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公开(公告)号：CN101196552A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710171904.0
申请日：2007-12-07
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101109724A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710044935.X
申请日：2007-08-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明提供一种检测InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度大小的方法。由于InGaN/GaN多量子阱发光二极管为InGaN量子点发光，那么，其内部量子点密度的大小就决定了其发光性能的优劣。本发明根据InGaN/GaN多量子阱发光二极管开启电压随其内部量子点密度增大而逐渐增大的变化关系，通过测量其开启电压的大小来判定其内部量子点密度的大小。在保证电极为欧姆接触的情况下，发光二极管的开启电压越大，其内部量子点密度也就越高。本发明可以简单方便的确定InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度的相对大小，而且不会造成浪费，对于寻找最优化的生长条件，提高发光二极管的发光效率和节约成本具有重要意义。
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公开(公告)号：CN1874016A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610028490.1
申请日：2006-06-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要： 本发明的氮化镓基圆盘式单色光源列阵包括：衬底，在衬底上置有与衬底牢固结合的光子晶体微腔和波导结构。光子晶体微腔和波导结构是由在背景介质材料上通过刻蚀的方法形成一系列周期性排列并含有特定缺陷的圆柱形空气柱构成的。背景介质材料由依次排列生长的n－GaN下电极层、InGaN/GaN量子阱结构或AlGaN/InGaN异质结结构的发光层和p－GaN上电极层组成。氮化镓作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而含有不同线缺陷的光子晶体波导则可以近乎无损地把这个波段内的单色光分别耦合到圆盘四周，形成圆盘式的单色光源列阵。利用这种结构可以近乎无损地从微腔中耦合出单色性很好的单色光，甚至可以实现直角拐弯，形成一种结构紧凑的单色光源列阵。
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公开(公告)号：CN100354639C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510110630.5
申请日：2005-11-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。
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公开(公告)号：CN1786770A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510110631.X
申请日：2005-11-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管指示笔，该指示笔包括：GaN基发光二极管，在GaN基发光二极管的发光面上置有方向选择性很高、带通很窄的窄带滤光膜层，在滤光膜层的前面置有透镜。本发明的优点是：发光二极管发出的光，经过窄带滤光膜层使得只有近乎正入射的光才能透射出来，同时，窄带滤光片本身只能透过很窄波长范围的光，从而使得最终发出的光单色性很好，与激光非常接近，然后再加上一个透镜，使光束在使用的范围内光斑都很小，而光束本身并非是相干的激光，亮度均匀，不会象激光笔那样出现很多让人眼感觉不适的闪光点，因此可以替代激光笔作为很好的指示笔用。
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公开(公告)号：CN1773732A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510030062.8
申请日：2005-09-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/14
摘要： 本发明公开了一种由氮化镓(GaN)基材料制成的将多量子阱红外探测器和发光二极管串联耦合在同一块芯片上的红外－可见波长转换探测器。多量子阱红外探测器(QWIP)将红外辐射信号转化为红外光电信号，再经发光二极管转化为可见波段的光信号。本发明的优点是实现了偏压下长波热红外向可见光波段的上转换，人眼可以直接观测，简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料制备工艺成熟，材料均匀性好。
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公开(公告)号：CN1770483A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510029388.9
申请日：2005-09-02
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明的高单色性光源阵列包括：金属基板，在金属基板上依次排列的氮化镓发光二极管和窄带滤光片阵列。二极管作为光源发出宽度为几十纳米的某个波段的光，而窄带滤光片阵列则把这个波段内的光在空间上分成若干束不同波长的单色光。本发明可以通过选择不同波段的发光二极管，并与相应的窄带滤光片阵列集成，以获得不同波段的高单色性发光阵列。这种发光阵列可以满足微小型光谱仪等在集成单色光源方面的需求。
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公开(公告)号：CN1619848A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410084792.1
申请日：2004-12-01
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种能够增强外量子效率的发光二极管。本发明由衬底、发光层及金属反射层组成。衬底为抛物线构成的实心碗状结构，上表面的中心位置为抛物线的焦点，下表面镀有金属反射层，发光层位于衬底上表面的中心位置。本发明不仅能够将传统的平面衬底发光二极管中不能发射出来的光子发射出来，提高发光二极管的外量子效率，增强其发光强度；还可以发射出大量平行光线，使光可以远距离传输。因此，本发明在大屏幕彩色显示、多媒体显示、光通信以及探照灯、飞机指示灯、汽车照明灯、交通信号灯等领域得到广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN100460864C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510111361.4
申请日：2005-12-09
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要： 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法，包括：1.在很低注入电流下，通过控制其周围温度获得发光峰位随结温的变化关系；2.在一定注入电流下，测量其在不同温度下发光峰位的变化关系，从中得出高温下发光峰位的变化关系，并外推至坐标轴，得到去除电流屏蔽效应后，在某一温度下的发光峰位；3.将此发光峰位数值代入从1得到的结温与发光峰位的关系判断在此注入电流及温度下发光二极管PN结区的温度。本发明可在很小的误差范围内表征在不同注入电流及温度下GaN基半导体发光二极管PN结区的实际温度，有利于GaN基半导体发光二极管的性能表征和优化研究。
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公开(公告)号：CN100424897C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200510030062.8
申请日：2005-09-28
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC分类号： H01L31/14
摘要： 本发明公开了一种由氮化镓(GaN)基材料制成的将多量子阱红外探测器和发光二极管串联耦合在同一块芯片上的红外-可见波长转换探测器。多量子阱红外探测器(QWIP)将红外辐射信号转化为红外光电信号，再经发光二极管转化为可见波段的光信号。本发明的优点是实现了偏压下长波热红外向可见光波段的上转换，人眼可以直接观测，简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料制备工艺成熟，材料均匀性好。
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