公开(公告)号：CN1910041B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200580002343.0

申请日：2005-01-11

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 横泽伊裕 ,  山口裕章 ,  番场启太 ,  大久保正夫

IPC: B32B15/08 ,  H05K1/03 ,  H05K3/18 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K3/38 ,  H05K1/0346 ,  H05K3/181 ,  H05K3/426 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0175 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31721

Abstract: 通过能在陶瓷上实现金属镀覆的湿法镀覆方法，在至少表面上陶瓷改性或者假陶瓷改性的聚酰亚胺膜上形成金属导电层而获得的聚酰亚胺-金属层压体。可获得在湿法镀覆步骤中具有满意的内聚力、甚至在高温老化处理之后维持实际可行的内聚力，并显示出满意的电绝缘可靠度的聚酰亚胺-金属层压体和聚酰亚胺电路板。

公开(公告)号：CN101449633B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200780018779.8

申请日：2007-03-23

Applicant: 宇部兴产株式会社

Inventor： 下川裕人 ,  番场启太

IPC: H05K3/18 ,  H05K1/09 ,  H05K3/38 ,  B32B15/08

Abstract: 本发明提供了一种高直线性和非常小间距的铜布线聚酰亚胺膜。所述铜布线聚酰亚胺膜是由一种通过使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜(1)，由半添加法制备具有间距为20至45μm的铜布线部分的铜布线聚酰亚胺膜的方法所制备的。所述制备方法包括：(a)提供铜箔层压膜的步骤，所述铜箔层压膜包含在聚酰亚胺膜(2)的表面上的铜箔(4b)，所述铜箔(4b)具有不大于1.0μm的膜-侧表面粗糙度Rz，并且具有在0.5至2μm的范围内的厚度，(b)形成镀敷抗蚀剂图案层(17)的步骤，其中可以在所述铜箔的表面上形成间距为20至45μm的布线图案，(c)在从抗蚀剂暴露的铜箔部分上进行镀铜(10)的步骤，(d)去除的镀敷抗蚀剂的步骤，和(e)去除暴露在去除所述镀敷抗蚀剂的部分上暴露的所述铜箔以暴露聚酰亚胺膜(8)的步骤。