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公开(公告)号:CN109148413A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810492650.0
申请日:2018-05-22
申请人: 瑞萨电子株式会社
发明人: 田中敬一郎
IPC分类号: H01L23/522 , H03F3/04
CPC分类号: H01L23/5227 , H01L23/5225 , H01L28/10 , H03F1/565 , H03F3/45475 , H03F3/04
摘要: 本发明提供一种半导体器件以及放大电路,其目的在于能够易于鉴别因电感中的布线间短路引起的不良。将第一电感(5a)、第二电感(5b)的多个电感形成于多个布线层,在多个布线层的每一层中,第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层各自从内周朝向外周一边沿着同一方向绕转一边延伸,第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层以彼此相邻的方式配置。
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公开(公告)号:CN106030730B
公开(公告)日:2018-09-21
申请号:CN201580010286.4
申请日:2015-01-16
申请人: 马维尔国际贸易有限公司
IPC分类号: H01F5/00 , H01F17/00 , H01F27/34 , H01L23/552
CPC分类号: H01F5/003 , H01F17/0006 , H01F17/0013 , H01F17/02 , H01F27/346 , H01F41/041 , H01F2017/0046 , H01F2017/0073 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , Y10T29/4902 , H01L2924/00
摘要: 本公开的各个方面提供包括第一电感器的设备。第一电感器包括具有定义第一封闭区域的多于一个匝的第一线圈部分以及具有定义第二封闭区域的多于一个匝的第二线圈部分。第一线圈部分和第二线圈部分被布置成生成具有基本上相等的强度和相反的方向的磁场。
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公开(公告)号:CN108493180A
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201810349949.0
申请日:2013-11-13
申请人: 电力集成公司
IPC分类号: H01L23/495
CPC分类号: H01L23/552 , H01L23/3114 , H01L23/48 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L24/48 , H01L27/0248 , H01L28/10 , H01L2224/05554 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H04B15/005 , H05K7/14 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 本公开内容涉及利用引线框架对磁耦合通信链路的噪声消除,特别地涉及一种隔离的同步开关模式功率转换器控制器集成电路封装件,包括包封部和引线框架,所述引线框架的一部分被布置在所述包封部内。所述引线框架包括形成在所述引线框架中的第一导体,所述第一导体具有基本被布置在所述包封部内的第一导电环路和第三导电环路。第二导体形成在所述引线框架中,与所述第一导体电流隔离。所述第二导体包括第二导电环路,所述第二导电环路基本被布置在所述包封部内靠近所述第一导电环路,以在所述第一导体与所述第二导体之间提供通信链路。所述第三导电环路以相对于所述第一导电环路的相反的方向卷绕在所述包封部中。
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公开(公告)号:CN108364907A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201810079450.2
申请日:2018-01-26
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号: H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号: H01L21/76264 , H01L21/76283 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/5228 , H01L23/528
摘要: 一种半导体器件包括半导体衬底,半导体衬底具有第一区域和第二区域。附加地,半导体器件包括绝缘结构,该绝缘结构横向地位于半导体衬底中的第一区域与第二区域之间。绝缘结构在半导体衬底中将第一区域与第二区域横向地电绝缘。该半导体器件进一步包括位于半导体衬底的表面处的连接结构。连接结构与绝缘结构的至少一个子结构接触,并且与第一区域和第二区域中的至少一个接触。进一步,连接结构的至少一个子结构具有大于1×103Ωm且小于1×1012Ωm的电阻率。
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公开(公告)号:CN108352244A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680067627.6
申请日:2016-11-08
申请人: 英特尔公司
CPC分类号: H01L25/18 , H01F17/00 , H01F17/0006 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L24/06 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L2224/16265 , H01L2924/1427 , H01L2924/143 , H01L2924/19011 , H01L2924/19042
摘要: 一种设备,包括电感器模块,所述电感器模块包括:模块衬底,包括磁性介电材料;多个电感电路元件,布置在模块衬底中,其中电感电路元件包括作为包括第一线圈端、第二线圈端和线圈芯的线圈所布置的导电迹线,其中线圈芯包括磁性介电材料;以及多个导电接触垫,其电耦合到第一和第二线圈端。电耦合到第一线圈端的接触垫布置在电感器模块的第一表面上,以及电耦合到第二线圈端的接触垫布置在电感器模块的第二表面上。
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公开(公告)号:CN105575959B
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201510588853.6
申请日:2015-09-16
申请人: 威盛电子股份有限公司
IPC分类号: H01L27/02 , H01L23/522
CPC分类号: H01L27/0288 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L27/0641 , H01L27/0788 , H01L27/0805 , H01L28/10 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L29/93 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开一种集成电路装置。一种集成电路装置,上述集成电路装置包括一基板;一第一电容,设置于上述基板上;一第一金属图案,耦接至上述第一电容的第一电极;一第二金属图案,耦接至上述第一电容的第二电极;一第三金属图案,设置于上述第一金属图案和上述第二金属图案上方,且覆盖上述第一电容、上述第一金属图案和上述第二金属图案,其中上述第三金属图案为电性接地;一电感,设置于上述第三金属图案上方。
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公开(公告)号:CN103066059B
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201210407786.X
申请日:2012-10-24
申请人: 恩智浦美国有限公司
IPC分类号: H01L23/538 , H01L29/78 , H01L21/768 , H01L21/336
CPC分类号: H01L21/76898 , H01L21/26586 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L28/10 , H01L29/4175 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 一种半导体器件结构(10)包括衬底(12),所述衬底具有第一浓度和第一导电类型的背景掺杂。穿过衬底通路(TSV)(46)穿过所述衬底。半导体器件(20‑30)耦合到衬底上第一侧的TSV。掺杂区域具有大于第一浓度的第二浓度和第一导电类型的掺杂。
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公开(公告)号:CN104103626B
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201410127366.5
申请日:2014-03-31
申请人: 英特尔公司
发明人: H-J·巴斯
IPC分类号: H01L23/532
CPC分类号: H01L51/0048 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/768 , H01L21/76805 , H01L21/76849 , H01L21/76852 , H01L21/76879 , H01L23/147 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49872 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53266 , H01L23/53276 , H01L23/645 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L29/1606 , H01L2221/1094 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要: 本申请公开了混合碳-金属互连结构。本公开的实施例涉及一种用于集成电路组件中的混合碳-金属互连结构的技术和构造。在一个实施例中,装置包括衬底、金属互连层和石墨烯层,该金属互连层设置在衬底上并且配置成作为石墨烯层的生长起始层,其中石墨烯层在金属互连层上直接形成,金属互连层和石墨烯层被配置成路由电信号。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号:CN103972209B
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201410015626.X
申请日:2014-01-14
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L23/522
CPC分类号: H01F21/12 , H01F21/10 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及电感器装置和半导体装置。该电感器装置包括绝缘层、电感器、固定电极、以及可移动电极。电感器被形成在绝缘层上。固定电极被设置在平面图中不与电感器交迭的位置中。可移动电极在平面图中与电感器和固定电极交迭,并且与电感器和固定电极分离。此外,可移动电极包括第一开口。
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公开(公告)号:CN104871307B
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201280077812.5
申请日:2012-12-19
申请人: 瑞萨电子株式会社
IPC分类号: H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号: H01L23/5227 , H01L23/49575 , H01L23/528 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L27/0688 , H01L2223/6611 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间,在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈,在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈,它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时,在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。
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