双位快闪存储器的制作方法

    公开(公告)号:CN102097490A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN200910201186.6

    申请日:2009-12-15

    发明人: 三重野文健

    IPC分类号: H01L29/792

    摘要: 一种双位快闪存储器的制作方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成栅介电层与栅电极层,刻蚀所述栅电极层及栅介电层,形成栅极结构;侧向刻蚀栅介电层的部分区域,在栅介电层两侧形成开口;在栅电极层与半导体衬底表面形成隔离层;在半导体衬底及栅极结构上形成氮化硅,所述氮化硅填充到栅介电层的开口中,栅电极层与半导体衬底表面的隔离层将所述氮化硅与栅电极层及半导体衬底隔离;刻蚀氮化硅,仅保留位于栅介电层开口处的氮化硅,所述开口处的氮化硅形成电荷俘获层。

    非易失半导体存储装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100483717C

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200510066881.8

    申请日:2005-04-28

    IPC分类号: H01L27/105 H01L21/8239

    摘要: 本发明公开了一种非易失半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于:对于将电荷离散地积累在叠层绝缘膜内的非易失半导体存储装置,即使被紫外线照射,也能够在不使成本增加的情况下,进行阈值电压的控制。非易失半导体存储装置,具有:在衬底1上形成的由离散地积累电荷的叠层绝缘膜2B构成的栅极绝缘膜、栅极电极3A及在衬底1的表面层中形成的夹着栅极电极3A的作为源极或者漏极发挥作用的一对扩散区域4。在栅极绝缘膜中的区域,并且是在栅极电极3A中的与一对扩散区域4对着的端部、和一对扩散区域4之间存在的区域中的至少一个区域中,存在有将紫外线照射到栅极电极3A而产生的电荷积累起来的固定电荷积累区域;在一对扩散区域4中的存在于固定电荷积累区域下侧的至少一个扩散区域4,被设置成在相对于衬底面垂直的方向上,与固定电荷积累区域重叠且超出该固定电荷积累区域的样子。