公开(公告)号：CN108369948A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580085507.4

申请日：2015-12-23

申请人： 英特尔公司

发明人： V.H.勒 ,  G.德韦伊 ,  R.里奥斯 ,  J.T.卡瓦利罗斯 ,  M.拉多萨夫耶维奇 ,  K.E.米拉尔德 ,  M.C.弗兰奇 ,  A.阿格拉瓦尔 ,  B.朱-龚 ,  R.E.阿克

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/247 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明的实施例包括非平面InGaZnO（IGZO）晶体管和形成此类器件的方法。在实施例中，IGZO晶体管可以包括衬底以及形成在衬底之上的源极和漏极区。根据实施例，IGZO层可以形成在衬底以上并且可以电耦合到源极区和漏极区。另外的实施例包括通过栅极电介质而与IGZO层分离的栅极电极。在实施例中，栅极电介质接触IGZO层的多于一个表面。在一个实施例中，IGZO晶体管是finfet晶体管。在另一个实施例中，IGZO晶体管是纳米线或纳米带晶体管。本发明的实施例也可以包括在集成电路芯片的后道工艺堆叠（BEOL）中形成的非平面IGZO晶体管。

公开(公告)号：CN105449119B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201610008810.0

申请日：2010-08-06

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

摘要： 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN103178057B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201210555624.0

申请日：2012-12-19

申请人： 株式会社日本有机雷特显示器

发明人： 诸沢成浩 ,  荒井俊明

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

摘要： 本发明公开了一种显示器及电子单元。显示器件包括：显示元件；晶体管，其被配置为驱动显示元件，该晶体管包括沟道区；以及保持电容器。氧化物半导体膜被设置在横过晶体管和保持电容器的区域中，该氧化物半导体膜包括：第一区域，其在晶体管的沟道区中形成；以及第二区域，其具有比第一区域的电阻更低的电阻。第二区域在晶体管和保持电容器的除沟道区之外的区域中形成。

公开(公告)号：CN103500712B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310376877.6

申请日：2011-11-21

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC分类号： H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN105324835A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035855.6

申请日：2014-06-24

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 越智元隆 ,  森田晋也 ,  高梨泰幸 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。

公开(公告)号：CN105308753A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480030005.7

申请日：2014-05-07

申请人： 希百特股份有限公司

发明人： 谢泉隆 ,  俞钢 ,  法特·弗恩格 ,  于尔根·穆佐尔夫

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/247 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L2021/775

摘要： 一种制备稳定高迁移率的非晶MOTFT的方法，包括提供其上形成有栅极的衬底和位于栅极之上的栅极电介质层的步骤。通过溅射沉积在栅极电介质层上的载流子传输结构，该载流子传输结构包括邻近于栅极电介质的非晶高迁移率的金属氧化物的层和沉积在所述非晶高迁移率的金属氧化物的层上的材料的相对惰性的保护层，该两层以无氧和在原位的方式来被沉积。非晶金属氧化物的层具有大于40cm2/Vs的迁移率和处于大约1018cm-3到大约5x1019cm-3的范围的载流子浓度。源极/漏极接触位于所述保护层之上并与之形成电接触。

公开(公告)号：CN105070717A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510492883.7

申请日：2010-10-15

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/118 ,  H01L27/12 ,  G11C11/405 ,  G11C16/04

CPC分类号： H01L27/1052 ,  G11C11/405 ,  G11C16/0433 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11803 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 目的是提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：第一布线；第二布线；第三布线；第四布线；具有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极的第一晶体管；以及具有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极的第二晶体管。所述第一晶体管设置在包括半导体材料的衬底中。所述第二晶体管包括氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN101640221B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN200910161721.X

申请日：2009-07-31

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  宫永昭治 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/78618 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/3674 ,  G09G2310/0286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 一种半导体装置，其中使用含有In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间包括设置有缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的缓冲层，来形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN104160456A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380011944.2

申请日：2013-02-28

申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构

发明人： 下田达也 ,  李金望

IPC分类号： H01B13/00 ,  B05D5/12 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1233 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/288 ,  H01L29/247

摘要： 本发明提供一种导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐；以及氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。

公开(公告)号：CN104143575A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410360479.X

申请日：2014-07-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 包智颖

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/247

摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管、一种阵列基板和一种显示装置。所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层的材质为缺氧相金属氧化物纳米薄膜。有源层采用缺氧相金属氧化物纳米薄膜，缺氧相金属氧化物的氧空位的存在使得金属阳离子周围的电子密度增加，进而造成在离氧化物导带边缘的下方很近处形成类似于施主态的能级，使得其禁带宽度减小，载流子需要较低的能量就可以产生跃迁，另外，由于纳米薄膜具有较大的比表面积和高表面能，氧空位很容易暴露在纳米颗粒表面，因此，采用缺氧相金属氧化物纳米薄膜作为有源层，使得载流子具有高的迁移率，进而可以提高薄膜晶体管的响应速度。