公开(公告)号：CN204431874U

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201420754048.7

申请日：2014-12-05

申请人： 大连维钛克科技股份有限公司

发明人： 刘野 ,  王洪权

IPC分类号： B32B33/00

摘要： 本实用新型公开了一种具有高硬度和低摩擦系数的CrAlN/WS2涂层,包括纳米多层涂层，所述纳米多层涂层由多个CrAlN纳米层和WS2 纳米层构成,各CrAlN纳米层和WS2 纳米层通过多弧离子镀的方式交替溅射沉积在基体上形成纳米量级多层结构，所述纳米多层涂层的总厚度为2.0-4.5μm；每一所述CrAlN 纳米层的厚度为5.0nm；每一所述WS2纳米层的厚度为0.2～1.4nm。本实用新型有益效果：该具有高硬度和低摩擦系数的 CrAlN/WS2涂层可作为保护涂层，用于高温环境且要求高硬度、又具有高耐摩擦性能的服役场合。

公开(公告)号：CN204369975U

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201420755131.6

申请日：2014-12-05

申请人： 大连维钛克科技股份有限公司

发明人： 刘野 ,  王宝林 ,  张朝奎

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本实用新型公开了一种阴极电弧源，包括溅射靶材、阴极体、永磁铁、可调电磁铁、辅助阳极、冷却水装置，所述溅射靶材与阴极体相接触连接，所述阴极体右侧安装有永磁铁，所述永磁铁一端设有线圈，所述永磁铁右侧设有可调磁铁，所述冷却水装置环绕所述阴极体。多弧离子镀技术是离子镀技术的一种改进方法，它是把弧光放电作为金属蒸发源的表面涂层技术。多弧离子镀蒸发源是由水冷阴极；磁场；引弧电级等组成。本设计通过对多弧离子蒸发源的各结构件改进设计再组合从而达到改善膜层质量、提高弧斑运动稳定性，提高靶材利用率的作用。

公开(公告)号：CN204281846U

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201420755162.1

申请日：2014-12-05

申请人： 大连维钛克科技股份有限公司

发明人： 刘野 ,  张绪跃 ,  刘晓华

IPC分类号： C23C14/32

摘要： 本实用新型公开了一种真空离子镀膜设备的新型磁场结构，包括靶座、磁铁座和内设的冷却装置，所述靶座顶端设有用于容纳固定靶材的靶材凹槽，靶材两端均设有突出辅助阳极，靶材底部安装于阴极体凹槽内；所述阴极体与铝板之间设有永磁体，且永磁体紧贴于铝板顶部表面；靶座底部通过螺纹与支架旋接；所述铝板下方设置一带有线圈护罩并由线圈骨架支撑的电磁线圈；靶座底部通过螺纹与支架旋接；所述冷却装置为固定与弧离子镀膜装置中心的水道，其中设置了电磁线圈和永磁体或碳素钢共同对弧靶表面磁场产生作用，调整极为方便，产生的磁场形状较好，可以有效提高靶材烧蚀效率，改善成膜质量。