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公开(公告)号：CN106487344A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610877333.1
申请日：2016-10-08
申请人： 天津大学
摘要： 一种CMOS工艺2400MHz线性功率放大器，包括有依次串联连接的高通T型匹配结构的输入匹配电路、cascode结构的输入级电路和共源放大器结构的输出级电路，其中，所述输入匹配电路的输入端连接外部射频输入信号，所述输出级电路的输出端连接负载，所述输入级电路的输入端和输出级电路的输入端分别各连接一个具有有源偏置结构的线性化栅极偏置电路。本发明的一种CMOS工艺2400MHz线性功率放大器，通过新的电路结构，采用标准的CMOS工艺实现，有集成度高、成本低、易于大规模生产等优点。同时还克服了常用线性化电路过于复杂的缺点，使用简单结构优化了功率放大器的输出线性度。
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公开(公告)号：CN103951428B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201410166022.5
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种中温烧结温度稳定型低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Ca0.45Zn0.55TiNb2O8，采用化学原料ZnO、CaO、Nb2O5和TiO2，于850℃煅烧，合成前驱体，于1060～1140℃烧结。本发明使用Ca2+离子对Zn2+离子进行取代，改变了材料的物相组成。本发明的烧结温度为1060～1140℃，介电常数为34～40，品质因数为42,000～51,500GHz，谐振频率温度系数为-10～11×10-6/℃。制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103951429A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410166373.6
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/63 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种低温烧结低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Ni0.04Zn0.96TiNb2O8+(1～4)wt％B2O3，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5和TiO2，于900～940℃烧结。本发明在ZnTiNb2O8系陶瓷的基础上，使用B2O3做为烧结助剂，提供一种低温烧结的低损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法，并同时保持了相对较好的介电性能。其烧结温度为900～940℃，介电常数为30～36，品质因数为32,100～39,500GHz，谐振频率温度系数为-32～-39×10-6/℃。此外，本发明的制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107911088A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711029281.3
申请日：2017-10-26
申请人： 天津大学
摘要： 一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器级间匹配电路，包括依次相连的用于在两个频率下对二次谐波阻抗为纯电抗条件进行匹配的二次谐波阻抗匹配模块和在两个频率下完成驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗的匹配的基波阻抗匹配模块，所述二次谐波阻抗匹配模块的输入端连接驱动级GaN晶体管的输出端，所述基波阻抗匹配模块的输出端连接功率级GaN晶体管的输入端。本发明结构简单，易于实现，可同时实现两个频率的阻抗匹配，从而实现同时工作在双频率的要求；可以在双频条件下实现驱动级类半正弦电压信号输出，从而降低功率级无效输出功率，提高功率放大器整体效率；并在两个频率下实现驱动级输出基波阻抗及功率级输入基波阻抗匹配。
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公开(公告)号：CN107786175A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710893405.6
申请日：2017-09-28
申请人： 天津大学
摘要： 一种用于光接收机的宽带跨阻放大电路，第一晶体管的集电极构成输出端Vout，集电极还通过第一电阻连接电源VDD，第一晶体管的基极分别连接第二电阻的一端以及第二晶体管的集电极，第二电阻的另一端连接电源VDD，第二晶体管的基极分别连接第一晶体管的发射极、第四电阻的一端、前级输入信号和等效电容的一端，第二晶体管的发射极分别连接第三晶体管的发射极以及接地电阻和接地电容的一端，第四电阻、前级输入信号、等效电容、接地电阻和接地电容的另一端均接地，第三晶体管的集电极通过第三电阻连接电源VDD，基极连接外部偏置电压V。本发明在不影响跨阻放大器整体增益的情况下，优化了跨阻放大器的输出带宽，提高了系统对数据的传输速率。
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公开(公告)号：CN107659277A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710893310.4
申请日：2017-09-28
申请人： 天津大学
CPC分类号： H03F1/48 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F2200/111 , H03F2200/451
摘要： 一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器匹配电路，包括：相串联的匹配变换模块和基波匹配模块，以及输出端连接在所述匹配变换模块的输出端和基波匹配模块的输入端的用于将二次谐波的短路状态转化为短路状态的二次谐波电抗匹配网络，其中，所述匹配变换模块的输入端连接晶体管封装输出端，所述基波匹配模块的输出端连接负载。本发明的一种用于GaN功率器件的双频宽带功率放大器匹配电路，通过合理的设计各个模块的结构，可同时实现两个频带的阻抗匹配，从而实现同时工作在双频带的要求；本发明通过合理的设计基波匹配网络，使放大器的两个频带具有较宽的工作带宽；该匹配电路结构简单，易于实现，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103951430A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410166374.0
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种低温烧结铌酸盐高品质因数微波介质陶瓷材料，其化学式为Ni0.04Zn0.96TiNb2O8+(1-4)wt％CuO，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5、TiO2和CuO，于850℃煅烧合成前驱体，于900～940℃烧结。本发明从LTCC低温共烧的角度出发，在Ni0.04Zn0.96TiNb2O8体系中通过掺杂少量的低熔点烧结助剂CuO，在降低烧结温度的同时保持优异的微波性能；其介电常数为30～34，品质因数为27,800～41,500GHz，谐振频率温度系数为-35～-41×10-6/℃。制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103951428A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410166022.5
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种中温烧结温度稳定型低损耗微波介质陶瓷材料，其化学式为Ca0.45Zn0.55TiNb2O8，采用化学原料ZnO、CaO、Nb2O5和TiO2，于850℃煅烧，合成前驱体，于1060～1140℃烧结。本发明使用Ca2+离子对Zn2+离子进行取代，改变了材料的物相组成。本发明的烧结温度为1060～1140℃，介电常数为34～40，品质因数为42,000～51,500GHz，谐振频率温度系数为-10～11×10-6/℃。制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103951427A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410165958.6
申请日：2014-04-23
申请人： 天津大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料，其化学式为Zn0.96Ni0.04Zr0.05Ti0.95Nb2O8，采用化学原料ZnO、NiO、Nb2O5、TiO2和ZrO2，于880℃煅烧合成前驱体，于1060～1140℃烧结。本发明通过使用Ni2+和Zr4+对Zn2+及Ti4+进行了少量取代，有效提高了其品质因数(59,010～68700GHz)，其烧结温度为1060～1140℃，介电常数为34～38，谐振频率温度系数为-41～-35×10-6/℃。本发明的制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
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