公开(公告)号：CN108513447A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810284607.5

申请日：2018-04-02

申请人： 深圳市晶卓电子科技有限公司

发明人： 谢伟军

IPC分类号： H05K3/18 ,  H05K3/14

CPC分类号： H05K3/18 ,  H05K3/146 ,  H05K2201/0175

摘要： 本发明提供了一种印刷电路板制造工艺，包括：在基底的一面涂布一层感光湿膜；采用图形菲林依据预设的电路图形对涂布有感光湿膜的基底进行曝光显影；将带湿膜图形的基底放入电镀液中进行电镀；去除带有预设厚度的金属线路层的基底中的感光湿膜；在带有预设的电路图的基底的另一面上形成一层石墨烯膜；将预先获取的生胚贴合在基底的预设的电路图的表面上；使用预设的低于金属线路熔点的温度将贴合有生胚的带有预设的电路图的基底烧制成一体由于不需要蚀刻，能得到厚度范围大且精度高的金属线路，同时，石墨烯膜具有较强的热量性能，可以快速地将焊接的LED光源产生的热量散去。

公开(公告)号：CN108323021A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201711457202.9

申请日：2017-12-28

申请人： 昆山福烨电子有限公司

发明人： 李文武

IPC分类号： H05K3/06 ,  H05K1/03 ,  C04B35/10

CPC分类号： H05K3/06 ,  C04B35/10 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3472 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/5232 ,  C04B2235/5248 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0175

摘要： 本发明公开了一种陶瓷基PCB加工工艺，其特征是，所述成型工艺包括如下步骤：根据所需产品的设计需求开料得到陶瓷基板；在陶瓷基板上完成钻孔、电镀、背钻；蚀刻线路：用蚀刻液对线路进行蚀刻；清洗：通过清洗剂的梯度淋洗，得到陶瓷基PCB。本发明提供的一种陶瓷基PCB的加工工艺，生产工序简单、节约成本，同时得到的PCB板性能优良，可有效克服信号延迟、反射等“失真”现象。

公开(公告)号：CN106164327B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201580016727.1

申请日：2015-09-03

申请人： 三井金属矿业株式会社

发明人： 松浦宜范 ,  西川丞 ,  栗原宏明

IPC分类号： C23C14/14 ,  B32B15/08 ,  C23C14/34 ,  H05K3/38

CPC分类号： H05K1/09 ,  B32B15/01 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/205 ,  C23C14/0005 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/165 ,  C23C14/205 ,  C23C14/3464 ,  C23C16/24 ,  H05K1/036 ,  H05K3/022 ,  H05K3/28 ,  H05K3/388 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0355

摘要： 本发明提供一种表面处理铜箔，其具备：铜箔、和在铜箔的至少单面设置的、氢浓度1～35原子％和/或碳浓度1～15原子％的主要包含硅的表面处理层。该表面处理铜箔可以如下制造：准备铜箔；在该铜箔的至少单面通过物理气相成膜或化学气相成膜形成氢浓度1～35原子％和/或碳浓度1～15原子％的主要包含硅的表面处理层。通过本发明能够提供具备表面处理层的铜箔，其即便在通过溅射等蒸镀法形成的极平坦的铜箔表面也能够实现与树脂层的高的密合强度并且具有适合于印刷电路板的细距化的、优选的绝缘电阻。

公开(公告)号：CN106029955B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201480073097.7

申请日：2014-10-13

申请人： 康桥纳诺塞姆有限公司

发明人： 帕维尔·沙什科夫 ,  谢尔盖·乌索夫

IPC分类号： C25D11/02 ,  C25D11/06 ,  H05K1/05

CPC分类号： H05K1/028 ,  C25D11/02 ,  C25D11/024 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/05 ,  H05K1/053 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/28 ,  H05K3/44 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1147

摘要： 一种柔性电子基板(FES)包括金属层、通过金属层的表面的氧化形成的介电纳米陶瓷层以及形成在该介电层的表面上的电路。FES可以用于支持以下装置，例如柔性显示器、OLED、光电子装置或RF装置。介电纳米陶瓷层具有由基本等轴的晶粒构成的晶体结构，其中介电纳米陶瓷层具有100纳米或更小的平均晶粒大小、介于1微米与50微米之间的厚度、大于20KV mm‑1的介电强度、以及大于3W/mK的导热率。FES具有低于25cm的最小弯曲半径。

公开(公告)号：CN106550558A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201611111230.0

申请日：2016-12-06

申请人： 深圳市深联电路有限公司

发明人： 肖鑫 ,  高团芬 ,  刘中丹

IPC分类号： H05K3/46 ,  H05K1/02

CPC分类号： H05K3/4626 ,  H05K1/0203 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/10416

