5)与栅极电极(2)重叠的沟道区域(6c)和与栅极电极(2)不重叠的电阻区域(7d),在二极管(201)的导通状态下,在第1电极(10)和第2电极(12)之间形成包含沟道区域(6c)和电阻区域(7d)的电流路径。
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公开(公告)号:CN102473461A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080031667.8
申请日:2010-02-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/20 , G09G3/3266 , G09G3/3677 , G09G2310/0286
Abstract: 一种移位寄存器,是由绝缘性基板支撑的移位寄存器,具有:分别依次输出输出信号的多个级,多个级分别具有包含多个薄膜晶体管的电路20,多个薄膜晶体管包含:与电路的工作相关的第1薄膜晶体管MK;和具有至少一个悬浮的端子的第2薄膜晶体管MK_YOBI,第2薄膜晶体管MK_YOBI的其它端子连接于第1薄膜晶体管MK的对应端子,至少一个悬浮的端子形成为能与规定的配线N2连接。由此,能够提高构成单片栅极驱动器的移位寄存器的成品率。
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公开(公告)号:CN102160183A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN200980136174.8
申请日:2009-09-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C16/24 , G02F1/1345 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136204 , H01L27/1225
Abstract: 二极管(201)具备:栅极电极(2);在栅极电极(2)上形成的栅极绝缘层(5);在栅极绝缘层(5)上形成的具有第1区域(6a)、第2区域(7b)的至少1个半导体层(6、7);在第1区域(6a)上设置的与第1区域(6a)和栅极电极(2)电连接的第1电极(10);以及在第2区域(7b)上设置的与第2区域(7b)电连接的第2电极(12),至少1个半导体层(6、7)具有隔着栅极绝缘层(5)与栅极电极(2)重叠的沟道区域(6c)和与栅极电极(2)不重叠的电阻区域(7d),在二极管(201)的导通状态下,在第1电极(10)和第2电极(12)之间形成包含沟道区域(6c)和电阻区域(7d)的电流路径。
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公开(公告)号:CN1521852A
公开(公告)日:2004-08-18
申请号:CN200410003978.X
申请日:2004-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C16/0408 , H01L21/28282 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件,此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元,存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。
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公开(公告)号:CN113539198B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202110397006.7
申请日:2021-04-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 实现栅极总线的高速充放电以及栅极总线的扫描顺序的切换为可能的且能够实现窄边框化的显示装置。栅极驱动器由包括第一移位寄存器(411)的第一栅极驱动器(410)和包括第二移位寄存器(421)的第二栅极驱动器(420)构成,该第一移位寄存器(411)由配置在显示部的一侧并与第奇数行的栅极总线对应的双稳态电路构成,该第二移位寄存器(421)由配置在显示部的另一侧并与第偶数行的栅极总线对应的双稳态电路构成。每个栅极总线的一端侧设有第一缓冲电路(Buf1),每个栅极总线的另一端侧设有第二缓冲电路(Buf2)。双稳态电路和第二缓冲电路(Buf2)被施加有控制栅极总线的扫描顺序的控制信号。
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公开(公告)号:CN113539197B
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202110395469.X
申请日:2021-04-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 实现栅极总线的高速充放电以及栅极总线的扫描顺序的切换为可能的且能够实现窄边框化的显示装置。栅极驱动器由包括第一移位寄存器(411)的第一栅极驱动器(410)和包括第二移位寄存器(421)的第二栅极驱动器(420)构成,该第一移位寄存器(411)配置在显示部的一侧并能够切换由与第奇数行的栅极总线对应的双稳态电路构成的移位方向,该第二移位寄存器(421)配置在显示部的另一侧并能够切换由与第偶数行的栅极总线对应的双稳态电路构成的移位方向。每个栅极总线的两端的一侧设有第一缓冲电路Buf1,另一侧设有第二及第三缓冲电路(Buf2、Buf3)。
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公开(公告)号:CN113539198A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110397006.7
申请日:2021-04-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 实现栅极总线的高速充放电以及栅极总线的扫描顺序的切换为可能的且能够实现窄边框化的显示装置。栅极驱动器由包括第一移位寄存器(411)的第一栅极驱动器(410)和包括第二移位寄存器(421)的第二栅极驱动器(420)构成,该第一移位寄存器(411)由配置在显示部的一侧并与第奇数行的栅极总线对应的双稳态电路构成,该第二移位寄存器(421)由配置在显示部的另一侧并与第偶数行的栅极总线对应的双稳态电路构成。每个栅极总线的一端侧设有第一缓冲电路(Buf1),每个栅极总线的另一端侧设有第二缓冲电路(Buf2)。双稳态电路和第二缓冲电路(Buf2)被施加有控制栅极总线的扫描顺序的控制信号。
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