公开(公告)号：CN204281847U

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201420755204.1

申请日：2014-12-05

申请人： 大连维钛克科技股份有限公司

发明人： 王宝林 ,  龚健

IPC分类号： C23C14/32 ,  F15B15/24

摘要： 本实用新型公开了一种引弧气缸限位机构，包括气缸和座，所述气缸与座之间通过内六角螺钉连接，所述座顶部设有压板，所述压板通过十字槽螺钉与座相连，所述座内置有限位柱，所述限位柱两侧设有弹簧，所述限位柱与活塞杆的加工表面接触，所述活塞杆一端穿过气缸和座，所述活塞杆的另一端与靶材连接，所述靶材的顶部与引弧针相连。本实用新型的有益效果是：该机构结构简单、小巧不影响外观；拆卸方便；价格合理；依靠弹簧力使引弧气缸活塞杆限位保证引弧稳定；由于是弹簧力该机构又保证了气缸杆的灵活性因此应用该机构还方便了弧源清理及换靶材工作。

公开(公告)号：CN204369975U

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201420755131.6

申请日：2014-12-05

申请人： 大连维钛克科技股份有限公司

发明人： 刘野 ,  王宝林 ,  张朝奎

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本实用新型公开了一种阴极电弧源，包括溅射靶材、阴极体、永磁铁、可调电磁铁、辅助阳极、冷却水装置，所述溅射靶材与阴极体相接触连接，所述阴极体右侧安装有永磁铁，所述永磁铁一端设有线圈，所述永磁铁右侧设有可调磁铁，所述冷却水装置环绕所述阴极体。多弧离子镀技术是离子镀技术的一种改进方法，它是把弧光放电作为金属蒸发源的表面涂层技术。多弧离子镀蒸发源是由水冷阴极；磁场；引弧电级等组成。本设计通过对多弧离子蒸发源的各结构件改进设计再组合从而达到改善膜层质量、提高弧斑运动稳定性，提高靶材利用率的作用。