摘要： 本发明提供了一种嵌陶瓷PCB板的压合制作方法，包括：制作芯板；制作外层覆铜板；在芯板的上下两面依次放置PP和制作好的外层覆铜板，且对应进行压合。本发明通过在外层覆铜板上焊盘位置处对应锣槽以及对应在芯板中锣内槽，并将陶瓷片对应嵌入到芯板的内槽中，且使陶瓷片的两端对应穿过PP后嵌入到外层覆铜板的槽中，由于陶瓷片位于焊盘下方，且其体积较小，因此能够将焊盘上焊接的LED模组产生的热量及时的发散出去。与现有技术相比，本发明大大提高了产品的散热能力，降低了产品的制造成本，有效的提高了嵌陶瓷PCB板压合的工艺制程能力。

公开(公告)号：CN103959555B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201280058979.7

申请日：2012-12-21

申请人： 康普技术有限责任公司

发明人： M·齐莫尔曼

IPC分类号： H01P5/02 ,  H01L23/48 ,  H01Q1/24 ,  H05K3/32

CPC分类号： H03H7/004 ,  H01L2924/0002 ,  H01P5/028 ,  H01Q1/246 ,  H05K1/0225 ,  H05K1/0239 ,  H05K3/28 ,  H05K3/40 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09336 ,  H05K2201/09618 ,  H05K2201/09872 ,  H01L2924/0001

摘要： 一种在主模块外壳和一个或多个子模块外壳之间的盲插电容性耦合互连，具有耦合表面和内部元件，每个耦合表面具有接地部分和孔，内部元件设置在孔中，与所述接地部分分隔开。所述耦合表面可以设置为例如在印刷电路板上的迹线。为了适应一定程度的未对准，其中一个内部元件可以设置为大于另一个。当所述耦合表面例如通过机械固定装置配合在一起，保持在合适的位置上时，产生所述耦合表面之间的电容性耦合。

公开(公告)号：CN105611717A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610042566.X

申请日：2016-01-22

申请人： 江西宝盛半导体能源科技有限公司

发明人： 舒军 ,  杨平 ,  张爱兵

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K1/05

CPC分类号： H05K1/0209 ,  H05K1/05 ,  H05K2201/0175

摘要： 一种超高导热的金属基线路板及其制备方法，属于功率模块领域。由基材层，和按序附着在所述基材层表面的复合导热绝缘层及导电线路层组成，所述复合导热绝缘层由Al2O3及其水合物Al2O3·H2O和Al2O3·3H2O制得。本发明结构简单，其中的复合导热绝缘层具有良好的导热性能和绝缘性能，导热性能在100W以上，在满足其热量转移的同时，克服耐击穿电压低、剥离强度低、导电线路厚薄不均等方面的缺陷。且金属基线路板的制备方法简单高效，成本低，易于推广使用。

公开(公告)号：CN105453332A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201380078805.1

申请日：2013-08-12

申请人： 瑞典爱立信有限公司

发明人： 周波 ,  刘坤 ,  陈俊友

IPC分类号： H01P1/203

CPC分类号： H05K1/115 ,  H01P1/2039 ,  H01P5/028 ,  H05K1/0251 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/09 ,  H05K1/116 ,  H05K1/162 ,  H05K3/10 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/46 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4632 ,  H05K2201/0141 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/09672

摘要： 本公开提供了一种通孔过渡，包括：两个端部分；高阻抗部分和低阻抗部分。所述高阻抗部分和所述低阻抗部分被交替布置在所述两个端部分之间，并且所述通孔过渡形成在基底中。本公开还提供了一种包括所述通孔过渡的功率分配器以及一种制造低通型通孔过渡的方法。

公开(公告)号：CN102577638B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080046764.4

申请日：2010-07-29

申请人： 西门子公司

发明人： T.齐玛 ,  G.加恩威特纳 ,  G.施米德 ,  D.塔洛塔

IPC分类号： H05K1/16 ,  H05K3/00 ,  C01G1/02 ,  H01G4/12 ,  B22F1/00

CPC分类号： H05K1/162 ,  B05D1/185 ,  H01B3/002 ,  H01B3/10 ,  H01G4/1227 ,  H01G11/48 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/0257 ,  Y02E60/13

摘要： 本发明涉及介电保护层，其中包埋有纳米颗粒以增加介电常数，该纳米颗粒由保护壳包裹以防止团聚，从而获得了用于沉积超薄膜的小粒径。

公开(公告)号：CN102550138B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201080043564.3

申请日：2010-09-28

申请人： 京瓷株式会社

发明人： 林桂

IPC分类号： H05K3/46 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

CPC分类号： H05K3/4673 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/16225 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4655 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/1152 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24942

摘要： 本发明提供电气可靠性改善的结构体。本发明的一实施方式涉及的结构体具有包含无定形状态的氧化硅、弹性模量为45GPa以下的第1无机绝缘层11a。本发明的一个实施方式涉及的结构体的制造方法具有：将包含含有无定形状态的氧化硅的第1无机绝缘粒子14a的无机绝缘溶胶11x涂布的工序，和通过在小于氧化硅的结晶化开始温度下加热第1无机绝缘粒子14a而使它们相互连接，从而形成包含无定形状态的氧化硅、弹性模量为45GPa以下的第1无机绝缘层11a的工序。