公开(公告)号：CN103299431A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005200.5

申请日：2012-01-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川岛慎吾 ,  中田幸伸 ,  村井淳人 ,  田中信也

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/247 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的半导体装置(100A)包括：具有第一接触区域(4a)和第二接触区域(4b)以及位于第一接触区域(4a)与第二接触区域(4b)之间的沟道区域(4c)的氧化物半导体层(4)；在氧化物半导体层(4)上以与第一接触区域(4a)接触的方式形成的源极电极(5)；和在氧化物半导体层(4)上以与第二接触区域(4b)接触的方式形成的漏极电极(6)。氧化物半导体层(4)的所有侧面位于栅极电极(2)上，源极电极(5)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度，漏极电极(6)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度。

公开(公告)号：CN107004603B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201580064209.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

公开(公告)号：CN107004720A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064371.9

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置(200A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(201)；以覆盖薄膜晶体管(201)且与薄膜晶体管(201)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极及漏极电极(7)各自含有铜，所述源极及漏极电极(7)与层间绝缘层(11)之间配置有含有铜与铜以外的至少一种金属元素的铜合金氧化膜(10)，层间绝缘层(11)隔着铜合金氧化膜(10)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜合金氧化膜(10)而与漏极电极(7D)直接相接。

公开(公告)号：CN107004718A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063805.3

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。

公开(公告)号：CN103261959B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180059588.2

申请日：2011-11-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村井淳人 ,  中田幸伸 ,  川岛慎吾 ,  西村淳

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133707 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的半导体装置（100A）具有：薄膜晶体管（10）；形成在薄膜晶体管（10）上的第一绝缘层（9）；形成在第一绝缘层（9）上的具有开口部（21a）的第二绝缘层（11）；和以从基板（1）的法线方向看时与氧化物半导体层（5）重叠的方式形成的遮光层（12a），遮光层（12a）形成于开口部（21a），遮光层（12a）的上表面具有凸状的曲面，并且，第二绝缘层（11）的上表面与遮光层（12a）的上表面相比位于基板（1）侧。

公开(公告)号：CN101410779A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011195.8

申请日：2007-01-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西脇章刚 ,  片冈义晴 ,  大东彻 ,  田中信也 ,  西山幸彦 ,  川岛慎吾 ,  贝川裕之 ,  占部孝之

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供触摸面板、显示装置和触摸面板的制造方法。触摸面板(20a)包括绝缘性基板、设置在绝缘性基板(10a)上的透明触摸电极(13a)、和与触摸电极(13a)的周边连接的边框部(F)，并利用通过边框部(F)的电信号检测触摸电极(13a)的触摸位置，边框部(F)设置在绝缘性基板(10a)和触摸电极(13a)之间。