公开(公告)号：CN101416313A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780011981.8

申请日：2007-03-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种功率IC器件，其表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率MOS晶体管在同一芯片上构成。沟槽型功率MOS晶体管的源区(14)与表层沟道CMOS晶体管的栅极(21a)在同一平面上构成。根据上述结构，当沟槽型功率MOS晶体管和表层沟道CMOS晶体管在同一芯片上形成时，可以提供一种能够降低制造成本的功率IC器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1536662A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410034245.2

申请日：2004-04-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： A·O·阿丹

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 层叠的金属配线层形成电磁隔离构造，这些金属配线层通过通孔而相互连接，由此形成层叠构造的金属栅栏。金属栅栏以包围在集成电路内产生电磁场的螺旋电感等的元件的方式配置。此外，电磁波的Skindepth设为δ，c设为光速，集成电路的动作频率设为f，金属栅栏区域的横向尺寸设为d，金属栅栏的包围线宽设为WF，通孔间隔设为L，信号的波长λ＝c/f时，d≤λ/8，WF≥5δ，L≤λ/20。能够降低集成电路中的、电磁或经由基板的耦合噪音。