公开(公告)号：CN113380604B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202110597788.9

申请日：2021-05-31

申请人： 天津大学

发明人： 马雷 ,  李睿 ,  赵梅 ,  张真真 ,  董刚

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12

摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种具有原子级台阶形貌的4H‑SiC材料及其刻蚀方法，在4H‑SiC材料的(0001)晶面上，利用特殊设计的石墨坩埚，采用两步氢刻蚀方法进行刻蚀，从而对4H‑SiC(0001)晶面形貌进行调控，能够在该晶面上得到大面积覆盖且均匀分布的原子级台阶形貌。本发明能够解决刻蚀有效区域难以提升、刻蚀区域内形貌分布无序的问题，实现刻蚀有效区域的最大化与均匀分布；经处理后的SiC表面无划痕且具有覆盖样品表面70‑80％分布均匀的原子级台阶形貌，能够用以制备性能优异的SiC功率器件及高频射频器件，也可作为制备具有均匀可控形貌的外延生长材料的优良衬底。

公开(公告)号：CN112522669B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011376622.6

申请日：2020-11-30

申请人： 天津大学

发明人： 马雷 ,  赵梅 ,  赵若彤 ,  朱晓东

IPC分类号： C23C14/30 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

摘要： 本发明提供了一种晶圆级单层硼烯的制备方法及该晶圆级单层硼烯，包括以下步骤：S1、在绝缘衬底层上设置第一金属层；S2、采用电子束蒸发法在第一金属层中引入硼原子，沉积得到硼源层；S3、在硼源层的表面设置可与第一金属层互熔的第二金属层；S4、采用退火工艺将第一金属层与第二金属层熔合形成合金层，并使得硼原子从合金层中被析出至合金层的上表面和合金层与绝缘衬底层的界面，得到形成在合金层上表面的硼薄膜，以及在合金层与绝缘衬底层界面的硼烯层；S5、去除合金层和硼薄膜，得到晶圆级单层硼烯。相比于现有技术，本制备方法可以在绝缘衬底上直接制备出晶圆级均匀单层硼烯，且制备效率高，生产成本低。