-
公开(公告)号：CN100524841C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710040613.8
申请日：2007-05-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/09
摘要： 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。
-
公开(公告)号：CN100461557C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610148067.5
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01S3/107 , H01S3/08 , H01L31/068 , G02F1/015
摘要： 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F-P光学谐振腔和置于F-P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F-P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。
-
公开(公告)号：CN101252255A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810034077.5
申请日：2008-02-29
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种半导体硅太赫兹激光源器件，包括：泵浦源、硅THz激光器芯片，为硅THz激光器芯片提供制冷的制冷系统。本发明的特征是：利用硅THz激光器芯片中具有更长2p0能级寿命的电离能为40.09meV类氢浅施主杂质NSD来替代硅THz激光器芯片中的杂质P实现5.40THz波段的激光输出。本发明的优点是容易实现2p0能级与较低s态之间的粒子数反转，此类THz激光源器件的品质因子较基于硅中V族浅施主杂质的激光源器件提高约3倍左右，极大提高了THz激光源器件的效率与性能。本发明器件所用硅材料制备方法为提拉法，工艺成熟，均匀性好。
-
公开(公告)号：CN101251485A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035500.3
申请日：2008-04-02
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种利用荧光光谱测量半导体量子点尺寸分布的方法。该方法通过实测半导体多量子点体系的PL谱；从有效质量近似下的含时微扰的薛定谔方程出发，计算半导体多量子点的PL谱；而后通过理论和实验PL谱对照获得量子点的尺寸分布，其中，PL谱的中心波长对应占比率最大的量子点的复合发光，而PL谱的形状对应尺寸的分布规律。本发明操作简便，耗时短；可以明确获得半导体多量子点体系的尺寸分布。
-
公开(公告)号：CN101196552A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710171904.0
申请日：2007-12-07
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN100385264C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410067892.3
申请日：2004-11-05
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种集成窄带滤光片，包括：基片，在基片上依次有相互牢固结合的下层膜系，厚度不等的谐振腔层列阵和上层膜系。本发明的集成窄带滤光片是基于F-P干涉原理，通过半导体刻蚀工艺来获取不同谐振腔层的厚度，达到控制窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同透射波长窄带滤光片在同一块基片上的集成。这种滤光片可适用于各个波段窄带滤光片列阵的制备。其优点是：工艺简单，只需设计一个膜系、通过镀膜和刻蚀即可完成集成窄带滤光片的制备，所制备的滤光片各单元的半峰宽很窄，其相对半峰宽都小于0.36%，可以起到很好的波长选择作用。
-
公开(公告)号：CN101109724A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710044935.X
申请日：2007-08-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明提供一种检测InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度大小的方法。由于InGaN/GaN多量子阱发光二极管为InGaN量子点发光，那么，其内部量子点密度的大小就决定了其发光性能的优劣。本发明根据InGaN/GaN多量子阱发光二极管开启电压随其内部量子点密度增大而逐渐增大的变化关系，通过测量其开启电压的大小来判定其内部量子点密度的大小。在保证电极为欧姆接触的情况下，发光二极管的开启电压越大，其内部量子点密度也就越高。本发明可以简单方便的确定InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度的相对大小，而且不会造成浪费，对于寻找最优化的生长条件，提高发光二极管的发光效率和节约成本具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN100345030C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200410089451.3
申请日：2004-12-13
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G02F1/00
摘要： 本发明公开了一种三维光学微腔式单光子源，该光子源包括：衬底，与衬底牢固结合的微腔膜系，嵌埋在微腔中的量子点，其特征在于：在微腔膜系上，靠近微腔四周刻有呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱，空气柱的深度为膜系的厚度。本发明的优点在于：由于采用准三维光子晶体结构的设计使光学微腔在各个方向上都有很好的限制能力，从原理上克服了传统结构在垂直方向上漏光的缺陷，而且可以方便地从多个嵌埋量子点中优选出单个量子点发光，形成光学微腔式的单光子源。
-
公开(公告)号：CN1327580C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200510025274.7
申请日：2005-04-21
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01S5/00
摘要： 本发明公开了一种激发光源和量子点发光光源集成的、灵巧的、便携式微型单光子光源。激发光源为激光二极管，发光光源为量子点嵌埋的三维光学微腔。以激光二极管的芯片作为衬底，在衬底上依次排列量子点嵌埋的三维光学微腔和滤光片。三维光学微腔是由微腔膜系和膜系四周刻蚀呈三角格子周期性分布的圆柱形空气柱构成的。这种结构的优点是：在微腔膜系的垂直方向上形成一维光子晶体，同时微腔膜系又与空气柱形成二维光子晶体，整个结构构成一个三维光子晶体微腔，当嵌埋在微腔中的量子点被激光二极管激发时，由于三维光学微腔的选模作用，可以获得性能优良的单光子输出，形成单光子源。
-
公开(公告)号：CN1996033A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610148065.6
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/28 , G01R31/00 , H01L21/66
摘要： 一种长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法，包括步骤：S1、测量碲隔汞光伏器件的I－V曲线；S2、利用关系式R＝dV/dI获得R－V曲线，S3、根据碲镉汞的暗电流模型拟合获得器件的物理参数，根据本发明将为碲镉汞长波器件分析提供新的途径。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
130 条记录 (耗时 0.103 秒)